请分析下mos管的作用

嗯哈 · 发表于 2013-4-16 21:55

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请帮忙分析下Q2的作用！此电路是个inand的供电的！谢谢了！

HNTA_401 · 发表于 2013-4-17 23:50

先说一下，这个图真的很不清晰，我大致识别上面的P沟道MOS管代号为Q301，中间三极管为Q3，右边N沟道MOS管为Q2。
当输入为0时：Q3关闭，Q301关闭，Q2导通，VDD_INAND通过R331(1K)下拉至0V；
当输入为1时：Q3导通，Q301开启，Q2关闭，由于Q301的Ron很小，那么VDD_INAND=VCC_1V2。
在对电源要求严格的情况下，VDD_INAND悬空是比较危险的。

我也有个疑问，若将Q2取掉，在输入为0时，若VDD_INAND不接负载，VDD_INAND会不会等于VCC_1V2+0.7V，0.7V为P-MOS管反向二极管的压降。

Vincent.M · 发表于 2013-4-20 23:17

留爪，待高手解释，一般我都是用不到Q2这个位置的。

eng · 发表于 2013-4-21 12:10

本帖最后由 eng 于 2013-4-21 12:18 编辑

Q301截止后，Q301 G极高电平，Q2导通， Q2起到快速放电作用，可以快速放掉电源电容残余电量，有部分单片机当电容电量不能放完，接近单片机临界复位电压，再上电容易造成单片机死机，这个电路等同于在单片机电源并联一个放电电阻。

嗯哈 · 发表于 2013-4-21 16:33

eng 发表于 2013-4-21 12:10 - c2 H8 _: Q2 I
Q301截止后，Q301 G极高电平，Q2导通， Q2起到快速放电作用，可以快速放掉电源电容残余电量，有部分单片机 ...

这个电路出现了一个问题！当输入为高（3.3V）的时候，输入信号出现了震荡。后来将R331改为100K，以后就好了！这点改如何解释了？

qiangqssong · 发表于 2013-4-22 17:40

同意4楼的观点!!!

伊蚊 · 发表于 2013-4-26 15:48

有道理啊，学习啦

zhaollcheng · 发表于 2013-4-26 20:45

"当输入为高（3.3V）的时候，输入信号出现了震荡。后来将R331改为100K，以后就好了",是,这点改如何解释了

eng · 发表于 2013-4-29 08:59

留意C103 ，C103 上电需要充电，这个有个时间，在此过程中如果R331阻值过大，会出现这种情况，如果对静态电流要求不敏感，那就将R331减小，建议用10K

kevin.xia · 发表于 2013-4-29 09:58

Q2 mos有没有画错？请再次确认电路是否正确...

sunnysun · 发表于 2013-5-3 16:39

eng 发表于 2013-4-29 08:59 4 u8 Z) F+ d3 E8 ^8 t, p8 M
留意C103 ，C103 上电需要充电，这个有个时间，在此过程中如果R331阻值过大，会出现这种情况，如果对静态电 ...

大侠，应该是将R311的阻值减小吧，
另外，为什么将R331的阻值改为100K后，输出就稳定了呢？

iuven · 发表于 2013-5-9 17:43

输出震荡应该是Q301没有完全导通，处于临界状态，此现象应该是C103放电回路造成。

antoni2011 · 发表于 2013-5-12 20:05

减小R311 ，增加R331 考虑 Q2 寄生参数

超級狗 · 发表于 2013-5-13 00:57

本帖最后由超級狗于 2013-5-13 00:58 编辑

NMOS FET Equivalent Circuit

{:soso_e110:}

嗯哈 · 发表于 2013-5-20 09:42

kevin.xia 发表于 2013-4-29 09:58
5 p' u/ @8 _- a% F1 u" wQ2 mos有没有画错？请再次确认电路是否正确...

Q2的确是画错了！但D,S,G没有标错！

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