传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点？

QWE4562009

传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点？

1.封装小，内阻低，结温高，热阻小，结电容小、Id大，vth小的，这种传统的低压大电流的一代半导体硅MOS和三代半导体氮化镓GAN相比有哪些优缺点和异同点？(比如耐压60V以上，封装小，内阻低，热阻低、结电容小、结温高，Id大，vth小的)

2.像这种低压、大电流、小体积、小内阻的MOS有哪些国产厂商在做？帮忙推荐几个做得好的厂家
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( e3 f; D) @# F3.COOLMOS、氮化镓GAN、碳化硅SiC、砷化镓GaAS又和上面方框哪些有什么区别？
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与传统硅基半导体材料对比：
2 y" b. {- ~5 FCOOLMOS、氮化镓、碳化硅和砷化镓在性能上均优于传统硅基半导体材料。它们具有更高的电子迁移率、更高的击穿电压、更低的导通电阻和更快的开关速度等特性。

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