TA的每日心情 | 擦汗
2020-1-14 15:59 |
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欢迎讨论：siwave与HFSS微带线仿真对比！
4 `- v# t! f7 t" Z5 t- H
+ [! q. v# p" Z6 K' Y* v4 m- f% _仅仅作为仿真，结构并不一定非常合理6 Y6 W1 I1 V3 |2 x
8 [7 T2 p# P& F m* T; D6 L微带线宽10mil
3 l9 p* W& X6 o0 A/ N2 Z微带线厚2mil
1 [$ _6 [2 v' N2 l微带长度5010mil6 Q/ E" W( G$ }* s$ p/ [1 ~
中间介质厚10mil，介电常数4.4（按仿真工具里面默认的FR4选择）
' z! h& N+ P. `, x4 I参考面厚2mil
+ h2 a6 _0 M3 v: ~# f8 F S9 B8 e( y
9 v) K- s; G$ {1 e1 }. V
: }5 r0 U/ d) O$ D, a/ H0 STDR仿真设置：
( u7 \% Y6 B2 V5 [rise time：100ps；della time：10ps
3 \4 ]8 X# i$ Y3 t: r4 M
. Q/ _3 C" B& c( C, w2 a在SIWAVE中画一根5010mil的走线；有一个完整的参考平面
1 |5 i* W. B. `- x- G然后得出的S参数与TDR仿真结果如下
& n9 E5 I( ~% v* G# b+ e' H' U
8 D; E2 U0 P$ L) n) @( n
$ E: g, }- p7 S: F" }2 o7 V3 M
--------------------------------/ T# L; g1 o9 O1 T! T9 j/ a2 V S
2 [. a0 |4 x! l6 w- K k' W在HFSS中，画一个参数化结构，PCB长宽100mil X 100mi，端口使用内嵌deembed功能（-4190mil）' u: `6 F ^# |3 |
使用终端驱动摸索，waveport端口处的的设置：$ ]) Z" i8 ? D8 }
sheet宽是走线的5倍关系，长是微带线与介质厚度的11倍关系# {& Z x" \0 l, G/ ^: s: l& C4 T
然后得出的S参数与TDR仿真结果如下# c0 f' o4 l4 j. D, `
4 m9 ]- r+ ~2 \$ _5 C+ e$ o6 E s* F5 U- A, @5 U; W
C( K; E% Z3 Y. r x' O
$ s# S7 ?7 B0 b6 T* y) E
8 [0 ]/ f% s( c( A$ U, N9 |/ F
) e1 [7 u: r/ m$ s% P N6 }问题：
, |5 z1 p1 U6 K' \9 j（1）siwave仿真的结果跟使用polar的仿真结果基本接近；hfss怎差了好几欧；这样的结果是否是正确的
# r' q. ?% ]5 H3d与2d的适应范围与精度是如何进行评估呢？9 L- T, W* `5 u5 ~7 R4 J3 A6 ]( r
6 \9 }: @5 y7 H7 m3 Y2 _2 b- a（2）因为目前没使用仪器测试过TDR，希望有经验的朋友能提供一些仿真与实测的数据对比结果
3 r" A A0 k6 ~" |7 |- F# k) I/ V! r1 C
（3）从史密斯园可以看出那些情况？转的圈数是不是就是谐振点数？也就是这跟走线上经过的波的数量？如何能快速了解这跟走线到底走了多少波长？
; n5 a. q+ t0 t- S1 o4 Q" i z8 w! G; g ] ?
（4）如果在hfss按照微带5010mil长度建模，好像仿真得出的结果差异非常大，不知道这个结果是不是跟模型走线过长，存在严重的辐射边界反射导致的？在正确使用waveport的时候应该注意那些问题？下图是这个的仿真结果，看着比较诡异
- p5 g3 ^. R2 q+ _) g
( C) a S1 f/ O% T$ `3 J# Q7 i8 c+ b. T8 q
) ?! I& T0 F! w
# t# L& j, l2 O( O+ f6 E9 l' y
- i3 t/ r3 y( s& L& _& b
6 a: k/ V8 L' P5 L5 W# Z
C( n7 Z6 o1 \8 k+ K |
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发表于 2012-4-16 22:12
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