NMOS应用在高端，需要自举电容叠加电压才能打开NMOS

QWE4562009

NMOS应用在高端，需要自举电容叠加电压才能打开NMOS
7 U1 ~0 T: F% b: ]0 N* ~1.这里是不是有错误啊？应该是15V加电容电压Vc_boot？
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2.既然NMOS在高端需要自举，为什么不直接用PMOS？用PMOS有哪些隐患和不好的地方
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7 i4 t! H; ~3 g* Z

Dc2024101522a

哥们，
8 E0 b& q  [/ ^  d& ], m) s1 F1、这是外置mos DCDC控制器，具体的输出电压是看高侧mos 漏极上的电压，而不是dcdc控制器的工作电压，实际就是200V
2、Nmos和Pmos虽然从原理上是对称的，但是由于实际工艺和材料的问题，导通电阻会不一样，我印象中Pmos的会比Nmos的大，而版主的图片也印证了我的记忆

八戒爱电子

MOS在高端应用时需要自举电容叠加电压才能打开时，通常指的是在一个电路中，NMOS的栅极（G）电压需要高于其源极（S）电压才能导通。由于电路中的电源通常只能提供固定的电压，而NMOS的源极可能连接到这个电源电压或更高的电位上，因此需要额外的电压来打开NMOS。这个额外的电压通常通过自举电容来提供。

超級狗

N+P v.s. N+N Half Bridge

6 q! N4 s+ C0 `& Q4 w6 E

超級狗

2 d: s1 [8 V& _4 b
MOS 管的導通電阻 R_DS(ON) 很小，導通時 Drain 和 Source 的電壓幾乎是一樣的。

% }/ {- L7 }( t9 EV_HS 是一個浮動的電壓，會隨上、下臂的開關狀態變化。
. M, t3 {# V& J' h' h
  m# d5 ]; j3 O7 S) R! R上臂驅動器（Driver）的電源是接 V_HS 【相當於驅動器的 GND】和 V_HS + V_B【相當於驅動器的 VCC】。
' A# Y* R: }5 L. X$ C+ y5 z

• 上臂導通、下臂關閉
  V_HS = V_BUS
  V_HO = High = V_HS + V_B = V_BUS + V_B
• 上臂關閉、下臂導通
  % M5 V+ u! V" ]V_HS = GND
  V_HO = Low = V_HS = GND
  

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! W* m8 s3 v. c' t; b4 ^

清浊葭

上桥臂用PMOS，截止状态时候的自举更难设计吧。不加自举，驱动器最大只能输出15V，PMOS的Vs高达200V，Vg最大只能是15V，PMOS会一直处于导通状态