怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来

QWE4562009

怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来

超級狗

1 n; j4 o1 |7 |2 k# K% [; P

MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：

# R) W; K, {: P) y6 lV_DS ≥ V_GS​ − V_th​

其中：

• V_DS​：漏極對源極的電壓
• V_GS​：閘極對源極的電壓
• V_th​：MOSFET 的臨界電壓（Threshold Voltage）
  
  
  3 g7 e! ]9 e) \8 k8 D: @

超級狗

) \2 T( o1 Z3 N& d2 z" T

超級狗 发表于 2025-4-8 07:48
5 Q6 M% V6 y+ q5 l, {暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！

2 y8 P) }! |6 g. {3 K原文

暗蝦密（On-Semiconductor）文檔裡面的這張圖，也是很不錯啦！

: J! J0 S, z$ \, a
  P/ f! B* V# Q# [3 _2 ~# v! x

myiccdream

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
2 M* `. m% U( ~) _以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

5 T+ P) S8 n) G, H你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
+ F% w  ^2 L: o( v比如电子负载

超級狗

. b. z1 n8 U0 w# l) @
暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！
- P& n. v+ o2 D( i0 ^
9 c3 b8 R6 \! N5 w8 l, \原文
MOSFET saturation mode is defined as operation with high V_DS, specifically where V_DS > (V_GS − V_th).


" f/ g- Z3 F, C$ ?1 i, ?6 y
. r1 j. G6 H0 a7 ^( A

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
: t. v( j3 m6 e0 F
' O. Q' r  N! \6 G! rV ≥ V​ − V​

涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
, j- b7 I& z/ h( X0 [3 ]按这个说法，gs给10V，d没有电压不算导通吗？

Dc2024101522a

huo_xing 发表于 2025-4-8 08:29
; m6 q; U: V0 L! O) k2 U3 b涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
0 O4 h, u* _1 y( E按这个说法，gs给10V，d没 ...

+ k7 q/ J1 Z* B$ |2 c通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流通能力达到最大，但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响

huo_xing

Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29
3 q. }; l% x; L( c1 R通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流 ...

我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
以nmos常规应用low side为例，导通后d和s都是gnd，没有电压的
( b' m8 S' @, v$ D5 e

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huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
! x0 ]9 T" s" O0 x  @5 g" d. L% V我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

! q3 Z9 ?) w7 r) s6 K# g! YMOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。
# V% D7 K. |6 b9 N. f1 X
了解這些參數是怎麼量測的，就能解開大家的疑惑。

狗弟收藏的這篇文章，能算是珍品！
5 C: ?" b( f" p% a  n: j7 w4 f

超級狗

超級狗 发表于 2025-4-8 10:38
' L. Y/ B8 x9 {6 p3 f0 Y/ m/ ]MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。
7 f) J2 x- l( H6 ?4 D
2 i0 h$ B+ g( K& ?了解這些參數是怎 ...

好漂亮的畫面！
9 n4 B! z6 z9 k
) B. C) A/ ~* Q; P6 |7 ~! b; M

QWE4562009

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
' x5 T' B/ ^4 H
V ≥ V​ − V​

点成反对了。。。

QWE4562009

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
6 h- ?- o7 b5 b' k5 C$ N: Q8 y5 N' \MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：

: o: b6 B4 p) h4 C9 \2 W/ Z1 U* \V ≥ V​ − V​

3 q9 u+ Z( I# ^: s4 Y; W如果不符合这个条件  就是没饱和咯
2 P$ s, Z7 d8 q" ^( [, U* z( B

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 13:10
/ E+ G3 B7 ~/ \好漂亮的畫面！

: v& I) `  L& R这些理论东西容易误导人，特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。
实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通
* D% [8 p# ~/ n$ h

Dc2024101522a

myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11
* Y8 ?$ W' [3 _; q; E; b5 }你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
比如电子负载

我其实也是这个意思，饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景，只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性
0 x4 U" T' D1 a) J, ^5 {2 C

clp783

路过，看不懂。