TA的每日心情 | 擦汗
2020-1-14 15:59 |
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HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？" V; v3 h/ z/ w6 R/ S4 c
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因为之前尝试使用LUMPER PORT端口，辐射边界是包围电路的air腔体0 {! c! |9 S3 h( g9 L: d0 K* @
6 I7 O& B, P* M9 A: X在使用WAVE PORT，腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小6 E" C7 r5 O8 |9 k6 z7 }# M
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( V( x; b* v+ ?( V, E3 H$ P8 F% q8 v: _7 N& s. p
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/ x* M' ?0 w0 ]请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界？这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗？这样的结果是否是准确的* B o( ]$ I& ^9 R# p- M- K
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8 w" N" b' Z6 ?( ]& A因为看hfss的一个full book里面的一个via模型，也是按WAVE PORT设置的，电路板的边界与空气腔体全接触，使用的也是辐射边界
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另外，好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面
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它跟辐射边界有什么区别么？8 d4 k9 ?! N% v; n
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希望有经验的朋友指点指点，一直比较困惑
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发表于 2012-4-11 08:39
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