不间断电源高频逆变电路该选择哪款IGBT代换FGH60N60SMD型号参数呢

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对于不间断电源高频逆变电路是选择IGBT还是MOSFET的功率开关管呢？

飞虹半导体建议正在使用FGH60N60SMD的型号参数的IGBT单管的不间断电源高频逆变电路都可以了解一下FHA60T65A型号参数的IGBT单管。

" R1 p  ?# L3 Z. b毕竟目前对于全球的IGBT市场都是存在不稳定性的，未来市场对于不间断电源的需求一定是增加的，如果让产品能用上产能稳定的IGBT管，对于厂家都是很重要的？在国内有有比较好的IGBT能替代该型号参数的吗？
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# q) l" `( \% C( `6 h, u% j9 M. M4 p今天飞虹电子就来回答对于不间断电源高频逆变电路，要使用什么IGBT型才能适配电路这一问题。

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对于不间断电源高频逆变电路，我们推荐使用飞虹电子的FHA60T65A。毕竟FHA60T65A是可以代换FGH60N60SMD等IGBT的产品型号参数。

为什么？因为FHA60T65A拥有反向并行的快恢复二极管特性、高可靠性，Trench Field Stop  technology（拖尾电流非常短、出色的Vcesat饱和压降、关断损耗低）、拥有正温度系数。

1 |" d7 [4 {% E. R7 j在特点中可知，这一款60A、650V电流、电压的FHA60T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在不间断电源高频逆变电路的电路上。
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在实际情况中，我们不间断电源高频逆变电路研发工程师一定要了解优质FHA60T65A国产型号的详细参数：其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。

FHA60T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间能做出来良好的权衡。

5 n5 P* s" w. V+ o1 m6 [8 ?6 n' ?目前FHA60T65A型号IGBT单管已经广泛适用于不间断电源高频逆变电路、光伏逆变器、高频车载正玄波AC220V逆变器、户外储能电源、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代其它品牌型号：FGH60N60SMD。
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3 {7 K% a, M; P! yFHA60T65A的封装形式是TO-247，其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。

高频逆变电路已经广泛应用于不间断电源中。因此对于不间断电源高频逆变电路如何在元器件上面提升产品质量，除选用FGH60N60SMD型号外，还可以用飞虹半导体的国产型号：FHA60T65A型号参数来替代。
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飞虹半导体主要经营IGBT、MOS管、场效应管、三极管等半导体器件。目前已取得美国GE、阳光照明、纽福克斯、雷士照明、易事特、茂硕、金莱特、华艺、佛山索尔等优质客户的认可与应用。致力为国内及全球电子厂商提供优质的配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制IGBT产品。

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