TA的每日心情 | 开心 2021-5-5 15:01 |
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主要特性与技术指标 先进设计系统(ADS)2012 包含以下最新的增强功能:6 s" n* A2 P; [' v" {
" Q0 @1 o2 J6 r# u" u3 ~3 d% y- S•针对射频功率放大器设计的技术突破和创新 —— 包括多芯片模块电磁场 FEM 仿真、为新的 Agilent NeuroFET 模型提供支持、新型电热仿真器、ADS 负载牵引和放大器设计指南的多项更新。 u/ M8 M; V1 S2 @* i! b
•可用性改进 —— 包括轻松共享工作区(归档/解档)、停靠窗口、高效的搜索和导航功能、三维电磁场元器件集成。5 J5 z4 b: \' ]- F4 p2 X: [! M
•提高与 EMPro 的整合程度 —— EMPro 2012 包括与 ADS 2012 的进一步整合,以及对仿真器的多项增强,以便改善产品性能和加快产品开发。
6 ^( u9 S& L1 T; B + v, D. f& _% i, R% O. `) M
描述
* r& E# Z( u* ?安捷伦先进设计系统(ADS)2012 具备新的功能,可改善所支持应用的工作效率,并为 GaAs、GaN 和硅质射频功率放大器多芯片模块设计提供突破性技术。4 Y# z( ^4 S( L
: R; i( N! n$ f3 _
技术突破和创新- \% z9 ?% r* n! {2 A/ o
; P2 z7 D2 ~8 ?
针对射频功率放大器设计的技术突破和创新包括:
5 a' C" s" i }' X6 U2 V" M
6 M/ v; A3 U8 f•多芯片模块有限元方法(FEM)电磁场仿真可以分析 IC 和互连之间的电磁场交互,典型多芯片功率放大器模块中的导线焊接和倒装芯片焊接凸点。
Y9 u0 x! q; H•针对新型人造神经网络的 Agilent NeuroFET 模型(通过 Agilent EEsof IC-CAP 器件建模软件提取)提供模型支持,获得更精确的 FET 建模和仿真结果(例如大功率 GaN FET 放大器)。
X, v' d& { J- d) X•提高与 Electromagnetic Professional(EMPro)软件的整合程度。EMPro 中的三维电磁元器件现在可以另存为数据库单元,直接在 ADS 中使用。
" \2 |: K% u' _1 y. l c4 a [•新型 ADS 电热仿真器。它以整合到 ADS 的全三维热求解程序为基础,结合了动态温度效应,以提高“热感知”电路仿真结果的精度。+ P b( e1 l) g" M; k- B, K1 ?
•ADS 负载牵引设计指南增添了多项更新,包括失配仿真,用于表示器件或放大器对负载 VSWR 或相位角的灵敏度。7 }% X& }# _1 w- T4 c; z
•放大器设计指南增添了多项更新,可轻松查看在特定输出功率或增益压缩上的放大器性能。
$ m) T2 }( Z5 k; ?. P3 ^5 a, R5 L更多新的功能7 F* Z1 ]3 p3 [; R. b* E4 e% z7 h/ t
1 u3 U& j* D3 G- a I用户界面和设计管理
" X" w8 G" Z/ z% U
* E# E4 P" |* E4 Z8 m! b•停靠窗口和选项卡式窗口以及对话框% D7 q& E9 W6 @
•元器件搜索——快速查找设计层中的对象/ r1 m" Y) M- |7 y
•网络领航员——确认节点连通性
3 w. e% V2 O1 S7 J# h3 I! X: u0 w•灵活的归档和解档——实现工作区的资源共享" O! A! n1 t, V! H- J% S
•增添了数十种原理图和版图用户界面改进
- e x3 |1 k6 g& d•支持第三方设计管理/版本控制工具(Cliosoft)
# C! X3 @/ t9 d: {版图! {0 T/ a* @3 W# B z- ^: U
5 J' l9 k# Q: t/ Y# z•创建多层互连——复制和扩大简单与复杂的结构
3 |4 E: U" m1 @4 a& j- J* z•把元器件锁定在固定位置& O; G$ R" Z7 Z8 \, d
•标尺和尺寸线的改进
/ \- n' E5 I9 a) i•ADS 台式 LVS 的改进
! H2 A6 L L* i+ F$ C•版图命令行编辑器——启用 cookie 剪切器,能够移除版图中的全部导线
- L7 m& r$ h" U$ \& h; W仿真
5 Z7 D7 `' |# i/ h( g/ K6 K% S! `; i1 @- C# p0 j+ p7 e
•更快的线性速度——自动启用线性控制器中的线性网络人字板(Linear Network Collapser)3 u; a2 X' f$ n. K- W
•改善聚合/扫描特性——如果遇到聚合问题,忽视并继续操作! H$ S. t6 T6 |+ f
•并行计算——更快速的瞬态 GPU、仿真管理器使用瞬态/聚合 8 个一组许可证对并行仿真器进行设置和控制 }: x3 _8 r, F/ Q+ l) y$ I
提高与 EMPro 的整合程度
6 t! R4 n3 F. w8 d- G2 S2 h# S+ e2 |) r" |- m# d$ V/ c8 H9 z
•与 ADS 进一步整合—— 通用数据库允许您将三维元器件内置 EMPro 直接放置到 ADS 原理图和版图中。EMPro 与 ADS 共享数据库,为两者的更紧密整合奠定了基础。EMPro 中的三维对象可以另存为 ADS 设计数据库中的“元件(cell)”,直接在 ADS 中使用。例如在 EMPro 中创建的 3-D SMA 连接器元件,其“元件视图”现在可以直接放置到 ADS 原理图中进行电路/电磁协同仿真,或放置到 ADS 版图(例如用于射频印刷电路板)中,在 ADS 中进行全面的三维电磁仿真。直接集成可优化设计流程,使电路设计人员能够更早地使用全面的三维电磁场建模能力。只有 ADS 2012 才能提供三维电磁场分析和射频/高速产品设计之间的这种互操作性。) s) M) k6 x% d
•全新低频分析算法——改善 <100 MHz 的仿真精度(包括直流 DC)。高频电路仿真需要在直流和低频范围内生成精确、稳定的结果。EMPro 2012 还将在电磁仿真技术方面引入多项改进。全新低频分析算法可改善有限元法仿真在 100 MHz 以下(包括直流)的仿真精度。以前的 FEM 求解程序很难在直流和低频范围内生成精确、稳定的结果,无法满足后续的电路仿真甚至更高频率应用的需求。
, X& i- J( x& F) P: I8 ~•FEM 网格技术使速度提升 50%——安捷伦还提供增强的 EMPro FEM 网格技术,以便提高速度(通常加快 50%)和稳定性。: f9 D* [/ }) r- ?- x
ADS 2012 即将上市!3 j( I8 n+ r i* A
* V9 N! Q) l) y3 v4 j( gADS 2012 预计在 2012 年 10 月开始发运。点击试用和许可证选项卡,下载软件和/或申请免费试用。如欲了解该版本增添或改进的特性与功能,请参见先进设计系统 2012 更新。! k! u& w8 m2 x: G- Z9 [ }
+ j; z& I! a; }3 B如果您已经准备使用 ADS,请填写并提交演示软件申请表。
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查看其它的 ADS 产品版本。3 V; S \2 a$ k
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