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本帖最后由 EDADZE365 于 2023-10-18 12:03 编辑 , O' ?! }8 {+ {) i- m6 d
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; s$ o4 Y5 v! x" GESD是电荷放电,具有电压高、持续时间短的特点。根据这些特点,ESD能量衰减可通过电压限制、电流限制、高通滤波、带通滤波等方式实现,所以防护电路的形式多种多样。 4 g! {' S, P8 |/ u6 n1 O
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ESD防护设计可分为单板防护设计、系统防护设计、加工环境设计和应用环境防护设计。 ! n! G+ n3 f$ a: {, t; D# @- Y
一般整机、单板、接口的接触放电应达到±2000V(HBM)以上的防护要求。器件的ESD防护设计是在器件不能满足ESD环境要求的情况下,通过衰减加到器件上的 ESD 能量达到保护器件的目的。 . j- b* |, t- H! L
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静电放电对电子设备的骚扰一般分为传导和辐射两种途径: ; C0 ^3 d( U! }7 _
(1)传导方式是一种直接的电荷泄放方式。 3 i0 y# J& D) L2 k4 l! h, \
出现这种情况时,设备外壳放电点与设备内部形成了一条完整的放电路径,静电放电电流直接进入设备内部,流入信号端,造成电路功能异常。由于产品内部本身存在设计缺陷,恰好为静电放电产生的电荷提供了一条泄放至内部电路的路径,并且这条路径的阻抗较小。当上述情况同时存在时,通过泄放路径进入内部电路和关键元器件的电流很大,会造成元器件损坏。 0 y: |$ n2 w# r j/ `# {
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(2)辐射方式是一种较为间接的干扰方式。 3 A4 s% y2 r- U) |2 r' f' i
由于静电放电本身包含高频成分的尖峰电流,在很短时间内发生较大的电流变化,能够在附近电路的各个信号环路中感应出干扰电动势。当被测设备存在设计缺陷时,在某个环路中产生的干扰电动势很可能超过了逻辑电路的阈值电平,引起误触发,导致电路误动作。由于辐射的大小取决于与放电点的距离,如果放电点离被测设备核心元器件较近,电场强度会很大,会对设备造成影响。
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一般情况下,传导方式的静电骚扰对设备的影响更猛烈,容易造成设备损坏,而辐射方式的静电骚扰容易造成设备误动作。 ) v! K) T' t& E
放电电流及其电磁场经传导和辐射耦合进入电子设备,会引起电子设备的故障或损坏,尤其是计算机芯片、集成电路等等。针对以上问题,本期直播马永健老师将继续为大家解析ESD防护系列的知识,大家敬请期待! : O1 m+ P+ g- A% j9 V/ G
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0 X+ h! k) ?6 k. [7 b2023年10月19日19:30,电巢邀请到EDA365论坛特邀版主、原深圳兰博滤波科技有限公司首席 EMC专家马永健老师以《ESD保护电路解析》为主题的直播分享。
) H' }4 A0 [ O# @! Y" s& U/ [本期内容是继《ESD系统防护》、《ESD电路防护》和《ESD的器件防护》课程讲座后,针对ESD防护的第四讲——《ESD防护电路解析》。马老师依旧运用通俗易懂的语言,结合插图和案例,从工程角度出发,指出ESD技术防护只是ESD防护的一个节点为主题方向的直播讲解,本周四晚电巢直播,我们一起学干货! 3 ~3 q9 D4 _. c1 j6 K* O
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1、讲师介绍
: P+ g. n- W2 ?: {$ M2 i) D马永健老师:
2 @6 z, ^9 J5 O, @· EDA365论坛特邀版主 · 原深圳兰博滤波科技有限公司首席EMC专家 / V" B; ?: t5 }7 N/ K1 _/ L
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% H" e" P; {% F1 A+ _7 X1 Q2、要点前瞻 , `! ]2 H: [5 p0 [2 I1 n
1、对直接ESD的保护需要滤波措施,对间接ESD的保护需要屏蔽手段;
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* `9 W( A3 z( W N- \, Q0 e2、电子设备ESD防护的有效性在于I/O的ESD防护和PCB的ESD防护并重; " _2 W0 a) i T: h2 R* X( r' ~
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$ t: m" N/ n2 ~) a. G* F· 详细解读在PCB上抗ESD骚扰的设计原则和设计规范
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· 解说与外部设备连接的接口电路都需要添加ESD保护电路的必要性 ( E, J/ y; J1 V" V( ^
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