NMOS应用在高端，需要自举电容叠加电压才能打开NMOS

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哥们，
1、这是外置mos DCDC控制器，具体的输出电压是看高侧mos 漏极上的电压，而不是dcdc控制器的工作电压，实际就是200V
  V: f* R% ?4 V- |. _2、Nmos和Pmos虽然从原理上是对称的，但是由于实际工艺和材料的问题，导通电阻会不一样，我印象中Pmos的会比Nmos的大，而版主的图片也印证了我的记忆

八戒爱电子

MOS在高端应用时需要自举电容叠加电压才能打开时，通常指的是在一个电路中，NMOS的栅极（G）电压需要高于其源极（S）电压才能导通。由于电路中的电源通常只能提供固定的电压，而NMOS的源极可能连接到这个电源电压或更高的电位上，因此需要额外的电压来打开NMOS。这个额外的电压通常通过自举电容来提供。

超級狗

N+P v.s. N+N Half Bridge

超級狗

5 z9 F, p& C7 @0 Y+ |
MOS 管的導通電阻 R_DS(ON) 很小，導通時 Drain 和 Source 的電壓幾乎是一樣的。

, {7 H0 I& x  e% aV_HS 是一個浮動的電壓，會隨上、下臂的開關狀態變化。

/ a  t3 {. T5 j' m上臂驅動器（Driver）的電源是接 V_HS 【相當於驅動器的 GND】和 V_HS + V_B【相當於驅動器的 VCC】。
/ Z' u% N7 ~& {- \, i5 L

• 上臂導通、下臂關閉
  V_HS = V_BUS
  ) c' {& r1 U, g  v! D' LV_HO = High = V_HS + V_B = V_BUS + V_B
• 上臂關閉、下臂導通
  9 a0 O& C8 p$ S& i# QV_HS = GND
  V_HO = Low = V_HS = GND
  ! c$ W% X4 s# o9 e- t7 l" G

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清浊葭

上桥臂用PMOS，截止状态时候的自举更难设计吧。不加自举，驱动器最大只能输出15V，PMOS的Vs高达200V，Vg最大只能是15V，PMOS会一直处于导通状态