分享一个74HC165D补充型输出 并行或串行至串行移位寄存器

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74HCT165是符合JEDEC标准7A的高速Si栅极CMOS器件。它们与低功率肖特基TTL（LSTL）引脚兼容。
8 w$ O4 n1 _( B! @  C) v74HCT165是8位并行加载或串行移位寄存器，具有可从最后一级获得的互补串行输出（Q7和Q7）。当并行加载（PL）输入为LOW时，来自D0到D7输入的并行数据异步加载到寄存器中。
当PL为HIGH时，数据在DS输入端串行进入寄存器，并向右移动一位（Q0→ Q1→ Q2等）。该特性允许通过将Q7输出连接到下一级的DS输入来扩展并串转换器。
时钟输入是门控OR结构，其允许一个输入用作有效低时钟使能（CE）输入。CP和CE输入的引脚分配是任意的，为了布局方便，可以颠倒。对于可预测的操作，输入CE的LOW到HIGH转换应该仅在CP HIGH时发生。CP或CE应在PL的LOW到HIGH转换之前为HIGH，以防止在PL被激活时移位数据。

特性
•电源电压范围从2.0到6.0 V
$ |; A' p7 n2 t" p7 y•CMOS低功耗
' D, {8 H6 ^9 y•高抗噪性
% D& h6 q* l  i& D% z•根据JESD 78 Class II Level B，闩锁性能超过100 mA
•异步8位并行负载
  f/ ^0 }7 d3 s3 [* }•同步串行输入
•输入水平：
•对于74HC165：CMOS级别
•对于74HCT165：TTL电平
5 h# h/ s; o: t& a8 Z* H•符合JEDEC标准：
•JESD8C（2.7伏至3.6伏）
6 m: `  P) Q! |•JESD7A（2.0 V至6.0 V）
  K6 Y' d, j$ F* W2 k& v: B6 |2 {9 n•ESD保护：
0 _8 }3 R$ g% j, C/ A•HBM JESD22-A114F超过2000 V
* t0 R  Z8 }$ C7 w/ L•MM JESD22-A115-A超过200 V
•多种包装选项
•规定范围为-40°C至+85°C和-40°C到+125°C

应用
•并行到串行数据转换

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