本帖最后由 criterion 于 2024-11-27 00:09 编辑
6 R9 q/ _* L2 R( R7 [% A; t- ]4 h2 q% W0 }8 M4 _) k& K- e4 O
先查看 MCU的电源跟晶体 是否有透过落地电容共地 有的话 拔电容试试 : m' ?& @" [8 f N* k- w) v$ X v4 c
/ u( d. _: l5 J6 l; ?
一般而言 32.768k是很低频的讯号了 其谐波会去干扰到射频讯号的机会很低 所以 分布在主频信号的两边的杂散 不是晶体谐波 而是交互调变 1 J' K6 A& x, `' X
# c8 l G9 e9 x$ D
3 Z; P: w! J8 ~2 B0 l. J3 p
# f* G: m6 E+ [# H: c: G& O0 s
# V) z3 M8 W* D- K如果32.768kHz 透过共地 窜到落地电容 再流入MCU
; ~! X' p; R9 @跟RF主频 产生2阶交互调变
4 S# i- g8 g+ f. L! O8 k(RF +- 32.768kHz)1 X3 I6 {/ R* M6 h: w
就会出现你所说的
. u! g; E2 O7 a( _7 `" Q“杂散分布在主频信号的两边”
2 g; {$ m) u) ]; o3 \* s* B9 o( V G7 @
9 L; L: e& u! G要验证的手法也很简单 你把RF信号的功率调小
* k! x9 X+ u- y& E6 b/ ^7 I6 M看杂散是否也跟着变小
' y O( @0 |+ h. Z$ R. P如果是 那就八九不离十了' C9 w, H) `% u* V4 A: @
因为交互调变的功率 会跟RF信号功率 有连带关系& Q& K; t: M' n9 F
& o. T6 m* e8 `0 r m1 d' N
. l) B( z3 b' {" r
1 _; m: F" {+ e7 O% q4 t) T N/ d( j
此时可能有人会提出两个疑问0 C1 M& K `% R, \, H) W
' C. n' l# v- e* ?第一个疑问 电容不是隔直吗?
9 \8 j. j, o: Z ~7 D+ o32.768kHz这么低频讯号 怎么可能流得过电容?
' X2 g/ c" m! b- i9 s7 m- m1 b7 Q4 _; d
答案是: 当然流得过 只要电容值够大
) h4 N: y0 ^' E% K% I/ C3 b来做个仿真
6 Q) B( O8 ]" m& W' v, c' T3 A6 L5 U, }! r% ?* Q* J1 H4 J
: I1 e5 `8 `/ w, N- w7 E I' W
- G: q( y) K- z8 S$ Y! ^, h @
% |7 R- \# ~% {/ A2 Y# K
* \0 \. j9 Q+ t! ] G8 R3 }6 ?. y1 a$ B) D* ]- k6 o) b% E
' `4 N% o* x+ z( N该1uF电容 对于直流讯号 当然有隔直作用
m' i6 Q/ T5 o& x2 [' j; C但是 32.768kHz的讯号 终究不是直流讯号
$ P' W9 L. J% k' i- z3 G8 w1 i% a只要电容值够大 其谐振频率够低 意味着低频范围的阻抗很低0 p3 b# {- A/ j8 L5 W6 g
对于极低频讯号 几乎无抑制能力 那当然就流得过
: F* }3 [. d& l3 k* v+ P# M$ t' l5 Q6 A4 e P. k
6 @! x+ @: ?$ Z
第二个疑问 任何讯号 包含噪声) j$ Z- P2 h" u3 g. n2 D2 i" `6 m% q
肯定是高阻抗流向低阻抗* c% ~6 S( N( ~* ^- \/ |
怎么可能会从GND逆游而上 流到电源走线?
{& Y3 ~" f+ L. p8 [
) h' O# `0 i6 e2 K9 Z9 ]. ~7 P7 M: M/ D8 d
答案是 如果GND的阻抗 比电源走线还高 那就有可能了5 E/ T% t! I/ C* d9 `- \/ X! M- Q
% m/ Q1 P2 J. V. r) T. v) v. S, P9 T5 \. a" C- {
, E J& I7 W. f0 Y8 L& j! e9 [
5 [, W5 c: e* Z+ {2 C/ p, x7 J首先分析电源走线的阻抗 在走线放落地电容
5 ]8 i) j0 ~6 }/ E+ [0 @9 |等同加大了该走线的电容性 依照阻抗公式
1 p4 S2 I# K2 ?! r4 ^
! B/ y# n- j3 d* u# v# P1 R* \0 ?( J" `1 v1 w6 w
! L+ ?/ m* T/ }( M6 B3 \2 Q- w
* C6 B* J# U8 Y3 `) [4 Z# U
0 m: D- C2 j8 {. Y) ^& S: S k
电容性增大 其阻抗就降低
8 X0 I, m8 \# N! N3 Z4 u如果是uF等级的大电容 阻抗就降更多6 j$ ~5 \" D7 D1 e
+ _7 X1 c6 J W
- I% s: E/ O7 t& n再者 电源走线 通常会有多颗落地电容并联8 B5 W- C$ Y3 x- t: h
而电容是越并越大
& J$ p. I, |* q; Y( f/ ]6 D5 L, n$ ]* q3 r
9 a4 r( O1 b5 m; b, i- K
0 @4 N `. b1 ]" e
/ I, x/ y& m+ V( [3 f" m8 |3 x! s! _: D: m5 D) j# _( l
如此又更进一步 大大降低了电源走线的阻抗
* u# F# _/ E4 [) a
% Y, X3 t0 h6 `) n再来分析GND的阻抗 很多时候 碍于Layout空间限制
8 Y3 t" O t; l9 f6 y; K n很可能GND是极为零碎的 且面积也不大$ i3 Y0 ^. h* k3 N1 e. M, q
同时又因为面积不大 所以无法打太多地孔* C4 N& n9 T! B" Z& r2 i1 P. n
这些情况加种下 就会导致GND的阻抗 其实不如想象的低
; f2 I/ f& T! R5 h0 R( l( a. x甚至有可能比电源走线还高
1 k9 s" X# h6 ^+ Q* d! N" q如此一来 噪声从GND逆游而上 就有可能发生- }/ F3 M; n: @, {- ]
7 ^3 x/ O# b9 Z
因此 一开头才说 拔电容试试
( g0 P; _8 T) ~. j- t1 [2 X
1 d% A/ |( S3 P3 k& J3 @9 h% ?2 _1 n1 l" M# `+ t' `
| 
/1 
楼主
收藏
淘帖
支持！
反对！
发表于 2024-1-17 10:10
发表于 2024-11-26 23:58