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求助:关于mos管发热问题

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1#
发表于 2012-6-19 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
各位:
. G4 c5 O' E, f( Q; k2 Z
+ J; G/ O/ B; \0 j9 i  E: y/ ~最近按照要求画了块板子,但调试时发现mos管烫的厉害,根本无法常时间工作。而且波形幅度值只有8V左右,请问如何解决发热问题,并提高波形幅度。9 H) }7 \- ~  w9 G& a4 C  x
原理图如下
6 @" T" P9 u6 F1 p5 N( q: E

123.png (153.04 KB, 下载次数: 7)

123.png

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2#
发表于 2012-6-19 17:57 来自手机 | 只看该作者
是贴片的吧!加大散热铜皮,如果是立体,在允许的情况下,加散热片吧!

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3#
发表于 2012-6-20 11:10 | 只看该作者
加大散热铜皮同时多打地孔

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4#
发表于 2012-6-20 12:31 | 只看该作者
本帖最后由 romantic878595 于 2012-6-20 12:34 编辑
: D  w) s1 g. J9 P* Z; K$ A
% D( n* ~4 P+ L6 T1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应降到1M以下。
; Z7 {6 C1 e4 ]% x2 ,选用低开启电压的MOS管,也就是所谓的逻辑电平MOS管。如果你用普通的MOS,要求10V的驱动,你的驱动IC只有5V,驱动不足,造成导通电阻大。0 f# o3 ]0 v# B0 e
3 尽量选用低导通电阻,低Nc值的MOS管8 U* A- n' f0 ?- n+ `# t
4 加强MOS的散热。
& b' [5 T" V& M5 在电感线圏处并上防止反向电动势的二极管。" N/ a3 j- c, L# J4 I
6 加强IC的电流驱动能力,HC00还有一个门没有使用,应把他们的输入并联,输出通过一个驱动电阻(约10R)后,然后并联.
- v* C0 v4 s0 S8 K( d

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5#
发表于 2012-6-20 15:13 | 只看该作者
4楼说的全面!!

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6#
 楼主| 发表于 2012-6-20 15:40 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31 6 i$ A5 d% f4 y* S7 j4 v1 c" |
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...

7 B4 H2 v- t/ {. v0 s, `3 h十分感谢你如此详细的解说

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7#
发表于 2012-6-20 21:43 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40
/ e+ J" b+ U3 ?十分感谢你如此详细的解说

! \6 n; F: E: R8 M+ Y  h5 v( c$ e不客气。论坛精神,我为人人,人人为我,相互学习,共同提高。感谢EDA365.

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8#
发表于 2012-6-21 10:49 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40 1 N1 @0 ?1 x1 M/ o; D
十分感谢你如此详细的解说
# S3 g1 _& v: |$ ~5 K
问题解决没?

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9#
发表于 2012-6-23 00:22 | 只看该作者
xhymsg 发表于 2012-6-21 10:49 / {( b, m# }. P
问题解决没?
$ I) [, F8 a) D# k) P
就是啊,问题决解了

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10#
发表于 2012-6-25 10:38 | 只看该作者
MOS极性接对了吗? 应该是个NMOS,图上画的却是个PMOS

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11#
发表于 2012-6-26 23:16 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31 7 d  k% H. D1 o% I  X5 x0 i2 v9 \
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...

3 p+ B3 S( ?8 \8 Q; c' {( {9 z  k学习!
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