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怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态?有哪些简单的办法可以量测出来

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 楼主| 发表于 2025-4-7 19:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态?有哪些简单的办法可以量测出来 1 W( z3 s% \; N2 @

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发表于 2025-4-8 07:40 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 07:42 编辑 3 N9 i0 \, x( |4 L

, {9 k! E: t! P0 `& M/ V; d
MOSFET 工作在飽和區Saturation Region的條件是:: N3 {7 M% V  z7 n
2 Q& {6 k$ W3 d* j( G
VDS VGSVth
. j; {) x" K5 s/ u8 J
其中:
  • VDS​:漏極對源極的電壓
  • VGS​:閘極對源極的電壓
  • Vth​:MOSFET 的臨界電壓Threshold Voltage. [1 M( o! E* I/ E* D/ R

    7 o. D! l0 {4 {; H/ x. V% r

% }* y9 i2 @) c! M: X) P; D  r

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反对!: 5.0
如果不符合这个条件 就是没饱和咯  详情 回复 发表于 2025-4-8 14:32
点成反对了。。。  详情 回复 发表于 2025-4-8 14:28
反对!: 5
  发表于 2025-4-8 14:27
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V,10V的内阻。信号mos还看个2.5V 按这个说法,gs给10V,d没有电压不算导通吗?  详情 回复 发表于 2025-4-8 08:29

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发表于 2025-4-8 11:01 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 11:03 编辑
% L! F. \$ M% M, d' Y
超級狗 发表于 2025-4-8 07:48# z- i  P) ?4 [3 ]9 e
暗蝦密(On-Semiconductor)的文檔!
0 _7 w  x9 {- b% h! M2 l
1 u4 p* b( C, ?# Y: c原文

: i2 g2 u2 X& N暗蝦密On-Semiconductor)文檔裡面的這張圖,也是很不錯啦!0 G# W& `  ]# R
. T9 {, e" {. I! ]& W

) w+ G. E, X1 D) [7 a

Linear Region v.s. Saturation Region.jpg (46.94 KB, 下载次数: 1)

Linear Region v.s. Saturation Region.jpg

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  发表于 2025-4-8 14:30

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发表于 2025-4-8 10:11 | 只看该作者
huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
+ @5 V( N  k1 I我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。
8 W8 i, K6 D1 G2 }9 n以nmos常规应用low side为例,导通后d ...
6 h9 F6 a& s' n5 t2 X! }
你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
  B" C6 O, R4 G& o比如电子负载
1 l" v  ?* K4 g, O  v

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我其实也是这个意思,饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景,只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性  详情 回复 发表于 2025-4-11 14:31

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5#
发表于 2025-4-8 07:48 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 07:56 编辑 ; J# k6 ^' B6 r* }0 H
+ v. P7 y5 ~1 C/ c3 I1 P3 h
暗蝦密On-Semiconductor)的文檔!3 R& p! a0 N, F" G/ a& ?
( S$ Y" v  T+ m* r
原文
" p" y( e5 w" \5 Y# N8 {
MOSFET saturation mode is defined as operation with high VDS, specifically where VDS > (VGSVth).
* y5 T( T- _) h- D1 o4 o& J5 d
8 T$ c2 z3 o- m/ `# X  x3 E( L

6 L4 ~+ B# Y& P% L! K

AND90187-D.PDF

1.91 MB, 下载次数: 10, 下载积分: 威望 -5

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暗蝦密(On-Semiconductor)的文檔裡面的這張圖,也是很不錯啦!  详情 回复 发表于 2025-4-8 11:01
安森美????  发表于 2025-4-8 08:55

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6#
发表于 2025-4-8 08:29 | 只看该作者
超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
) y3 |9 s% f. L4 ~! |5 r# yMOSFET 工作在飽和區(Saturation Region)的條件是:
; y/ k0 v8 r) T# p. d& T; _; [/ E/ F
V ≥ V​ − V​
+ [. e. _- @7 J
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V,10V的内阻。信号mos还看个2.5V
5 ~& P$ I  A5 M! n" o( G按这个说法,gs给10V,d没有电压不算导通吗?1 q. H- g4 ^6 H

点评

通肯定是通的,题主不是点名饱和区了嘛,那就涉及mos的输出特性曲线了,Vgs只是让反型层达到最大,此时流通能力达到最大,但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响  详情 回复 发表于 2025-4-8 09:29
  • TA的每日心情
    无聊
    2025-7-15 15:03
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    [LV.3]偶尔看看II

    7#
    发表于 2025-4-8 09:29 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-4-8 08:29- m" ?5 J  j! m# ?# a6 ~) Q
    涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V,10V的内阻。信号mos还看个2.5V
    $ o; F$ c# h: }5 a按这个说法,gs给10V,d没 ...
    1 Q0 O6 D* w2 o, C) Y$ @1 j* D
    通肯定是通的,题主不是点名饱和区了嘛,那就涉及mos的输出特性曲线了,Vgs只是让反型层达到最大,此时流通能力达到最大,但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响
    ! ^0 b" o6 D$ @0 G

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    我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。 以nmos常规应用low side为例,导通后d和s都是gnd,没有电压的  详情 回复 发表于 2025-4-8 09:34

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2025-4-8 09:34 | 只看该作者
    Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29
    # k* f; S0 K% j, M: y通肯定是通的,题主不是点名饱和区了嘛,那就涉及mos的输出特性曲线了,Vgs只是让反型层达到最大,此时流 ...

    ' p. K' r0 t* M6 j- C我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。
    $ F4 ^6 _1 G. O. g* [以nmos常规应用low side为例,导通后d和s都是gnd,没有电压的
    0 d: R: F8 w% `( W5 Z* L

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    Vgs > Vth后,Vds < Vgs - Vth 是线性区,Vds ≥ Vgs - Vth才是饱和区。  详情 回复 发表于 2025-5-15 10:44
    MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的,或稱為 SMU(Sorce Meter Unit)。 了解這些參數是怎麼量測的,就能解開大家的疑惑。 狗弟收藏的這篇文章,能算是珍品!  详情 回复 发表于 2025-4-8 10:38
    你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。 比如电子负载  详情 回复 发表于 2025-4-8 10:11

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    9#
    发表于 2025-4-8 10:38 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 11:41 编辑 $ S( e, p7 ~! U3 H
    huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34$ [+ C  q% g$ T' @7 z
    我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。
    ) N1 F) E( k8 s9 x9 _  ~) P以nmos常规应用low side为例,导通后d ...
    5 k( d6 {& S8 [3 U  X
    MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的,或稱為 SMUSource Meter Unit)。
    6 l! s+ D5 u, [3 x- L" [$ S( Z
    - z& C0 h, Y7 E9 t了解這些參數是怎麼量測的,就能解開大家的疑惑。  R  h8 A& e$ m: L, D" T7 o! A
    . w) b; Y4 ^) s; ?' ]5 D5 H/ D; M7 B8 u
    狗弟收藏的這篇文章,能算是珍品!1 ?& |- P7 R# F* J, m

    ; V6 T- Q9 g* S# D! ^. K7 j. s) _) \/ J2 z

    MOSFET Vds v.s. Id Measurement.jpg (34.86 KB, 下载次数: 4)

    MOSFET Vds v.s. Id Measurement.jpg

    1KW-60515-0 PowerSupply Design Poster.pdf

    414.68 KB, 下载次数: 6, 下载积分: 威望 -5

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    好漂亮的畫面!  详情 回复 发表于 2025-4-8 13:10

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    10#
    发表于 2025-4-8 13:10 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-8 10:382 @8 w. X+ c3 Y/ f
    MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的,或稱為 SMU(Source Meter Unit)。
    ( b1 @% r% t8 O6 D7 \3 n1 L! _- i3 J  ]; ]. o8 C
    了解這些參數是怎 ...

    3 q2 I* m! n, p2 t/ F& h5 f1 h好漂亮的畫面!
    % y7 ~3 |/ h; ^* C: V9 {+ y5 |% b( E  u: k8 W3 }4 h

    Keithley SMU.jpg (41.84 KB, 下载次数: 2)

    Keithley SMU.jpg

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    谢谢分享!: 5.0
    这些理论东西容易误导人,特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。 实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通  详情 回复 发表于 2025-4-8 18:59
    谢谢分享!: 5
      发表于 2025-4-8 14:31

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    11#
     楼主| 发表于 2025-4-8 14:28 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
    & ?( k- {' B9 d( J8 p% o' G# N8 UMOSFET 工作在飽和區(Saturation Region)的條件是:
    2 v/ r3 S# V% L, \
    , N# o) B9 P. E& B  w# I* w9 qV ≥ V​ − V​

    8 p# t* A) _$ j% e6 @$ {点成反对了。。。$ I7 R6 V: y# G" |

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    谢谢分享!: 5.0
    谢谢分享!: 5
    你儘量反對,人工智能和美帝大廠說的,又不是我講的。^_^  发表于 2025-4-8 14:53

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    12#
     楼主| 发表于 2025-4-8 14:32 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
    . ~& Q! w0 I8 [: J! cMOSFET 工作在飽和區(Saturation Region)的條件是:) ?6 B! B6 D9 o4 D

    5 {# o- z" i- T/ D) u% lV ≥ V​ − V​

    # s) h& I* G& X; h! J5 ~如果不符合这个条件  就是没饱和咯
    " l& m5 D! j! ~* B9 b6 s

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    谢谢分享!: 5
    你問我定義、我就回你定義;想幹什麼、你也從未說過。MOS 管的飽和區和線性區,分別有不同的特性及作用。^_^  发表于 2025-4-10 07:51

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    13#
    发表于 2025-4-8 18:59 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-8 13:10
    & I$ j# n; z  Y( B+ W& Q. Y# _: A! |好漂亮的畫面!
    1 y+ ~/ c* Q  j1 J2 \' v' t
    这些理论东西容易误导人,特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。! ]6 \# w- G, _3 k: s1 C4 |( U
    实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通2 D% U; T3 u  L+ F5 h3 X4 K

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    谢谢分享!: 5
    以後哥就叫「暴龍」了!^_^  发表于 2025-4-9 12:00
  • TA的每日心情
    无聊
    2025-7-15 15:03
  • 签到天数: 7 天

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    14#
    发表于 2025-4-11 14:31 | 只看该作者
    myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11
    0 [  X; x' k* N你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
    % d% N+ S' K. C3 M7 ~比如电子负载
    0 i& |$ Q6 G1 B( L# L7 M) Y
    我其实也是这个意思,饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景,只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性
    # X4 }* e, `/ W; [

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    15#
    发表于 2025-5-8 18:06 | 只看该作者
    路过,看不懂。

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    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 坦白從寬,抗拒從嚴!

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