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求助:关于mos管发热问题

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1#
发表于 2012-6-19 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
各位:6 O0 H3 [1 ~! p+ Q4 s! N9 M% ]

, b& K+ P9 _& X' ~: D. e  m% m* ~. Z最近按照要求画了块板子,但调试时发现mos管烫的厉害,根本无法常时间工作。而且波形幅度值只有8V左右,请问如何解决发热问题,并提高波形幅度。
$ v. Q; y1 c" T! o+ Z) b2 X原理图如下( z( R; C0 D5 k3 D5 e0 z

123.png (153.04 KB, 下载次数: 3)

123.png

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2#
发表于 2012-6-19 17:57 来自手机 | 只看该作者
是贴片的吧!加大散热铜皮,如果是立体,在允许的情况下,加散热片吧!

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3#
发表于 2012-6-20 11:10 | 只看该作者
加大散热铜皮同时多打地孔

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4#
发表于 2012-6-20 12:31 | 只看该作者
本帖最后由 romantic878595 于 2012-6-20 12:34 编辑 9 c) ^$ ~0 P" k5 C8 j/ ?7 S4 a6 t) _
. v2 }  c- ?/ Q3 U+ H6 C
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应降到1M以下。" B9 k$ f4 g9 u/ X
2 ,选用低开启电压的MOS管,也就是所谓的逻辑电平MOS管。如果你用普通的MOS,要求10V的驱动,你的驱动IC只有5V,驱动不足,造成导通电阻大。3 w, `0 g2 T" G
3 尽量选用低导通电阻,低Nc值的MOS管
6 _1 s/ k, f4 u* g1 S' W& u4 加强MOS的散热。1 w. _2 _1 ~1 o$ G5 v( ?7 [
5 在电感线圏处并上防止反向电动势的二极管。
5 ~! _3 c) Q* X5 x; k6 加强IC的电流驱动能力,HC00还有一个门没有使用,应把他们的输入并联,输出通过一个驱动电阻(约10R)后,然后并联.
; I& S% ^0 V6 b" X; |3 t0 V

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5#
发表于 2012-6-20 15:13 | 只看该作者
4楼说的全面!!

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6#
 楼主| 发表于 2012-6-20 15:40 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31
# \6 Z' a0 n& E" L1 J% S6 h1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...

" Z% b; q- O; [9 A十分感谢你如此详细的解说

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7#
发表于 2012-6-20 21:43 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40 , ]; Q1 S9 g8 I5 j: s
十分感谢你如此详细的解说
6 L% r, Q* v% ]) {2 r
不客气。论坛精神,我为人人,人人为我,相互学习,共同提高。感谢EDA365.

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8#
发表于 2012-6-21 10:49 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40 3 P( ^3 d  N& L. N
十分感谢你如此详细的解说

9 }/ u, O0 s+ K- {0 {3 \问题解决没?

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9#
发表于 2012-6-23 00:22 | 只看该作者
xhymsg 发表于 2012-6-21 10:49 , z2 I$ F; m# a. }- Y
问题解决没?
& X5 U+ Q  i9 f: e1 [  }$ g6 `3 d
就是啊,问题决解了

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10#
发表于 2012-6-25 10:38 | 只看该作者
MOS极性接对了吗? 应该是个NMOS,图上画的却是个PMOS

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11#
发表于 2012-6-26 23:16 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31 % E( @' ?+ Y+ k1 l0 t: `( A3 V
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...
& K; D: x: h# E, z2 ]+ s: R& X
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