讨论差分线松耦合和紧耦合问题

Ivan_GONG · 发表于 2012-5-25 10:30

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因为差分线之间存在串扰，所以在外层走线时需要松耦合
因为内层没有远端串扰，所以在内层走线时要紧耦合
大家板砖扔过来啊！

Kaso · 发表于 2022-3-15 09:52

yejialu 发表于 2012-5-30 09:56
) w o @4 V1 n目前我们做差分线都倾向于紧耦合，就是线间距不超过线宽的2倍为紧耦合，3倍以上为松耦合，没区分走外层还 ...

紧耦合＜3W，松耦合＞3W，那么松耦合线距没有一个区间范围吗？比如说小于多少才能耦合

qinqinstart · 发表于 2022-9-7 09:05

目前正在研究这个问题

nishiyufrank · 发表于 2012-5-25 12:30

和楼主讨论一下，我也目前正遇到差分线的问题，是DDR3的三对差分线，阻抗要求是100欧，线宽为5mile，线距为7mile，请问楼主这个松耦合和紧耦合有具体的量化吗？
恳请赐教

willyeing · 发表于 2012-5-25 12:32

lz不会吧，差分线相位180，自身会有窜扰问题吗，好像第一次听说哎！！！

qiangqssong · 发表于 2012-5-25 16:04

差分线对应该都走紧耦合比较好，跟内、外层没有多少关系！！

yejialu · 发表于 2012-5-30 09:56

本帖最后由 yejialu 于 2012-6-1 14:33 编辑

目前我们做差分线都倾向于紧耦合，就是线间距不超过线宽的2倍为紧耦合，3倍以上为松耦合，没区分走外层还是内层。对100欧的差分对，外层不容易做到100欧。紧耦合的好处有以下几点：1，节省布线空间。2，更好地抑制共模噪声。3，更好地使走线的阻抗与过孔的阻抗匹配（过孔阻抗按60到80欧姆估计）。目前只想到这些，希望对大家有帮助。

Ivan_GONG · 发表于 2012-5-30 20:59

nishiyufrank 发表于 2012-5-25 12:30
$ x" ]# l# d% v; q/ z2 I和楼主讨论一下，我也目前正遇到差分线的问题，是DDR3的三对差分线，阻抗要求是100欧，线宽为5mile，线距为 ...

量化的的话没有确定的值，可以参照5楼所说的3W的法则

Ivan_GONG · 发表于 2012-5-30 21:00

yejialu 发表于 2012-5-30 09:56 ( ^" y) g: _7 c. v. e
目前我们做搽粉线都倾向于紧耦合，就是线间距不超过线宽的2倍为紧耦合，3倍以上为松耦合，没区分走外层还是 ...

请问是否考虑过查分线之间的串扰？

Ivan_GONG · 发表于 2012-5-30 21:01

willyeing 发表于 2012-5-25 12:32
% F( q3 s8 o( T& ?! Z6 E- g6 x: Rlz不会吧，差分线相位180，自身会有窜扰问题吗，好像第一次听说哎！！！

你可以仿真试试，串扰是减不掉的

nishiyufrank · 发表于 2012-6-1 10:14

Ivan_GONG 发表于 2012-5-30 20:59
) \' l1 }5 v2 D& y8 {4 L- e量化的的话没有确定的值，可以参照5楼所说的3W的法则

谢谢楼主

scott · 发表于 2012-6-2 09:53

差分紧耦合是可以抑制外界对差分对的干扰，差分对相位相反，故可将外界叠加的串扰相抵消；
对于差分对内的相互串扰，还真不好说，串扰的话应该会因为相位相反，使得相位差变小，影响的话不太清

楚。

understudy · 发表于 2012-6-15 21:54

yejialu 发表于 2012-5-30 09:56
3 Q2 k! i& H2 q, z( u& z目前我们做差分线都倾向于紧耦合，就是线间距不超过线宽的2倍为紧耦合，3倍以上为松耦合，没区分走外层还是 ...

紧耦合会使差分线的线宽变窄，损耗增大。所以紧耦合没有想象的那么好！

yejialu · 发表于 2012-6-18 11:28

自然有缺点，看你关注那点

saky66 · 发表于 2012-6-18 14:43

外层差分走线奇模式与偶模式之间的传输差异是不是不可避免？这么说来差分线不适合外层走？

另外，问个问题：内外层走线阻抗在制板工艺上，哪个更容易控制？

Ivan_GONG · 发表于 2012-10-16 15:33

高手现身吧

hewin · 发表于 2012-10-21 12:39

我觉着要看实际情况吧，如果外层走松耦合的时候，差分线的旁边正好有一根单根线是不可避免的，那你还会选择松耦合吗？小GONG!

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