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在使用HL8.1 对电源网络进行Decoupling仿真时,检查去耦电容的布局质量,如果不去掉电容的地过孔(电容的接地脚只能接到安装面的地层),仿真结果会提示电容布局质量不good:6 q8 w, I5 ~( A
Processing decoupling capacitor C266
5 }* `4 Q5 ^6 U0 k( E6 HW: All decoupling capacitor nodes have connections at same layer Inner_Layer_5, capacitor cannot be modeled
# N- S) r, n5 y9 C5 O3 r5 Q* tW: Failed to create decoupling capacitor model; using simplified low-frequency model
; Y$ f& T2 o; B; A: |3 N, e/ C. k提示电容的地接到电源块的同一层(L5)而导致去耦电容不能起到Decouping的作用。1 U$ q4 I7 U& e! U4 s
2 Q) d9 t7 Y4 S: d$ o# ]/ x
重新隔离电源层(L5)中的去耦电容的接地埋孔不到地,检查结果仍不行。
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只有去掉电容的地过孔(电容的接地脚只能接到安装面的地层),仿真结果才能提示电容布局质量good。
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" W$ T- o+ Z0 p. k- L3 M 而PI要求去耦电容的地必须单独直接下到主地,因此在HDI中的地埋孔不可避免的要经过电源层。. ^$ l. g; s& s, [
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因为这个原因,搞得对仿真结果的正确性有怀疑,求哪位达人指点,如何处理这个去耦电容的接地问题,谢谢!
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