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lhuijiang 发表于 2012-4-16 20:39 ![]()
' o$ N( Q; i# z% f3 V6 ]! Q2 R多谢版主关注。
- y; X+ `6 g, e1 Q- w9 p今天对比了4.0和5.0两个版本，4.0版本的是OK的。
: X, _# @8 a+ y9 U提醒5.0版本的用户仿真注意，如果软件计 ...
4 _/ v) @% M& i5 y% [对这一段结论我持保留态度
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7 Y7 E1 B/ o& l- l) ~1.首先我没用在微带线属性栏里看特性阻抗，今天留意了一下，它应该是由RCGL来组合出来的，没有经过场求解器计算，建议最好用SIWAVE跑完后看TDR，这样得到的结果更准确
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+ t. e' S# P* n9 T" X2.对于挖空地平面来计算特性阻抗更需要用场求解器来计算实际阻抗，最好是3D场求解器
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另外在最近的参考平面上挖空和线宽一样的槽肯定不能直接等效成走线直接参考下一个参考平面来计算，因为你不知道被挖的平面上槽的两边是否还有更大的感应电流，尤其这种槽比较窄的情况下那么槽两边的感应电流毫无疑问不能忽视的，下面给出例子: c9 O8 C2 Z7 d3 @' S& S. e
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# b( a/ w7 [) v' e" B* Q 通过HFSS仿真参考平面挖的槽与线宽相等时槽两边的电流密度0 E: B+ g2 w9 o9 ?; x8 R
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特性阻抗的变化情况
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明显能够看出槽左右两边的电流密度较大，肯定不能忽视这一层参考平面的对阻抗影响的效果，从阻抗曲线上来看特性阻抗也是变化不大的2 K/ @1 y% \0 f
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7 [& J, {! P. C, ] 通过HFSS仿真参考平面挖的槽比较大时时槽两边的电流密度7 |3 b u8 n, h" n8 g
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能够看出槽左右两边的电流密度已经很小了，而且从阻抗曲线上来看特性阻抗变化较为明显了
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所以要是这样看来的话SIWAVE5.0应该比SIWAVE4.0更加接近实际情况了 w y7 I0 G2 o% n$ f
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发表于 2012-4-14 21:25
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发表于 2012-4-17 12:04
楼主
???