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H6801 芯片关键参数汇总 类别 参数细节 % J; g3 Q8 E( q- V7 R) `
输入电压范围 2.7V ~ 25V(工作范围);启动电压低至2.5V N4 b5 }1 }* K# e4 Z- E
输出电压范围 可调输出,最高36V(需外部反馈电阻设置)
) y7 n; U/ \6 N' d 工作模式 自动切换PWM/PFM/Burst模式,轻载效率优化 . I8 F- f U# ~
开关频率 固定390kHz,支持抖频技术(降低EMI)
* |9 o. z* [ i: T5 r 转换效率 >95%(典型值,取决于外围设计) ( }7 t, J8 |0 s' ~! b! b
待机功耗 EN拉低时,关机电流<2μA
! x& h+ z$ k; S 保护功能 输入过压保护(OVP: 25.2V)、过流保护(OCP)、过温保护(OTP) 1 z5 h; [2 ]9 y9 i4 D+ |
封装形式 ESSOP-10,底部散热片连接GND,优化散热 . X9 g+ Q- d* M" g9 ]3 _
LDO供电 内置40V LDO,增强系统稳定性 引脚功能定义(ESSOP-10封装) 引脚号 名称 功能描述 $ \4 P3 L0 @; Z5 N; L
1 VIN 电源输入,需就近接滤波电容
: }% @- Y; O: J/ l 2 EN 使能端:高电平(≥2V)工作;低电平(≤0.4V)关机
. B: L% }+ y3 e" P+ i5 V 3 SS 软启动控制,外接电容设置启动时间(避免浪涌电流) 1 m# _! A; ]4 [8 D4 M0 E) m1 U7 o
4 FB 反馈端,接电阻分压网络调节输出电压(公式:Vout = 0.8V × (1 + R1/R2)) 0 g9 X! N8 _6 }4 d7 w* ?! X" Z
5 COMP 补偿网络,连接RC电路稳定环路 0 o, A' N0 c: }. T0 U
6 GND 功率地,需低阻抗连接至散热铜箔
4 x3 E* [9 {4 [5 T6 m1 ^; x 7-8 SW 开关节点,连接电感与肖特基二极管
0 m& ]6 z% J1 D% Z( j0 o 9-10 NC 空脚 保护功能详细规格
# U q8 }8 E) h" k. r' ~) _ - 输入过压保护(OVP)
/ H( V7 ^& b6 ~- h: [6 v
- C/ v4 u/ E; v; E ?! J - 触发阈值:25.2V ±5%1 R8 A3 D* n5 A. D' i
- 动作:停止升压,SW端关断,直至输入电压恢复至正常范围。- u, }# T) e( E( W* M+ U
- 过流保护(OCP)
5 T8 W# e+ I; h4 |8 J
D; U- C6 N5 T3 q: |) s3 R8 M - 峰值电流限制:通过外部电感及MOSFET参数设定(需计算电感饱和电流)。# M) z* V1 F! x: v
- 过温保护(OTP)& I, W5 [3 x( A" v0 {; a
E. S% d8 d3 }8 P - 关断温度:150°C(典型值)
( u2 k! h+ y5 u8 A8 S5 P - 恢复温度:125°C(滞后设计,防止振荡)。
6 J1 _0 H" N+ w' {' E d- F/ |# ]# f
设计注意事项
. x' u* y6 D9 }# H! S3 n3 j - 电感选型9 O- M" {, k2 X) O+ F( Q
% o, `7 w% h0 s8 x" D
- 建议使用4.7~22μH饱和电流充足的电感,如铁硅铝磁芯材质,降低高频损耗。; E% W$ A7 A5 e8 Z$ o0 V* v
- 二极管选择
# {" o* l. s4 W+ U
0 _' Y1 J u4 E, _ - 必须采用40V以上肖特基二极管(如SS34),以减小反向恢复损耗。
9 i/ z/ n6 g8 y# {; o/ j0 h - EMI优化
) N/ @8 F; X' r8 ~. q3 R 9 S, I/ e# K- e
- 利用抖频特性,布局时减小SW节点环路面积,必要时添加RC snubber电路。
9 s1 \2 Z H* @' y - 散热设计
: |9 Q* A2 \( O6 d+ J* ]
* Z0 Y: z8 v& _! w1 O$ v$ D$ ` - PCB底部铺设GND铜箔并增加过孔,利用芯片散热片提升热性能。
1 Y& @ p2 W; M0 N0 L m
典型应用电路示例 12V输入 → 24V/2A输出
7 W+ L$ M( y, u - 反馈电阻:R1=28.7kΩ, R2=1kΩ(Vout=0.8×(1+28.7/1)=24V)
: N3 @) m! o0 d1 i. A0 D/ e - 电感:10μH/5A(推荐Coilcraft MSS1048)$ u* {/ j9 |; b
- 输出电容:47μF陶瓷电容(X7R)+ 100μF电解电容(低ESR)$ v* G1 ]8 C- c+ F
应用场景扩展设计 * `/ W, w' R2 R5 Y2 t
- 太阳能供电系统:搭配MPPT算法控制器,输入侧增加TVS管防止浪涌。- M N) G+ v4 a) G" O
- LCD背光驱动:FB端叠加PWM信号实现调光(需隔离电容避免干扰反馈)。
0 {' ~ Z/ ?6 u - 音频功放电源:输出级并联高频滤波电容(0.1μF陶瓷电容)抑制开关噪声。; x4 a0 x1 }% F: R0 H9 z
效率曲线参考 负载条件 效率(典型值)
0 [3 _. ?- ^4 i& v6 q% i 轻载(10mA) 82% (PFM模式)
! E5 Z0 Q5 P9 B+ ~- C+ v) [( } 中载(500mA) 93% (PWM模式) 3 C1 x: G5 s0 B& e& m: l
重载(2A) 96% 电路原理图 + w7 I3 B+ G) D# ~# l
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