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请教DDR、SDRAM 布局 、走线流程

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1#
发表于 2012-6-10 17:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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       之前画PCB DDR到CPU这部分都是reuse方案商的,不需要做什么更改,现在需要自己走线,头脑中还没有一个概念,上网搜索了下,涉及到信号完整性问题(需要确定两颗DDR走什么样的拓扑,用Hynix做仿真,计算信号线大概长度;要分组走线,同组的线走等长,不同组的不要求等长)这方面的知识还没有一个宏观概念,请大家指点布局、走线流程。1 H7 x2 B# v3 A9 c4 C2 ?4 V% o: W3 R
       从原理图的制作到PCB结束,DDR到CPU这部分要做哪些工作。越详细越好啊!

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2#
 楼主| 发表于 2012-6-10 22:08 | 只看该作者
自己顶一个

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3#
发表于 2012-6-11 11:29 | 只看该作者
给你顶顶

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4#
 楼主| 发表于 2012-6-13 13:14 | 只看该作者
没有人理啊

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5#
发表于 2012-6-13 13:48 | 只看该作者
幫你頂頂,我也想知道

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6#
发表于 2012-6-13 13:57 | 只看该作者
坐等。。

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7#
发表于 2012-6-13 14:05 | 只看该作者
顶一个
  • TA的每日心情

    2020-7-22 15:08
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    8#
    发表于 2012-6-14 09:46 | 只看该作者
    帮忙顶

    该用户从未签到

    9#
     楼主| 发表于 2012-6-14 22:53 | 只看该作者
    高手不进来,或进来只看,不说

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2012-6-15 08:27 | 只看该作者
    如果是两片DDR那么相对于CPU应该对称放置,中心距最好在1000-1400mil之间。DDRI,DDRII是走远端分支的拓扑结构,地址公用,采用T点的走线方式,数据线是点到点的,没10/11根(D0-D8,DQM,DQS+/_)同层,等长参照时钟的走线长度做,50/25(DDRII)mil,DDR走线区域其他信号线不应进入,保持DDR走线区域的参考面完整。参考电压VEF走线宽度最少20mil

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2012-6-15 08:28 | 只看该作者
    数据线的长度应比地址线短《1000mil

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    12#
     楼主| 发表于 2012-6-17 23:16 | 只看该作者
    huangzj 发表于 2012-6-15 08:27
    6 \! I- F" o5 H$ P; ~* s* F8 a' Y如果是两片DDR那么相对于CPU应该对称放置,中心距最好在1000-1400mil之间。DDRI,DDRII是走远端分支的拓扑结 ...
    . `' a9 A& v# t8 o- D8 K" t) Y
    谢谢指教,请问这是经验值还是仿真出来的值?能将DDR走线从原理图到PCB设计完成一个完整的流程说一遍吗?直说DDR到CPU部分即可。
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