深爱SIC977X系列高功率因素非隔离智能降电流去COMP/VDD

邱R66888

型号            PF            MOSFET            封装                  应用范围
SIC9772      0.9         8.0Ω    650V       SOP7                <9W&<150mA
) Z6 z2 \+ v# v& Z6 V. d# USIC9773      0.9         4.5Ω    650V       SOP7/DIP7       <20W&<240mA
) Q5 K& i. {$ N2 d8 }2 HSIC9774      0.9         2.4Ω    650V       DIP7                <28W&<300mA
6 P+ j% M! @9 C' RSIC9776      0.9         2.4Ω    650V       SOP7                <20W&<300mA
1 n% j& a8 |$ O) t( a% KSIC9778      0.9         1.5Ω    650V       SOP7                <30W&<350mA
SIC9772L      0.9      8.0Ω    500V       SOP7                <9W&<150mA
SIC9773L     0.9      5.5Ω    500V       SOP7/DIP7       <20W&<240mA
6 G  j8 z  P( M5 a' Y) W0 {SIC9774L      0.9      2.4Ω    500V       DIP7                <28W&<300mA
! ?: Y" K! Y2 b) ^$ I- m- TSIC9775L      0.9      2.0Ω    500V       SOP7                <18W&<300mA
) C8 {1 m/ \& P2 Y高PF值，低THD;
内置高压供电，恒定启动时间；
5 C1 D3 T0 [$ ^% E+ ?+ y& g# `! z内置650V/500V功率MOSFET;
: f4 e4 A0 o& G, A±3%LED输出电流精度；
电流临界连续模式，逐周期电流限流
齐全完善的多种保护功能
过热调节功能
4 [+ E" j+ G& V; \5 @4 F& y去COMP脚电容，去VDD电容
( [9 K0 t4 z; t9 d! k. Y6 HSIC977xB系列高功率因素非隔离去COMP/VDD
1 a: ^5 U0 S0 Y4 X型号            PF            MOSFET            封装                  应用范围
) v7 o' ~: o1 R4 I" r6 k, uSIC9772B      0.9         7.0Ω    650V       SOP7                <9W&<150mA
SIC9773B      0.9         3.6   Ω    650V       SOP7/DIP7       <20W&<240mA
SIC9774B      0.9         2.4Ω    650V       DIP7                <28W&<300mA
SIC9776B      0.9         2.4Ω    650V       SOP7                <20W&<300mA
2 P/ p( q7 j2 R% M# y( nSIC9778B      0.9         1.5Ω    650V       SOP7                <30W&<350mA
- W9 w; O1 G5 i% a& y$ T9 d高PF值，低THD;
* q) e9 K+ l- Z1 v- Q  K内置高压供电，恒定启动时间；
: V- L) \) Q; H& ?; m) @6 y内置650V功率MOSFET;
±3%LED输出电流精度；
* t7 {; |' ?. j; s" ^电流临界连续模式，逐周期电流限流
* z! B6 h# d: i$ D# d3 L# j  A( i齐全完善的多种保护功能
5 \/ L  m3 V) K- O过热调节功能
去COMP脚电容，去VDD电容
$ j- Q" F/ F: r2 _邱R：18028337418（微信同步）QQ：3101377292