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关于DDR3 时钟线上的电阻电容的作用

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1#
发表于 2012-12-7 16:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位大侠:
) q7 i) \  b7 E9 D 请教一个问题,关于DDR3 时钟线上的匹配电容,这个电容的作用。我现在做的是4片DDR3,一般情况下去掉C63这个电容或者上这个10pF的电容,DDR都能跑起来,速度的话跑480M也没有问题,但有时候,某些PCBA上就需要匹配这个电容,加上这个电容可能效果不怎么好,去掉效果更加。有时候某些板却要匹配更小的电容,才能下载。关于这个问题,一直很困扰我。有两点很困惑:
7 ~) b  j& L/ a1 ?( @6 H4 K2 L
" k& L+ Q1 M/ g% @& ^0 y8 R" Q1、这个电容的作用,电容的大小对DDR的影响?5 q" e* A% }! o, K: q

1 U  g  M' h2 s. `2、为什么某些PCBA需要去做这样的匹配,DDR才能跑起来,并且电容的值还不一定相同?5 a% S  J% E/ ]
8 s3 J  }5 e/ J9 t! L" m
对这部分电路确实还是很迷惑......

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image001.jpg

本帖被以下淘专辑推荐:

  • · DDR3|主题: 2, 订阅: 0

该用户从未签到

2#
发表于 2012-12-7 16:31 | 只看该作者
我的理解是消除差模干扰

该用户从未签到

3#
发表于 2012-12-9 18:19 | 只看该作者
1. 这个电容主要是消除DDR CLOCK的OVERSHOOT AREA, 以满足JEDEC的要求;
9 ~9 Y# Q4 K) ^8 C2. 我觉得去掉这个电容,DDR都能跑起来,只是overshoot多了一些,内存芯片热一些的区别,这个电容应该放在内存的接收端,而且,如果480Mhz的DDR3,以我的经验来看10p还是大了一些,应该3-5pf会好一点,大了就有点过了。电容当然和频率有关系,不同频率用的值应该不一样,具体值要看测试结果。

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该用户从未签到

4#
发表于 2012-12-10 15:04 | 只看该作者
个人认为此电容与前面电阻一起构成L型滤波电路,可以滤除一些高干扰和高频过冲等,使信号时钟信号波形更好!!!

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5#
 楼主| 发表于 2012-12-11 23:14 | 只看该作者
xin_515 发表于 2012-12-7 16:31
' V" t3 ~) J/ }; d2 C我的理解是消除差模干扰

. Z) z2 `7 P: s1 ]6 }0 { 哦,那电容的大小取值方面有什么讲究么?

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6#
发表于 2012-12-12 09:17 | 只看该作者
czypf 发表于 2012-12-11 23:14 # H' w- d, s6 ^# P
哦,那电容的大小取值方面有什么讲究么?

! S( V: N& \  f$ p0 H- Z应该就是几PF就可以了。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-11-26 15:28
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    [LV.1]初来乍到

    7#
    发表于 2012-12-20 09:23 | 只看该作者
    文章不错,学习了!

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2012-12-24 12:58 | 只看该作者
    了解一下,深度不懂

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2013-1-2 17:23 | 只看该作者
    学习了

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2013-1-10 00:32 | 只看该作者
    多谢分享!
  • TA的每日心情
    郁闷
    2025-4-28 15:02
  • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II

    11#
    发表于 2013-1-10 11:30 | 只看该作者
    各位我认为电容它就是个随着频率改变的阻抗,给不同频率成分做了不同差分匹配呀,频率越大,意味着容抗越小呀,想想大家应该能明白是咋回事,不想电阻跨接,它是全频段的。

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2013-1-11 08:42 | 只看该作者
    part99 发表于 2012-12-9 18:19 1 z% O" k0 y+ s; }  ~- x& R# g) y
    1. 这个电容主要是消除DDR CLOCK的OVERSHOOT AREA, 以满足JEDEC的要求;
    5 E! z; G  [$ A$ r' q* ]2 H) A6 G" [2. 我觉得去掉这个电容,DDR都能跑 ...
    . v1 U- u4 o; W- }# u
    我们一般在CLK上是串R,在两个差分线上预留一个位置,不过不是放C,而是放R,做到阻抗匹配。特别是两层板的时候。

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2013-1-12 15:30 | 只看该作者
    电容应该是消除差模噪声,而电阻如果是串联的话应该是满足阻抗匹配。如果是上拉,那就是ODT,(这个是用于memory down的情况);
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