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不间断电源高频逆变电路该选择哪款IGBT代换FGH60N60SMD型号参数呢

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发表于 2023-4-14 22:18 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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对于不间断电源高频逆变电路是选择IGBT还是MOSFET的功率开关管呢?
/ Z. F5 }! {0 |4 h! a
+ Z9 H" E" r5 }2 o+ k飞虹半导体建议正在使用FGH60N60SMD的型号参数的IGBT单管的不间断电源高频逆变电路都可以了解一下FHA60T65A型号参数的IGBT单管。8 m0 l( n" |8 n
$ b0 U& p+ n' ^" q" H, y1 O# \1 u
毕竟目前对于全球的IGBT市场都是存在不稳定性的,未来市场对于不间断电源的需求一定是增加的,如果让产品能用上产能稳定的IGBT管,对于厂家都是很重要的?在国内有有比较好的IGBT能替代该型号参数的吗?& q/ d0 U6 Q6 E, b

' R- `, y2 C8 I  {今天飞虹电子就来回答对于不间断电源高频逆变电路,要使用什么IGBT型才能适配电路这一问题。/ i# l& K$ Y) ^$ g# J2 k! L8 _. n% p
, {# c/ O# W  h; H" d" D

8 z0 L* x4 r- N8 F( r1 X对于不间断电源高频逆变电路,我们推荐使用飞虹电子的FHA60T65A。毕竟FHA60T65A是可以代换FGH60N60SMD等IGBT的产品型号参数。
+ N" b: l8 ]% B2 P- o/ [- c* j' w: o5 W2 e7 C
为什么?因为FHA60T65A拥有反向并行的快恢复二极管特性、高可靠性,Trench Field Stop  technology(拖尾电流非常短、出色的Vcesat饱和压降、关断损耗低)、拥有正温度系数。: J6 f& U% f" g" M* X; i

- M# G+ R4 w1 u2 t在特点中可知,这一款60A、650V电流、电压的FHA60T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在不间断电源高频逆变电路的电路上。4 m# o7 N9 \6 l' S. t
& z" f( E- E) B% `! a

& `+ u; P" L1 G0 `在实际情况中,我们不间断电源高频逆变电路研发工程师一定要了解优质FHA60T65A国产型号的详细参数:其具有60A, 650V, VCEsat典型值:1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。6 V% b! S4 ^4 [" \- z

( u& G9 Y: n8 R6 s0 Q' oFHA60T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺,来获得极低的 VCEsat 饱和压降,并在导通损耗和关断损耗(Eoff)之间能做出来良好的权衡。
: H2 m+ y9 ~% `  o: S/ D- Z  m5 j7 x- C8 q& F  H/ J$ I+ `# d
目前FHA60T65A型号IGBT单管已经广泛适用于不间断电源高频逆变电路、光伏逆变器、高频车载正玄波AC220V逆变器、户外储能电源、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代其它品牌型号:FGH60N60SMD。
+ c$ [& n) ~$ [% s
. c9 L3 \" ~  eFHA60T65A的封装形式是TO-247,其具有60A, 650V, VCEsat典型值:1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。& \, `" F: Q( M$ x7 u
7 [) |  e( K& }3 F# c

+ ~( t! j3 ?3 c高频逆变电路已经广泛应用于不间断电源中。因此对于不间断电源高频逆变电路如何在元器件上面提升产品质量,除选用FGH60N60SMD型号外,还可以用飞虹半导体的国产型号:FHA60T65A型号参数来替代。
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4 {% a( H6 Q6 h. K! h  B飞虹半导体主要经营IGBT、MOS管、场效应管、三极管等半导体器件。目前已取得美国GE、阳光照明、纽福克斯、雷士照明、易事特、茂硕、金莱特、华艺、佛山索尔等优质客户的认可与应用。致力为国内及全球电子厂商提供优质的配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制IGBT产品。( Z/ O5 e* W8 z4 l/ `% d1 t1 L
8 y  j5 t$ v" g4 k: J( N
直接百度输入“飞虹IGBT厂家”即可找到
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