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[仿真讨论] 电容跨平面的影响

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发表于 2012-7-31 17:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 qaf98 于 2012-7-31 17:56 编辑 ) k0 \# S# p8 V9 \1 G7 l/ N7 U. ?
9 l, G6 N4 s  B( o
做了个实验,看电容跨平面后对附件信号的S参数影响。
' Q, c1 U) H; S  g
& ?+ n* p( T6 R9 A1: 50mil内放置一个0.1UF电容。
' }' }8 u( b3 p& b , o* s9 X4 z  T. b" W2 x

, L& v2 P! a& |2 @2:TDR 图示8 P1 b" ~0 u+ v0 u
; i4 G  W- x3 u
3:做多个信号,分别离电容的距离是,100,200mil ,300mil,500mil 的情况的S参数如下图。/ n" K7 _) `5 H" f. l

. P; s% k7 x; I% N
7 \. }' P* E% M% y
5 ?  w* @/ h4 b  W* ^7 y' ]

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2#
 楼主| 发表于 2012-7-31 18:02 | 只看该作者
个人感觉,当距离超过500MIL之后,s参数下降就超过3DB, 可以认为电容的影响不大了。

该用户从未签到

3#
发表于 2012-7-31 22:55 | 只看该作者
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