关于S参数和TDR的问题

求知客白云

各位大佬，真心请教一个问题：两队MIPI线我想仿真一下它们各自的差分TDR参数。我的操作如下：
1：在siwave里，先设8个PORT(两对MIPI)跑出S参数，导出TOUCHSTONE文件；
2：在DESIGENER文件中导入TOUCHSTONE文件，然后用DIFFENCE TDR和电阻画好原理图；
按此方法算出TDR后遇到两个问题不好判断：
0 F$ M. M5 r9 |- w2 _+ o9 @1 j; r1：使用两组TDR源直接跑出的参数与使用一组TDR（另一组OPEN掉）跑出的结果会不一致；
2：如果单独从SIWAVE里直接只跑一对MIPI的S参数模型，再导入到DESIGENER里，跑出的TDR与前面
0 C+ ~9 u$ m, l    两种方法又不一样（我是用的是2020R1版本）。这样一来将如何判断哪一种方法是正确的？有同事说
   因为MIPI信号是同时工作的，故要按实际的来仿真，即两组MIPI同时跑S参数来做才是正确的；又有同事说，
2 T/ v& N+ g, `$ R$ `2 |   TDR反映的是单独差分信号的真实状况，就像做PCB板时，让板厂来做信号线的电阻匹配，也是单独来计算测量的。
' ]3 @' _& l: D& v    哪一种有道理？希望有经验的前辈高手能现身说法一下，不胜感谢！

ybing12

我有开始学，这个问题也困惑了好久。同问同问

heaijun

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接SIPIEMC仿真

第1组线与第2组线之间本身存在耦合，只建1组线的端口的时候，另一组线没有对地50ohm端口的内阻特性，相当于悬空的，两组线都建端口的时候，另一组线不是悬空的，这种差异下第1组线耦合到另一组线的S21也是有差异，所以仿真结果有差异。
8 e9 A' \. K$ ]另外建端口不同，网格剖分也不一样，计算结果当然有差异。
  k# u' I) y* f% J& j: @1 `" s还有，两组同时做TDR，1组能量耦合到另一组并和另一组TDR叠加，这和单独做有差异也是正常的。
; f# w- ^7 r, N! [, }以上误差一般都比较小，没有必要太关注。就像你为了加快仿真速度，把PCB切小块一样，本身就带入了误差。

理论上正确的做法：
) @% a6 ?6 T5 c. G1 j" t一组网络在仿真时，其他网络应该建端口一起提取S参数，串扰小的可以不考虑，或者切PCB后直接删除其他网络
在circuit界面里做TDR的时候，空闲的端口应该用该网络特性阻抗一样的电阻接地，避免悬空
0 y3 C/ l" ~2 I9 c; V1 w: C
关于理论上要不要两组一起仿，个人认为没有必要，
首先前面说的，误差是必然存在的，这么小的误差可忽略，
: A+ R0 B$ D- i0 Q, J) `我们在仿TDR的时候如果要考虑两组线同时工作，那为什么不一起考虑整个板子的所有网络都同时工作的情况呢，而且不同网络之间还不同步，是不是每一种同步情况都要做？那就会有无数种信号时差。同样是网络，难道同一类网络同时工作有串扰要考虑进去，其他网络的串扰就不是串扰？这显然不合理。说极端点，MIPI的CLK和Data之间有上升沿重合的情况，也有CLK上升沿和Data下降沿重合的情况，还有Data电压不变的情况，那是不是分很多种结果？而且CLK和Data之间的时差要不要引入？两组同时做但显然不可能CLK和Data同时发信号啊，做这么真实那已经不是TDR仿真了，而是时域仿真
, }/ q/ A( D, ^/ P: NTDR所反应出来的就是PCB自身的特性，工厂打板出来是什么样就已经是固定了，应排除外来干扰因素。