东芝推出采用最新一代工艺技术的100V N沟道功率MOSFET

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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式出货。

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100V U-MOS11-H系列优化了器件结构，进一步改善了U-MOSX-H系列的漏源导通电阻（RDS(ON)）、总栅极电荷（Qg）以及这两者（RDS(ON)×Qg）之间的平衡，从而降低了导通及开关损耗。

与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低了约8%，Qg降低了37%，RDS(ON)×Qg改善了42%。此外，它还可通过应用寿命控制技术[2]实现高速体二极管性能，从而降低反向恢复电荷（Qrr）并抑制尖峰电压。与TPH3R10AQM相比新产品的Qrr改善约38%，RDS(ON)×Qrr改善约43%。这些业界领先[3]的RDS(ON)×Qg和RDS(ON)×Qrr平衡特性[4]可最大限度降低功耗，从而提高电源系统的效率和功率密度。新产品还采用SOP Advance (N)封装，具有与行业标准高度兼容的贴装特性。

东芝现在还提供以下两款电路设计支持工具：可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型，以及可精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

未来东芝将继续扩大其低损耗MOSFET的产品线，为实现更高效的电源以及降低设备功耗做出贡献。

• 应用：
• 数据中心和通信基站等工业设备的电源
• 开关电源（高效率DC-DC转换器等）
• 特性：
• 低漏源导通电阻：RDS(ON)＝2.7mΩ（最大值）（VGS＝10V、ID＝50A、Ta＝25°C）
• 低总栅极电荷：Qg＝52nC（典型值）（VDD＝50V、VGS＝10V、ID＝50A、Ta＝25°C）
• 低反向恢复电荷：Qrr＝55nC（典型值）（IDR＝50A、VGS＝0V、–dIDR/dt＝100A/μs、Ta＝25°C）
• 主要规格：
  

（除非另有说明，Ta＝25°C）

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注：

[1] 截至2025年9月，东芝的低压功率MOSFET工艺。东芝调查。

[2] 寿命控制技术：利用Pt扩散工艺在半导体中引入缺陷，故意缩短载流子寿命，可提高开关速度，进而可提高二极管的恢复速度并降低噪声。

[3] 截至2025年9月，与其他适用于工业级100V N沟道功率MOSFET相比。东芝调查。

[4] RDS(ON)×Qg＝120mΩ·nC（典型值），RDS(ON)×Qrr＝127mΩ·nC（典型值）