基板工艺SOP和OSP问题

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请教大佬们，基板设计中的SOP工艺和OSP工艺，有什么区别呢？什么样的场景下需要使用哪种工艺，对应地在设计上需要注意做什么处理呢？谢谢。

Dc2024022229a

SOP工艺  Solder On Pad，一般是FC Chip使用，基板的Pad上通过植球，然后压扁成型，形成Solder Bump，便于后续的芯片粘接。
OSP工艺 有机保护膜，定义应用如上表，是为了保护Cu Pad不被氧化，保证焊线或者植球时的良好的结合，OSP一般可以通过FLux处理掉，也有不处理的。

Getaway

17794208985

Getaway 发表于 2024-7-22 18:32

4 R, Z( o3 `: s" P# n这个很明显不对，sop解释为了作业指导规范，不是表面工艺处理，网上找了好久也没找到

星期三小子

17794208985 发表于 2024-7-23 09:04
! P6 z4 R; y3 d+ p这个很明显不对，sop解释为了作业指导规范，不是表面工艺处理，网上找了好久也没找到

参照3楼描述

17794208985

Dc2024022229a 发表于 2024-7-23 09:03
& M& r1 e: }) X; h  u6 ASOP工艺  Solder On Pad，一般是FC Chip使用，基板的Pad上通过植球，然后压扁成型，形成Solder Bump，便于 ...

大佬，请问下，那sop可以用在C2上吗？比如FC 形式的 bump pItch间距110um或者更小的话，bump中间做不了绿油桥，能继续使用SOP吗？就是想了解下这两种工艺的应用场景，谢谢

星期三小子

星期三小子 发表于 2024-7-23 09:09
9 @5 v  b, g' L, y* }) }参照3楼描述

$ ]2 o& r$ h; B说错了 是2#

17794208985

星期三小子 发表于 2024-7-23 09:09
参照3楼描述

嗯嗯  谢谢  看到了  sop那里有个H，那SOP是不是只能应用在C4上？C2上可以用吗？
  l8 S( h: T$ n- O

星期三小子

17794208985 发表于 2024-7-23 09:10
! l8 j5 ]( e. [+ q8 d3 y* I大佬，请问下，那sop可以用在C2上吗？比如FC 形式的 bump pItch间距110um或者更小的话，bump中间做不了绿 ...

可以看下这个，主要应用区分还是受限于bump pitch间距和费用。 Solder Bump的 bump pitch间距normal  min=150um，也就是说小于这个值就需要用C2了；
. F. \3 D2 p! r. [! r0 x* R2 x同时C4和C2需要的开窗尺寸也不同
1 q* D# ]+ u: o. z% {

17794208985

星期三小子 发表于 2024-7-23 12:34
! i. f- m- ^0 z# l可以看下这个，主要应用区分还是受限于bump pitch间距和费用。 Solder Bump的 bump pitch间距normal  min ...

" [2 L$ Q4 M/ K好的  感谢感谢

Dc2024022229a

星期三小子 发表于 2024-7-23 12:34
可以看下这个，主要应用区分还是受限于bump pitch间距和费用。 Solder Bump的 bump pitch间距normal  min ...

! m( n. L$ {0 C$ p) N感谢上面的表格说明。
! l. @" h' b$ |. h( g8 |我在捋一下，如果是针对芯片的bump pad处理，SOP 一般就是针对Solder bump （C4技术），如果是Pillar Bump就是C2技术。

1 \9 V6 V9 i8 {" R- ]6 U
我想问的是FC的基板，pad 上如果是SOP加工处理了，那芯片的Solder Bump 或 Pillar Bump 都适用吗？

7 S4 g, N: c- v! r

星期三小子

Dc2024022229a 发表于 2024-7-24 16:00
感谢上面的表格说明。
我在捋一下，如果是针对芯片的bump pad处理，SOP 一般就是针对Solder bump （C4技 ...

设计上可以适用（基板PAD参数需要同bump参数互相适配），但是建议综合考虑，可以参照附图

1597689180@qq.c

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