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怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态?有哪些简单的办法可以量测出来

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 楼主| 发表于 2025-4-7 19:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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发表于 2025-4-8 07:40 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 07:42 编辑 ) \9 |) w3 h/ d# i; W
4 [; I9 F# }5 t- A) V) W
MOSFET 工作在飽和區Saturation Region的條件是:- F1 p4 E" I/ T! b* W1 p
( l; R% v; G/ r; a" f; S
VDS VGSVth

0 \* w3 R9 r. g, Z0 i2 V% Q% @; B其中:
  • VDS​:漏極對源極的電壓
  • VGS​:閘極對源極的電壓
  • Vth​:MOSFET 的臨界電壓Threshold Voltage& r1 ]( W4 o; _6 u: b+ Z2 \

    5 A. \6 g- Z  D  E+ W5 [2 j* Z
- j" P5 e  h2 y9 {

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  发表于 2025-4-8 14:27
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V,10V的内阻。信号mos还看个2.5V 按这个说法,gs给10V,d没有电压不算导通吗?  详情 回复 发表于 2025-4-8 08:29

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发表于 2025-4-8 11:01 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 11:03 编辑 ! ]# m3 s% x$ }% M& K
超級狗 发表于 2025-4-8 07:48
: A) J. @5 o9 {; \. F暗蝦密(On-Semiconductor)的文檔!
+ u; t9 k. \& r! x1 ^' O
6 `3 _5 e0 M* {4 Q  O$ d原文
. p. {# R4 N8 V: P; t
暗蝦密On-Semiconductor)文檔裡面的這張圖,也是很不錯啦!
' D8 Z+ f! L3 o6 s& Z5 {3 L, v
. u% s' g7 _# `6 E' O9 R
- u" H6 d' X4 }  P2 |: h9 X

Linear Region v.s. Saturation Region.jpg (46.94 KB, 下载次数: 10)

Linear Region v.s. Saturation Region.jpg

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  发表于 2025-4-8 14:30

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发表于 2025-4-8 10:38 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 11:41 编辑
) a9 A! H% m6 X& [2 u
huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
0 s# ^0 y0 z1 i) i我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。( ]) v, s! W8 g
以nmos常规应用low side为例,导通后d ...

0 e9 N& Z2 L, g( u3 rMOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的,或稱為 SMUSource Meter Unit)。
0 {$ `0 @9 M9 Z/ m# @
  M; m+ D- S& r  N* Y4 L& H了解這些參數是怎麼量測的,就能解開大家的疑惑。
: _4 j6 c) Q- v* p3 L& n) @: m8 B4 I. n6 v, e9 H
狗弟收藏的這篇文章,能算是珍品!# X* H* b8 j" e( T1 t2 d
; {. W9 ?4 T- |7 j

9 a- {6 m8 I3 d6 V

MOSFET Vds v.s. Id Measurement.jpg (34.86 KB, 下载次数: 15)

MOSFET Vds v.s. Id Measurement.jpg

1KW-60515-0 PowerSupply Design Poster.pdf

414.68 KB, 下载次数: 10, 下载积分: 威望 -5

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好漂亮的畫面!  详情 回复 发表于 2025-4-8 13:10

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发表于 2025-4-8 10:11 | 只看该作者
huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34& j- ]3 ^) ~2 X4 E3 U" }( M
我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。7 M% `4 u4 c) ]* F/ \
以nmos常规应用low side为例,导通后d ...
+ e8 @$ x3 r1 ^" V/ n) \+ v
你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
2 a0 ?. j/ Q4 a* U, B2 L比如电子负载+ f: r- O+ T9 F4 C5 c! u0 H

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我其实也是这个意思,饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景,只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性  详情 回复 发表于 2025-4-11 14:31

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6#
发表于 2025-4-8 07:48 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 07:56 编辑 # m" @5 N! I- {+ M; ]$ i4 I
  Q7 l6 o- O6 J3 r
暗蝦密On-Semiconductor)的文檔!6 `& T1 q$ T: o) m  e
' G# R4 l% g1 ~/ {% W; \6 k
原文
% c  i' [7 u! w, O% J4 _# Z
MOSFET saturation mode is defined as operation with high VDS, specifically where VDS > (VGSVth).5 T% ~# \$ A: f$ U* p5 g  j

5 M! T8 G% u3 z/ j
. u" T3 r% k& N' A+ o7 f
3 P" o( [& C7 Y4 f4 ~$ B" u

AND90187-D.PDF

1.91 MB, 下载次数: 13, 下载积分: 威望 -5

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暗蝦密(On-Semiconductor)的文檔裡面的這張圖,也是很不錯啦!  详情 回复 发表于 2025-4-8 11:01
安森美????  发表于 2025-4-8 08:55

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7#
发表于 2025-4-8 08:29 | 只看该作者
超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
8 [) y* S% B1 R$ E  v8 b6 E! d( tMOSFET 工作在飽和區(Saturation Region)的條件是:
: F! z  e) B! ~9 E* V+ J
" |7 G, Q1 H6 x, L; wV ≥ V​ − V​

6 r3 A( ?' |% D" y涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V,10V的内阻。信号mos还看个2.5V
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通肯定是通的,题主不是点名饱和区了嘛,那就涉及mos的输出特性曲线了,Vgs只是让反型层达到最大,此时流通能力达到最大,但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响  详情 回复 发表于 2025-4-8 09:29
  • TA的每日心情

    2025-7-22 15:01
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    [LV.3]偶尔看看II

    8#
    发表于 2025-4-8 09:29 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-4-8 08:295 v( _. F# o' {( B5 @
    涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V,10V的内阻。信号mos还看个2.5V
      v& ?5 \; r8 n3 Q* Q' X按这个说法,gs给10V,d没 ...
    " f7 o9 D! z1 {3 V  E; L
    通肯定是通的,题主不是点名饱和区了嘛,那就涉及mos的输出特性曲线了,Vgs只是让反型层达到最大,此时流通能力达到最大,但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响( Z2 W) z  V, ?

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    我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。 以nmos常规应用low side为例,导通后d和s都是gnd,没有电压的  详情 回复 发表于 2025-4-8 09:34

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    9#
    发表于 2025-4-8 09:34 | 只看该作者
    Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29
    9 H& k: `/ r6 u8 K" ~% @. K通肯定是通的,题主不是点名饱和区了嘛,那就涉及mos的输出特性曲线了,Vgs只是让反型层达到最大,此时流 ...

    ; M7 }6 ?0 B! ~& L+ y; R我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。( x% E' ^3 z8 D4 K  T+ l' e, |
    以nmos常规应用low side为例,导通后d和s都是gnd,没有电压的
    % w  {: O, y3 ]. U' w- o7 y6 N& b

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    Vgs > Vth后,Vds < Vgs - Vth 是线性区,Vds ≥ Vgs - Vth才是饱和区。  详情 回复 发表于 2025-5-15 10:44
    MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的,或稱為 SMU(Sorce Meter Unit)。 了解這些參數是怎麼量測的,就能解開大家的疑惑。 狗弟收藏的這篇文章,能算是珍品!  详情 回复 发表于 2025-4-8 10:38
    你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。 比如电子负载  详情 回复 发表于 2025-4-8 10:11

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    10#
    发表于 2025-4-8 13:10 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-8 10:385 z2 w! L, {9 R5 s3 ~
    MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的,或稱為 SMU(Source Meter Unit)。
    6 T+ i" c% n2 _) W0 C% b; ?; ^
    * K+ ~5 Q# t! V. r, ~5 J了解這些參數是怎 ...
    8 `3 a- H% [# [( A+ P
    好漂亮的畫面!
    . y6 y! j; b$ m! q8 F: d% x5 r, d$ R! a( [! j

    Keithley SMU.jpg (41.84 KB, 下载次数: 10)

    Keithley SMU.jpg

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    这些理论东西容易误导人,特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。 实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通  详情 回复 发表于 2025-4-8 18:59
    谢谢分享!: 5
      发表于 2025-4-8 14:31
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    11#
     楼主| 发表于 2025-4-8 14:28 | 只看该作者
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    12#
     楼主| 发表于 2025-4-8 14:32 | 只看该作者
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    13#
    发表于 2025-4-8 18:59 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-8 13:10
    0 K$ h$ m' W5 d好漂亮的畫面!
    7 t5 L( Q: I$ e8 o# C5 G
    这些理论东西容易误导人,特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。3 }! \4 B- y. F- G7 K3 P4 b
    实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通. b8 `6 Q3 C, e- U' K

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    谢谢分享!: 5
    以後哥就叫「暴龍」了!^_^  发表于 2025-4-9 12:00
  • TA的每日心情

    2025-7-22 15:01
  • 签到天数: 8 天

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    14#
    发表于 2025-4-11 14:31 | 只看该作者
    myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11
    3 ^: ]& V4 S  T1 w! i6 H  |你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。8 V7 w) L& ]! H2 z- B+ I) a+ A6 s. P
    比如电子负载

    ' }! {- n; \) {/ ]我其实也是这个意思,饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景,只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性
    % Y" F5 a" J- [0 l0 R9 X2 E1 Q

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    15#
    发表于 2025-5-8 18:06 | 只看该作者
    路过,看不懂。

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