讨论差分线松耦合和紧耦合问题

Ivan_GONG

因为差分线之间存在串扰，所以在外层走线时需要松耦合
8 v6 P; Z- L  y& q  ^8 o, u; P, w因为内层没有远端串扰，所以在内层走线时要紧耦合
. d& z; d: y/ f% M3 K' Z/ |大家板砖扔过来啊 ！

Kaso

yejialu 发表于 2012-5-30 09:56
目前我们做差分线都倾向于紧耦合， 就是线间距不超过线宽的2倍为紧耦合，3倍以上为松耦合，没区分走外层还 ...

/ Y2 T4 Q, \. z# G1 h紧耦合＜3W，松耦合＞3W，那么松耦合线距没有一个区间范围吗？比如说小于多少才能耦合

qinqinstart

目前正在研究这个问题

nishiyufrank

和楼主讨论一下，我也目前正遇到差分线的问题，是DDR3的三对差分线，阻抗要求是100欧，线宽为5mile，线距为7mile，请问楼主这个松耦合和紧耦合有具体的量化吗？
) r& D6 Y4 Z% T/ e( ?恳请赐教

willyeing

lz不会吧，差分线相位180，自身会有窜扰问题吗，好像第一次听说哎！！！

qiangqssong

差分线对应该都走紧耦合比较好，跟内、外层没有多少关系！！

yejialu

# o, n/ `/ v: c% |8 @- e
" t+ g$ _7 q  b% Z* d目前我们做差分线都倾向于紧耦合， 就是线间距不超过线宽的2倍为紧耦合，3倍以上为松耦合，没区分走外层还是内层。对100欧的差分对，外层不容易做到100欧。紧耦合的好处有以下几点：1，节省布线空间。2，更好地抑制共模噪声。3，更好地使走线的阻抗与过孔的阻抗匹配（过孔阻抗按60到80欧姆估计）。目前只想到这些，希望对大家有帮助。

Ivan_GONG

nishiyufrank 发表于 2012-5-25 12:30
& Q1 l# ~8 V$ m- x- f0 \: M! V# r和楼主讨论一下，我也目前正遇到差分线的问题，是DDR3的三对差分线，阻抗要求是100欧，线宽为5mile，线距为 ...

量化的的话没有确定的值，可以参照5楼所说的3W的法则

Ivan_GONG

yejialu 发表于 2012-5-30 09:56
目前我们做搽粉线都倾向于紧耦合， 就是线间距不超过线宽的2倍为紧耦合，3倍以上为松耦合，没区分走外层还是 ...

, t" ^4 a1 p! @; {( D1 V请问是否考虑过查分线之间的串扰？

Ivan_GONG

willyeing 发表于 2012-5-25 12:32
* j6 F. ]/ a: W4 wlz不会吧，差分线相位180，自身会有窜扰问题吗，好像第一次听说哎！！！

你可以仿真试试，  串扰是减不掉的

nishiyufrank

Ivan_GONG 发表于 2012-5-30 20:59
量化的的话没有确定的值，可以参照5楼所说的3W的法则

谢谢楼主

scott

差分紧耦合是可以抑制外界对差分对的干扰，差分对相位相反，故可将外界叠加的串扰相抵消；
4 M0 @, a& E/ _; W对于差分对内的相互串扰，还真不好说，串扰的话应该会因为相位相反，使得相位差变小，影响的话不太清楚。

understudy

yejialu 发表于 2012-5-30 09:56
, e% h, m' P$ i目前我们做差分线都倾向于紧耦合， 就是线间距不超过线宽的2倍为紧耦合，3倍以上为松耦合，没区分走外层还是 ...

! Y/ R; m, z3 O& M. x紧耦合会使差分线的线宽变窄，损耗增大。所以紧耦合没有想象的那么好！

yejialu

自然有缺点，看你关注那点

saky66

外层差分走线奇模式与偶模式之间的传输差异是不是不可避免？这么说来差分线不适合外层走？
4 V: {5 I5 ]; W' C. n' V
另外，问个问题：内外层走线阻抗在制板工艺上，哪个更容易控制？

Ivan_GONG

高手现身吧

hewin

我觉着要看实际情况吧，如果外层走松耦合的时候，差分线的旁边正好有一根单根线是不可避免的，那你还会选择松耦合吗？小GONG!