DDR3寄存器

qaf98

5 w; {5 m& h' L4 j9 T& `
最近在测试DDR3寄存器，
4 u' Q* c3 i2 ^) H8 h
6 V* t; P$ e2 t+ e8 @6 ^寄存器设置CPU&DDR3 ODT OFF,
2 H' r0 F( d: ~4 p1：测试发现DDR3 WRITE的PK-PK=2.2v     read==1.4v
0 f3 J. B7 Q; r我感觉write波形幅度太大，仿真发现如果ddr3 ODT==60ohm, 电压幅值会减小到1.5v,看规范也是满足要求的。
# N6 g! l; a! k, l4 `5 N( N" C9 k
故我去调节MR1 第9 6 2位，发现改后都没变化。
3 E: |9 f8 p" Y5 K6 y" ^/ B
# @7 s0 x, d3 d# @5 s+ }1 E! W% k不知还需要改什么寄存器。请高手指点。

willyeing

DDR3颗粒上的ZQ有没有电阻240R到地呀，如果这个没有咋调节都不会有的。

willyeing

好像没有了，还有就是初始化时序不对，还有测量一下ODT控制信号是否会出现高电平，或者直接把这一位拉高，看是否有变化。

jknothing

我的理解是，对于DDR3。如果你需要调整write level,则需要调节的是CPU这端的输出阻抗（DRV），对应DDR端的ODT的值只是起阻抗匹配的作用（影响较小）
如果需要调整的是read level，那么如果调节的是DDR端的ZO(这个输出阻抗一般都只有34和40两个值，通常设34达到最大输出），CPU端的则是调节是ODT的值（也是起阻抗匹配的作用）

qaf98

调出来了，设定ODT 值后，还有enable 寄存器。
  m. _( l6 J/ N5 F8 B3 h
jknothing 的建议，我太赞同。
: D, b9 v' u3 S6 ]ODT的影响还是很大的，电压幅值差值达到几百MV哦，这对SSN也会影响较大。

gavinhuang

看不太懂楼主的问题，不过把我对DDR3的一点了解说一下吧，仅供参考：
不过我觉得先要分清write level和read level指的是谁向谁写，从哪里读吧？一般的，write level指的是CPU向内存颗粒写，read指的是CPU从内存颗粒上读东西。
1. write时，CPU端的ODT为disabled，也就是 ODT OFF，内存颗粒上 ODT 为enable，具体的阻值依情况而定，CPU的design guideline会有相应的介绍吧
: w: O) k0 o- @2 B7 n. }* _2. read时，CPU端的ODT为enable，阻值也是依情况而定，而内存颗粒上ODT disabled
所以你write时，在内存颗粒ODT为enable的情况下，调节其ODT值，电压幅值的变化应该比较明显

再次声明，仅供参考，希望没有误导你

jknothing

可能我的原话有点问题，ODT的值一般来说在四层及以上板的设计中都是60或是75欧（CPU及DDR端）因为PCB的DDR处的走线差不多特性阻抗就是这个值，当然像六楼所说，如果说你调ＯＤＴ的值的话。幅度会有变化。可是这种变化由于阻抗不匹配，容易造成信号的过冲及失真。最好是通过示波器观查波形来得到正确的结查，不过一般来layout没有大改，板层结构没有大变的情况下是不需要调节的。所以我们一般都不调节ODT的值。在DDR3里。常规的做法是调ODV,也就是CPU端的输出阻抗，这个阻抗越小，输出驱动就越大（在写周期）信号幅度就越大，可是功耗也就大了。
: A& U. L, z% u+ M3 d2 ^3 ]所以一般来说。我们都不去调ODT及ODV的值，只是在信号完整性很差的情况下板子不稳定的情况才会去调试用。然后更新PCB。 一家之言，供参考。

eda-chen

gavinhuang 发表于 2012-11-9 23:19
4 t: S# g. J) C" V6 D' P看不太懂楼主的问题，不过把我对DDR3的一点了解说一下吧，仅供参考：
不过我觉得先要分清write level和rea ...

难道仁兄也是hyperlynx出生？？哈哈，{:soso_e181:}