SK海力士量产321层QLC NAND闪存

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SK海力士株式会社（SK hynix Inc.）宣布，已完成321层2Tb QLC NAND闪存产品的开发，并已启动量产。这一成就标志着全球首次采用QLC技术实现超过300层的堆叠，为NAND闪存密度树立了新的行业标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年推出该产品。321层QLC NAND在容量和性能方面均优于之前的QLC产品。数据传输速度翻倍，写入性能提升高达56%，读取性能提升18%。此外，写入功耗效率提升超过23%。（美通社）

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为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，SK海力士将其容量相比现有产品翻倍，达到了2Tb。一般来说，NAND闪存容量越大，单元中储存的信息越多，并且存储器管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此SK海力士通过将NAND闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。
SK海力士计划首先用在PC SSD上，然后逐步扩展到面向数据中心的eSSD和面向智能手机的UFS产品。此外，SK海力士也将基于堆叠32个NAND芯片的独有封装技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。
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