代换FGH75N65SHDT型号参数的IGBT，用于单相组串式逆变器电路

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单相组串式逆变器在家用市场中的发展越发侧重在互联网连接随时随地监控实的时代，因此模块级对于电源优化器的需求是有显著增长的势头。需求增长如何让产品能够在市场中获取增长优势呢？
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0 q  ^9 u6 U9 r# a6 V2 x究其根本是需要为单相组串式逆变器选一款好的IGBT，毕竟IGBT能够提高单相组串式逆变器的效率以及功率密度等。
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+ l. p7 }+ R7 }! @) G% T在国外的FGH75N65SHDT型号是常用于单相组串式逆变器后极逆变电路中的Two-level，而对于国产是可以选择FHA75T65A的IBGT单管作为替代使用。
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" {: W, v5 ]) Y" y/ {3 \; O为何？这是由于FHA75T65A的IGBT单管拥有高可靠性以及反向并行的快恢复二极管特性，Trench Field Stop  technology（拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降）、拥有正温度系数。
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: U/ A- ?1 [  d6 c- s3 l从上述特点可知，这一款75A、650V电流、电压的FHA75T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在单相组串式逆变器后极逆变电路中的Two-level上。
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( m% S9 W8 B" E当然，在应用中，我们单相组串式逆变器研发工程师一定要了解这款优质FHA75T65A国产IGBT单管的详细参数：其具有75A, 650V, VCEsat典型值：1.75V-typ ，＜2.0V；ID (Tc=100℃)：75A；BVdss：650V；IF（A）(Tc=25℃)：150A；IF（A）(Tc=100℃)：75A。
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FHA75T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间能做出来良好的权衡。

  H( |3 y6 ?, EFHA75T65A出色的导通压降与极短的拖尾电流为客户在优化系统效率时提供有力的帮助。

; I9 o( `' j+ W6 U1 Z目前FHA75T65A型号IGBT单管已经广泛适用于高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、电焊机等各类软硬开关和PFC电路，可适用开关频率1~60KHz。可替代其它品牌型号：FGH75N65SHDT。
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* H* S9 q! x; i; e$ N) u# IFHA75T65A的封装形式是TO-247。这款产品参数：Vcesat-typ (@Ic=75A)：1.75V；IC（A）：75A；Bvces（V）：650V；Vge（±V）：30；。
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有典型电路的接法吗