求助，串口TX下拉电阻，怎么实现电平转换？

congwei8888

求助，串口TX下拉电阻，怎么实现电平转换？      是用PNP的三级管吗？
$ y8 V1 \- ?' h4 L0 P  K/ k

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可以找电平转换芯片

congwei8888

在烧程序，需要配置成下拉，在正常运行时就是串口TX脚，然后输出接NPN的三级管实现1.8V电平转成3.3V。串口TX接下拉电阻，然后三级管NPN实现电平转换，这样不行吧？应该用什么电路？

huo_xing

congwei8888 发表于 2025-1-9 09:24
8 X; _$ R& C$ T4 G( W/ U在烧程序，需要配置成下拉，在正常运行时就是串口TX脚，然后输出接NPN的三级管实现1.8V电平转成3.3V。串口T ...

这种是正常应用。烧程序，配置下拉应该描述错误吧。
" u* I2 |8 p4 S/ V! x4 x, _. j应该是上电或复位时检测这个引脚。如果为低，进入烧录模式。如果为高，正常启动。启动后这个引脚功能是uart
. A1 r1 H& ~) U, ~# E; u' h. Q$ D  ?

超級狗

+ g7 U5 z$ ~. \. }2 J: U! ^

congwei8888 发表于 2025-1-9 09:24
, w! a5 ?- _9 ?. `( i  V3 J. _( q在烧程序，需要配置成下拉，在正常运行时就是串口TX脚，然后输出接NPN的三级管实现1.8V电平转成3.3V。串口T ...

& p1 D! P& M/ p4 z; o死都不用電平轉換芯片（Level Translator）就對了？


- R- G4 K9 e  m
* u1 f" L5 R3 ~1 [; _1 o

• UART Tx 不能反向，速度不快的話應該可以。
• 下面的雙載子三極管（BJT）換成 N 莫死管（N-MOSFET）應該還能再提一些速。
• 如果下面的雙載子三極管（BJT）換成 N 莫死管（N-MOSFET），N 莫死管（N-MOSFET）的臨界電壓（V_GS(th)），選 0.9V ~ 1.1V 左右的尤佳。
• 如果下面的雙載子三極管（BJT）不換 N 莫死管（N-MOSFET）的話，注意 I_b 電流是否足以驅動雙載子三極管（BJT）。
  

" |3 [. h0 Y1 Q' H: m0 [  x
4 |/ Z/ W( D+ C3 S. A

huo_xing

超級狗 发表于 2025-1-9 09:47
/ i! Z. l0 j+ o  j死都不用電平轉換芯片（Level Translator）就對了？

" ~1 J# w9 X& T' i; `+ _: m这个是电源的应用。信号不是这么搞的。信号用一个bjt就好
! h& T. p- w7 w, @9 L

超級狗

我忘了踢哀（TI）有這顆！
9 S- f) X  P8 [2 }, A& C
官網說是 Low Cost，但到底有多 Low 我就不知道。
* l0 i( v! e: e% I; }

huo_xing

超級狗 发表于 2025-1-9 11:50
我忘了踢哀（TI）有這顆！

/ j: `# L& O. ^. H; p) E$ D官網說是 Low Cost，但到底有多 Low 我就不知道。

1 x0 R1 w$ r% Z" w' P  O) b+ Z一般300K以下这个电路都可以。但是如果对上电默认电平有要求不知道能不能用

超級狗

5 G1 s* ]( j1 I- w9 }2 e# O

超級狗 发表于 2025-1-9 11:50
我忘了踢哀（TI）有這顆！
; F( e! W. Q: t: @4 J' f3 N- M3 h
& q- Q& z% [: ]" K  D) h! I官網說是 Low Cost，但到底有多 Low 我就不知道。

2N7001T
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• VCC isolation feature
  * {8 ?6 D& v8 t( Z+ S6 Q9 v– If either VCC input is below 100mV, the output becomes high-impedance.
• I_off supports partial-power-down mode operation.
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' Z7 S, t1 U6 h; {5 Z專治漏尿（Leakage）病症！


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. I% B, a2 e$ r

huo_xing

huo_xing 发表于 2025-1-9 13:19
% Y5 b% K" D7 ~2 O' w一般300K以下这个电路都可以。但是如果对上电默认电平有要求不知道能不能用

& N4 {8 x- K$ {7 [, a( J上拉是在C级。在tx端增加一个100K电阻，vcc_ext没上电时，tx默认就是低电平。

guchenglihua

huo_xing 发表于 2025-1-9 13:19
6 g: m! n5 n# I1 z0 M一般300K以下这个电路都可以。但是如果对上电默认电平有要求不知道能不能用

5 c/ m( K) ]" H6 F这个电路的TXD这条链路有点小问题，当VDD_MCU的电压比VDD_EXT小超过0.6V以上，那么TXD那怕输出是高还是会从VDD_EXT那边漏电过来，当然VDD_EXT没有超过MCU的绝对最大值是没什么问题，但有可能导致MCU的VDDIO电平有变化的可能。我就有用过一款芯片VDDIO是2.5V的，结果被3.3V漏过来变成2.8V左右，虽然不影响使用但是会对测试功耗的时候有影响。

huo_xing

guchenglihua 发表于 2025-1-9 15:29
这个电路的TXD这条链路有点小问题，当VDD_MCU的电压比VDD_EXT小超过0.6V以上，那么TXD那怕输出是高还是会 ...

你这种情况选导通压价小的管子。一般电平等级都是1.8V和3.3V

guchenglihua

huo_xing 发表于 2025-1-9 15:35
你这种情况选导通压价小的管子。一般电平等级都是1.8V和3.3V

毕竟1.8V和3.3V差了有1.5V，所以导通压降再小的NPN还是有同样的情况。这个电路不如用两个Nmos组成的经典电平转换电路而且还是双向通信的