传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点？

QWE4562009 · 发表于 2025-1-11 11:29

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awnatech · 发表于 2025-1-11 17:46

与传统硅基半导体材料对比：
COOLMOS、氮化镓、碳化硅和砷化镓在性能上均优于传统硅基半导体材料。它们具有更高的电子迁移率、更高的击穿电压、更低的导通电阻和更快的开关速度等特性。

超級狗 · 发表于 2025-1-14 13:09

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