本帖最后由 criterion 于 2024-11-27 00:09 编辑 + a. R" X4 u# D' Z9 x$ H# o
( I% S- P# d' K! U: r
先查看 MCU的电源跟晶体 是否有透过落地电容共地 有的话 拔电容试试 - Z# R0 \4 @$ k3 k; ]7 N& r
; R9 ~: h( w j/ W
一般而言 32.768k是很低频的讯号了 其谐波会去干扰到射频讯号的机会很低 所以 分布在主频信号的两边的杂散 不是晶体谐波 而是交互调变
1 e) j. D) S% [! p$ o: p0 n1 D2 N7 L
, y& w5 j7 C; K8 `% W. q" m! q$ k
2 b9 G# ]; U- F" \. g4 J' Y1 }% a
$ g* j: |. K9 ^$ [% p# I) `4 G. g/ \# _5 {7 H& y, @% w# E: N
如果32.768kHz 透过共地 窜到落地电容 再流入MCU
7 j0 _% P1 B4 h: a$ c跟RF主频 产生2阶交互调变% u/ Z X$ M" n+ i: k
(RF +- 32.768kHz)/ g1 @* m! t4 ^* J- f7 d2 G
就会出现你所说的' I$ _: [5 O; M$ y, r# S! i
“杂散分布在主频信号的两边”, L% z' j+ S- r: f, z5 v
: A3 j/ x# J. b9 {8 M) t0 o$ W' Y s7 f- C
要验证的手法也很简单 你把RF信号的功率调小
! H& u3 J4 P0 P0 H( f% W" K# L看杂散是否也跟着变小
1 T4 } K, ~1 @+ O3 Q3 f- w/ N如果是 那就八九不离十了: k0 i2 ?% r. L2 ]4 `% S
因为交互调变的功率 会跟RF信号功率 有连带关系: y4 f1 c* C6 M! g `3 X
7 I9 g' R% C% X; g% c2 G
1 J1 t5 ]; ~7 X% t/ x! R. ~& [1 A
5 L1 F7 {8 o9 m B$ j此时可能有人会提出两个疑问
$ Z; [" `2 L" D* }; u' M, |% p( p) J% i3 @ N
第一个疑问 电容不是隔直吗?
( R: v4 f. u5 Z* p n5 ~ b32.768kHz这么低频讯号 怎么可能流得过电容?
4 X( I5 E$ [; t. H4 t2 G- |$ Z& k
+ ^1 s1 e1 U8 c3 `/ F答案是: 当然流得过 只要电容值够大6 O$ N6 j3 s* E
来做个仿真
5 z) H; j0 d% ]/ G9 k3 m' p% ?4 \0 E5 D) R+ `
4 a! y) E4 x, J* K5 j
; ?; s. C4 ~- H) [7 F7 y
, W2 h+ K9 v1 k
/ k0 }) q# \% i* j8 S7 e
/ w/ H! c/ t. G
9 _2 E7 G* V6 G5 i
该1uF电容 对于直流讯号 当然有隔直作用
; i, X& { } r" Z( A但是 32.768kHz的讯号 终究不是直流讯号
1 Y/ K U' w; E2 R$ J9 u只要电容值够大 其谐振频率够低 意味着低频范围的阻抗很低
1 v- |0 L* b0 H! y对于极低频讯号 几乎无抑制能力 那当然就流得过* P( h$ |. N- D* J
# l4 ^9 V9 p6 u/ ?" ~
5 f* J$ |( I) n) D! l H7 x+ _第二个疑问 任何讯号 包含噪声
' J+ w7 z2 Q$ k. T肯定是高阻抗流向低阻抗2 |# t* U `( H% _
怎么可能会从GND逆游而上 流到电源走线?% f+ ?5 C- ]5 t
% F# z6 G- E8 a# R. F1 h
% B( N4 f# W4 Q, p
答案是 如果GND的阻抗 比电源走线还高 那就有可能了
$ R8 v$ R' w% d7 H, ^1 e" {0 s/ p' Q
* R. r9 t% Z7 T0 P
( u9 q( F! T i/ h( p) |, }
6 C5 r7 ` C6 e
首先分析电源走线的阻抗 在走线放落地电容
8 }# U# d) \5 Z Y. A等同加大了该走线的电容性 依照阻抗公式* `! @; X9 R& n( r
& g& ~, f5 D9 W. O- S
- q( ?8 Y2 B5 j
) f" N6 T0 I6 h1 r
, N4 I0 _0 D" l( V, m) b0 {( T$ j/ ^- o! }/ O+ `7 G) c
电容性增大 其阻抗就降低
! ^; [- B7 ~7 {" p如果是uF等级的大电容 阻抗就降更多% A4 D1 V) Z2 t4 R7 q7 I
. }! z* h% r5 t1 D4 l3 B- G# ]$ @1 j! A
再者 电源走线 通常会有多颗落地电容并联
1 L8 ~( Z5 b7 G9 q. g/ y% z而电容是越并越大/ L- w7 N" T! T o. Z8 ^
, R% {# a7 r! J6 ]( M
! X( ?0 G: h, f# D) x
$ q0 p6 }. u1 Z, J
: P! w* `# N' J' O6 W4 Z1 g8 G u5 E& b
如此又更进一步 大大降低了电源走线的阻抗3 @8 L" w; u/ I& b5 [. ]
" ]- j6 G1 |! U5 i6 R7 k5 e$ e
再来分析GND的阻抗 很多时候 碍于Layout空间限制
8 I( E( \ A" H很可能GND是极为零碎的 且面积也不大: P1 M% Z% G& g: J, q, {
同时又因为面积不大 所以无法打太多地孔
: r( w4 h* }9 F4 ~& H7 b这些情况加种下 就会导致GND的阻抗 其实不如想象的低5 M+ b9 b8 k' R$ Y( z/ W
甚至有可能比电源走线还高
, N& l6 v# R5 R5 Y, p: o如此一来 噪声从GND逆游而上 就有可能发生
2 R. p' O$ Y/ F5 |' k0 x E% ^1 W9 }/ |+ o/ _
因此 一开头才说 拔电容试试. J- g+ _& C! z
5 W% k, n3 M9 D+ p* g
' I9 C% m- a) J5 y | 
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