|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
本帖最后由 Heaven_1 于 2023-4-7 16:14 编辑
$ `* H1 L! r/ r/ X1 x7 B% n8 }- e2 N
对于H6桥拓扑的单相光伏逆变器是选择IGBT还是MOSFET的功率开关管呢？
! ?- u& T& {5 e! j, y) m! v" `" M& }! \# d$ o) @
对于这个问题其实市场上在应用中已经有比较好的答案，目前在H6桥拓扑的单相光伏逆变器中经常会用到FGH60N60SMD的IGBT单管。5 C4 k0 G* |: V! R4 R
) X4 Y+ g5 |4 _4 v9 F8 m7 d但由于目前IGBT市场的变化以及产品产能的稳定性问题，对于厂家都在考虑如何选择能代换FGH60N60SMD的型号参数的IGBT单管来应用呢？在国内有有比较好的IGBT能替代该型号参数的吗？9 z9 t! T; | N( `
/ x$ F! m* g" J5 C' J. A8 j
以上问题对于任何一家基于H6桥的单相光伏逆变器厂家而言都是重要的。今天飞虹电子就来回答对于基于H6桥的单相光伏逆变器，要使用什么IGBT型才能适配电路这一问题。
* F* g7 B. Q& O E, C7 t
' g" [7 y4 ?, P: Q0 ?9 u$ B/ [! ?* S1 e. X
对于基于H6桥的单相光伏逆变器，我们推荐使用飞虹电子的FHA60T65A。毕竟FHA60T65A是可以代换FGH60N60SMD等IGBT的产品型号参数。
' S J/ f+ L0 G q n! `' H( P8 N! O% n
为什么？因为FHA60T65A拥有反向并行的快恢复二极管特性、高可靠性，Trench Field Stop technology（拖尾电流非常短、出色的Vcesat饱和压降、关断损耗低）、拥有正温度系数。3 R4 A( `& G: W) \' [4 E+ }. u
0 j! Q) m# l6 u% t) R, {/ \
在特点中可知，这一款60A、650V电流、电压的FHA60T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在基于H6桥的单相光伏逆变器的电路上。
1 Y1 ~3 s3 w `2 f2 z) e
" S" Z, Q/ R9 u5 z: J# ^5 ]) S2 g
( w' l# T1 @( n: j8 n目前在应用中，我们基于H6桥的单相光伏逆变器研发工程师一定要了解优质FHA60T65A国产型号的详细参数：其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。
* n9 \ ?6 s5 J/ s6 @' B, @; ]; i( z" O4 u+ Q; R2 |8 i) C
FHA60T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间能做出来良好的权衡。( f& I+ U8 a/ O
% i6 J% Q& f8 Z4 S, g: t# ?$ O
目前FHA60T65A型号IGBT单管已经广泛适用于基于H6桥的单相光伏逆变器、高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代其它品牌型号：FGH60N60SMD。
3 @9 T w2 ~( Z$ k1 E7 q. a c$ ~- x9 i& I/ P
FHA60T65A的封装形式是TO-247，其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。
3 X. W0 ]" H1 Q( `, [
8 z; P) `4 d/ x H; m$ i- ?1 g3 z y& q( m: ~( Z a
因此对于选取单相光伏逆变器所需功率开关管(IGBT 或MOSFET) ，由于高频开关管的开关频率为20KHZ。所以为减少损耗、提高整机效率，应选取EON/EOFF较小的开关管，同时驱动电路也应相应优化，减少开关损耗。, ?2 l9 E& ~. {3 O, ]) ]
. j5 W% {' P1 A7 s( L
- u, A2 [8 A9 q f/ ?9 B" @ ]) H; s' @/ S% j
' Q6 e: q0 f0 |; B* ] |
|
/1 
发表于 2023-4-7 15:28
收藏
淘帖
支持！
反对！