找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 7786|回复: 13
打印 上一主题 下一主题

[仿真讨论] DDR2與DDR3 的DQS與CLK 問題

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2013-7-4 17:19 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
想請問各位前賢,以下幾個問題2 [) B9 X, Y5 i2 e& G  ~
1.DDR2與DDR3的DQS與CLK在layout上他的布線限制是否一樣呢?* e& x6 l, Q! i0 F' o/ u
2.DQS與CLK 走線是否需要等長?
! K4 j# _% f" M' f0 H

该用户从未签到

2#
发表于 2013-7-23 17:28 | 只看该作者
DDR3: dqs与clk不需要等长
9 o( F) d5 z  F; P0 [* O. F- bDDR2: dqs与clk要做等长

评分

参与人数 1贡献 +5 收起 理由
part99 + 5 赞一个!

查看全部评分

该用户从未签到

3#
发表于 2013-7-31 16:24 | 只看该作者
个人认为:1,DQS不需要跟CLK等长,读写数据都跟clk没有关系,只有DQS有关。但是在DDR的spec中会有一个要求,CLK读写命令出发到DQS前导脉冲有个时间间隔,并需要满足0.75~1.25个时钟的间隔,否则容易出现DDR兼容性的问题。2,DDR2跟DDR3在时序上没有本质的区别,只要保证timing的余量即可。

该用户从未签到

4#
发表于 2013-8-8 08:00 | 只看该作者
學到了~感謝~

该用户从未签到

5#
发表于 2013-8-8 12:04 | 只看该作者
hagelee 发表于 2013-7-31 16:24
% w0 L- i0 ^- }: q/ m个人认为:1,DQS不需要跟CLK等长,读写数据都跟clk没有关系,只有DQS有关。但是在DDR的spec中会有一个要求, ...
4 O" X1 w% d8 B+ Y, Y2 t1 c
您好
2 G7 T. q) u& \, R请问我经常看到DDR3的数据线,彼此并未遵守3w的间距,比如说4mil的线宽,就4mil的线间距 这样的设计 能跑的起来么 速度达不到max吧 & E( ^( ^* [+ j1 ^2 g/ P* ^7 j6 R. h8 r; r4 V

该用户从未签到

6#
发表于 2013-8-12 11:59 | 只看该作者
emanule 发表于 2013-8-8 12:04
# Z2 c, u# g4 ~& N您好
! _( L9 Z! y: E, r% B: v( {, z" C- d请问我经常看到DDR3的数据线,彼此并未遵守3w的间距,比如说4mil的线宽,就4mil的线间距 这样的设计 ...
0 v; p  D( L& u; D* g
DDR走线的线宽和线间距是按照特性阻抗计算出来的,对于不同的板层厚度算出来的值会有不同。如果4+4的阻抗是匹配的,信号没有反射,系统稳定性应该是没有问题的。其实DDR跑稳定的影响因素很多,信号质量,时序关系是相对重要的两点。* |2 r. C  S# T5 F% I+ `
等长用来保证各路数据能够正确的采样,属于时序;线宽和线间距是为了阻抗匹配保证信号质量。
5 G; d5 x; ?0 u# c0 @# U

点评

不对吧 4+4如果是差分对,可能是保证阻抗。4+4如果是DQ数据线,那就是不符合3W原则。  详情 回复 发表于 2022-3-11 16:42

该用户从未签到

7#
发表于 2013-11-2 11:27 | 只看该作者
hagelee 发表于 2013-7-31 16:24
, Q' \) ?2 n. @个人认为:1,DQS不需要跟CLK等长,读写数据都跟clk没有关系,只有DQS有关。但是在DDR的spec中会有一个要求 ...
7 ^( E0 a/ m% I0 c
你好,请教你个问题。关于DDR3的拓扑结构的问题。目前有个项目需要用到2片DDR3,使用菊花链的结构。处理器是飞思卡尔的P1020。我的想法是时钟、地址、控制线设计为一组,等长设计,分别送到2片颗粒中,由于走线长度有差别,CPU到DDR_1的距离和DDR_1到DDR_2的距离相差不是很大。DQ、DQS、DM有2组,分别连到2片颗粒上去。我的疑问就是:CPU同时对2片颗粒发送指令,指令到达的时间是不一样的,但是数据到达的时间还是差不多的,这样能行吗?同样的问题也存在读的过程中,读取的时候分别收到指令,数据也是先后的送到CPU,这个时间差能允许吗?我对这个问题很迷惑,可能是我对DDR3本身不了解吧。如果是一片两片还好,如果有4片DDR3,这样他们之间的时间差更大了,问题更明显。请给指点,非常感谢。

该用户从未签到

8#
发表于 2013-11-14 20:53 | 只看该作者
pcbdesigner 发表于 2013-7-23 17:28
# P( @& M6 m( e: q9 m1 C% RDDR3: dqs与clk不需要等长
. a% k9 Z6 }3 @- U& QDDR2: dqs与clk要做等长

4 b0 ]* |$ m# l9 B! m3 Y$ C从datasheet中可以看出,DDR2的 dqs与clk要做等长,但等长只要控制在500多mil里就可以了,所以说对等长的要求不那么高了

该用户从未签到

9#
发表于 2013-12-18 09:44 | 只看该作者
一般情况下 DDR3 有 'leveling'功能校准 ,这样DQS和CLK 就不需要等长处理。(具体有没有这个功能以芯片资料为准,不是所有的芯片都有)
$ y5 R+ O1 Y( b4 C& T4 c+ qDDR2 是没有这个功能的,从时序来说 DQS是受到CLK 触发的,所以需要有个时序约束,只不过这个数值可以比较大。

该用户从未签到

10#
发表于 2016-4-19 09:18 | 只看该作者
ck与DQS只与颗粒有关?不同厂家的颗粒是不是要求会不一样???

该用户从未签到

11#
发表于 2016-4-21 08:12 | 只看该作者
你最好把你相关的数据线写出来,时钟线最好等长,还有就是时钟线跟数据线长度不要错太远。

该用户从未签到

12#
发表于 2016-6-27 19:40 | 只看该作者

1 T  N, ^6 K, ~' m/ ?0 Y: NThank you for your sharing

该用户从未签到

13#
发表于 2016-11-22 16:04 | 只看该作者
其实DQS和CLK ddr3也需要做的

该用户从未签到

14#
发表于 2022-3-11 16:42 | 只看该作者
hagelee 发表于 2013-8-12 11:59
1 v$ d9 S4 i" A& sDDR走线的线宽和线间距是按照特性阻抗计算出来的,对于不同的板层厚度算出来的值会有不同。如果4+4的阻抗 ...

: B" d) t2 J" c) @2 }1 I; ?不对吧  4+4如果是差分对,可能是保证阻抗。4+4如果是DQ数据线,那就是不符合3W原则。8 e  B8 w. Z% I$ q4 a
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-7-28 05:16 , Processed in 0.125000 second(s), 28 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表