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MOS的参数选择以及导通速度的计算
8 r7 J9 X2 P5 r4 Z% M, [
3 G$ |+ x/ b% I3 }4 Z' t0 S根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度，这个方法对不对？
( M& `; a1 D; {2 K& B- v; ^( H8 R# U3 J2 C/ C9 Q1 I) v% ]) z# z9 i
有没有相近的NMOS推荐！VDS≥60V，ID≥15A，导通内阻≤20mΩ，VGS≤10V，导通速度≤20ns，也就是≥50M，封装TO252，需要数量10pcs，研发验证阶段，用在医疗器械治产品。预计用量10K/月。张生，13691842170（加微信备注好不要打电话，谢谢）' S+ e, F/ i- `( @& t9 ?3 I
/ A5 Y" n' ]& K6 S& ]
" w Z1 g! W# Y2 B选择更高要求的MOS是为了满足信号传输的要求同时提高效率，降低温升, P7 F" J8 `$ ?6 W U& A
" f3 _5 x( R$ m( {& w7 q6 W y/ p4 N
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发表于 2023-6-3 09:30
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