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PADS9.4.1如何实现DDR2串联匹配电阻也能实现等长设计??

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1#
发表于 2012-7-20 22:18 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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据说pads9.4.1加入了最新的功能“Associated Nets”功能,可以实现allegro那样,可以跨越串联的元件计算走线长度。: d0 U( M. G" Z

: d3 i. l6 B0 H9 y: f( |9 A这样,DDR上串联匹配电阻之后,同样可以让软件去实现等长计算,而不是靠自己去计算。5 c* p" h1 ~. O# P, y

8 }5 ?7 ~% o0 ?) r看了半天“Associated Nets”的英文文档,没弄懂具体怎么去操作。
$ k& o* `( \2 o; g  B- I5 v
- x& ?1 i. {9 m8 S, \请教大虾们了.$ B- N2 D+ `. Z1 h5 Y
2 k3 Z% C0 C) z- C$ g1 m& S
{:soso_e100:}

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2#
发表于 2012-7-21 11:34 | 只看该作者
把匹配电阻的RfDes头加进去,比方说R,加在最下面Resistor那里,然后再去Designrule那里设置等长数据就可以了

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3#
发表于 2012-7-21 11:41 | 只看该作者
如图

ScreenShot019.jpg (29.34 KB, 下载次数: 7)

ScreenShot019.jpg

ScreenShot020.jpg (69.14 KB, 下载次数: 2)

ScreenShot020.jpg

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4#
发表于 2012-7-23 17:19 | 只看该作者
不知使用排阻的也能实现吗

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5#
 楼主| 发表于 2012-8-4 02:04 | 只看该作者
多谢回复!1 q0 p; \' o# i2 D# n
( y+ i% w( w4 A: [
如果使用排阻无法实现这个功能,那PADS这项改进没有太多意义。
: S" o: [6 Y7 Z( u6 k  {
: ^) e+ ?. h: N0 V: b! P0 B; B现在的DDR几乎都是用排阻的,谁还用单个电阻啊。/ n( L% M& R$ _
0 P/ a3 N5 }+ ^- Q2 n' |
哎,PADS的功能改进,总是慢得像蜗牛一样!+ f2 n" D3 a1 G& |( C
, n% v! o6 V" K7 Z2 V5 e0 r1 g- j
这几年来,几乎只看到他们修正BUG,看来,软件上的BUG已经够他们折腾几年的了。

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6#
发表于 2012-9-25 10:35 | 只看该作者
正在找这方面的资料

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7#
发表于 2012-11-12 16:02 | 只看该作者
好像不是吧,用排阻会影响DDR性能。建议一般都不用排阻的。% s6 f2 ]- B1 W, c7 f- ?' O5 G9 t

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8#
发表于 2012-11-12 17:09 | 只看该作者
关于排阻的问题很好解决,直接用分散的电阻,并排布局,最后调整好后再换成排阻就是了!
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