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本帖最后由 s8484ww 于 2024-8-30 13:48 编辑
0 h: S" z) u/ b1 R. a, E( u A: G
0 W3 o3 }" s e' v
6 @" r5 P& m" Y" X2 p2 r4 I- b2 z" D
主系统由 32 位多层 AHB 总线矩阵构成，可实现以下部分的互连：
1 M. f; J7 q- N2 q$ A" J# m
# W1 Q; }" I- Z" j4 M. ?● 八条主控总线：4 ^$ j4 U. E2 ]+ c9 P2 B6 k( `
, d! }% E3 U) M' d* Z. D
— Cortex™-M4F 内核 I 总线、D 总线和 S 总线
- b* s; t$ A+ j1 Q5 ]; a! j1 ?
' J7 t9 f% z7 q4 C— DMA1 存储器总线% o2 k/ W1 a, z3 G
! M3 E& ~2 c. r, C/ y
— DMA2 存储器总线: d( @ w: H! B
3 y9 s: q" n5 W( F: g1 g— DMA2 外设总线
1 x$ t; G: ?- |# \- ] S/ Y4 ~3 U; s- ]0 w6 T1 h
— 以太网 DMA 总线1 S. a k \6 \% v! J6 G1 j# p
. g+ _% K: t, }( i6 W# y— USB OTG HS DMA 总线. O! f( r4 O i% a+ l$ F
$ W$ E+ n8 x8 p: [$ U● 七条被控总线：! }! }! _6 }$ Z$ C" j* U/ s
7 Z6 O( S0 b% {$ K/ Z& w
— 内部 Flash ICode 总线
6 X4 D( `; I8 W
- L' h& R" I8 t6 _2 `9 B$ E3 B— 内部 Flash DCode 总线2 B. Z7 p( V6 U# B
E, k$ o4 b5 W, [$ R9 [
— 主要内部 SRAM1 (112 KB)
- H6 }' m. y/ t. ]* F* F! c& H P" _% Y; ~
— 辅助内部 SRAM2 (16 KB)
9 N+ T Z6 g: V+ f
6 v7 G4 R+ k1 D7 b m) X— 辅助内部 SRAM3 (64 KB)（仅适用于 STM32F42xxx 和 STM32F43xxx 器件）
! {1 v% o# H6 S: O: l0 s* @* P
( d/ T! A. A: o1 x— AHB1 外设（包括 AHB-APB 总线桥和 APB 外设）
! _& |; O$ M, I" e
3 m8 A: M; m3 _' A' k+ Y- ]— AHB2 外设
: M5 E6 x* M2 u- N( T2 i- D3 d. y# K0 }. m! f7 N5 s, V
— FSMC
& } S& ^" d4 }" [
, T% q; l6 m# z" t# ^$ d$ |/ F3 p$ Y
8 K( I- P. N- ~( n6 I
4 h+ E! {$ X1 O# I! F- O, `& uI 总线" a% y' [/ G1 ^; }; H) c0 d
! j0 d/ H! I& S& Y* h2 l- X, r$ G
此总线用于将 Cortex™-M4F 内核的指令总线连接到总线矩阵。内核通过此总线获取指令。 此总线访问的对象是包含代码的存储器（内部 Flash/SRAM 或通过 FSMC 的外部存储器）。
7 m- s) N( ?; k, g. X! X, u' A" w" e
+ ^8 B' u1 P& O+ ^
# l* l9 e- ^' e- ~4 r' qD 总线
; ^' @* P4 d: {' b6 `) f! ~& B. V' d2 {
此总线用于将 Cortex™-M4F 数据总线和 64 KB CCM 数据 RAM 连接到总线矩阵。内核通过 此总线进行立即数加载和调试访问。此总线访问的对象是包含代码或数据的存储器（内部Flash 或通过 FSMC 的外部存储器）% R- c$ A d5 c a2 d0 q) L2 J$ [! w
0 I7 i& R _ H
4 S+ J, K3 S) u% k6 S
. B, H3 i! L7 eS 总线0 w' P2 J U7 P$ }6 @9 K/ ^
2 e3 n5 p" B) o. s L! d/ P此总线用于将 Cortex™-M4F 内核的系统总线连接到总线矩阵。此总线用于访问位于外设 或 SRAM 中的数据。也可通过此总线获取指令（效率低于 ICode）。此总线访问的对象是 112 KB、64 KB 和 16 KB 的内部 SRAM、包括 APB 外设在内的 AHB1 外设、AHB2 外设以 及通过 FSMC 的外部存储器。
" _! ]9 @( c8 [7 m- A+ G( Y+ `" c
$ H6 W& P% ]8 x8 i* p5 J P) v. x6 d6 U2 l
+ y+ n6 X4 y* E, C+ P Z, A4 C5 HDMA 存储器总线, q1 O* t4 L$ t9 `* ]1 ~
- B5 `6 s8 [$ s' b, b此总线用于将 DMA 存储器总线主接口连接到总线矩阵。DMA 通过此总线来执行存储器数据 的传入和传出。此总线访问的对象是数据存储器：内部 SRAM（112 KB、64 KB、16 KB） 以及通过 FSMC 的外部存储器
0 X! }0 E; B: T: r9 G6 r! H5 H6 z4 [) W
; y& S9 p( T3 n B: Y
) z+ C8 J2 Z- \0 @; B: WDMA 外设总线7 X* v; Y4 B# x( B' a
' e) H/ `+ x& S% t# s2 N) ?: H
此总线用于将 DMA 外设主总线接口连接到总线矩阵。DMA 通过此总线访问 AHB 外设或执 行存储器间的数据传输。此总线访问的对象是 AHB 和 APB 外设以及数据存储器：内部 SRAM 以及通过 FSMC 的外部存储器。8 x4 |' C L: G \+ K
4 h$ a- f8 S; d0 v/ O
* r3 J* b9 v- u+ _
, z! Q J( r5 K6 S
以太网 DMA 总线
S. Y, Q- q/ w' |0 K e% ^" S5 C0 `5 z6 K' {( t
此总线用于将以太网 DMA 主接口连接到总线矩阵。以太网 DMA 通过此总线向存储器存取 数据。此总线访问的对象是数据存储器：内部 SRAM（112 KB、64 KB 和 16 KB）以及通过 FSMC 的外部存储器。, p* i7 o6 Y- I* y& G5 {
' k" z- A5 K6 c% {) N- i
5 K5 u- K. _, ~5 Q' c, u- |$ K7 U A- r4 O6 d- b
USB OTG HS DMA 总线
8 A( P+ O3 b9 y5 q
+ H& n5 t% A# m: `; P& U. y此总线用于将 USB OTG HS DMA 主接口连接到总线矩阵。USB OTG DMA 通过此总线向存储 器加载/存储数据。此总线访问的对象是数据存储器：内部 SRAM（112 KB、64 KB 和 16 KB） 以及通过 FSMC 的外部存储器
' s6 \! X- \* b# N. X; w
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