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1#
 楼主| 发表于 2025-1-20 15:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
 楼主| 发表于 2025-1-21 09:53 | 只看该作者
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3#
发表于 2025-1-21 14:31 | 只看该作者
氮化镓(GaN)的优势主要体现在体积小和耐压高两个方面。氮化镓材料具有出色的电子迁移率和击穿场强,使得氮化镓器件可以在高频率和高功率密度下工作,从而大大减小了器件的体积。同时,氮化镓器件的耐压性能也很强,能够承受更高的电压而不被破坏。

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4#
发表于 2025-1-22 08:05 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-1-22 08:06 编辑
* e8 L; ?# S! Q1 H. l, U
氮化镓的优势是体积小耐压高?内阻做不低的吗?
比爛的!: Q6 [( Y) x& q3 ^& O% W. V! r

+ t( y1 J4 H7 H0 |* ?

XINGUAN XG65T230HS1B.jpg (66.88 KB, 下载次数: 1)

XINGUAN XG65T230HS1B.jpg

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5#
发表于 2025-1-22 08:06 | 只看该作者
氮化镓的优势是体积小耐压高?内阻做不低的吗?
比好的!
( `: ?7 i1 Z: }2 ~* v8 {4 g# I3 S2 I  \; p

NXP GAN063-650WSA.jpg (52.58 KB, 下载次数: 2)

NXP GAN063-650WSA.jpg

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6#
发表于 2025-1-22 08:12 | 只看该作者
氮化镓的优势是体积小耐压高?内阻做不低的吗?
氮化镓GaN FET)的優點不只這些,你要自己發掘!
) @" c/ C; y) w, t  Y7 `. u8 A& {* a1 q4 N4 r& U9 C
7 K1 v/ B0 Z. ^

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7#
发表于 2025-1-22 08:25 | 只看该作者
氮化镓的优势是体积小耐压高?内阻做不低的吗?
幹菲特GaN FET)介紹!
- k: ~, \* w4 {' g. |
' E2 M3 t- _! u3 i6 T2 ^小弟的菜英文,請大家忍耐一下。
6 b& h# y9 P7 @. H
; C+ l+ S* x( R; h7 K% Z

KeithleyPart1.pdf

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8#
 楼主| 发表于 2025-2-8 09:29 | 只看该作者
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