|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
本帖最后由 Heaven_1 于 2023-4-7 16:14 编辑 5 p t8 x4 z: D$ U/ l" {) H% x& c9 \
' p) V, E6 H* z/ i, ?5 d对于H6桥拓扑的单相光伏逆变器是选择IGBT还是MOSFET的功率开关管呢？
$ y! J2 p; u% H b7 t2 C" ^( L, Y/ n, m( g' w2 o5 l
对于这个问题其实市场上在应用中已经有比较好的答案，目前在H6桥拓扑的单相光伏逆变器中经常会用到FGH60N60SMD的IGBT单管。
! c' L I$ Y7 K ~" \ r( w" L- }! d
但由于目前IGBT市场的变化以及产品产能的稳定性问题，对于厂家都在考虑如何选择能代换FGH60N60SMD的型号参数的IGBT单管来应用呢？在国内有有比较好的IGBT能替代该型号参数的吗？
, R8 ]" T( U4 f) N* X
8 L8 M( ?* o, E4 l) K- Z以上问题对于任何一家基于H6桥的单相光伏逆变器厂家而言都是重要的。今天飞虹电子就来回答对于基于H6桥的单相光伏逆变器，要使用什么IGBT型才能适配电路这一问题。
1 }, j, h! l7 j3 N9 C
. {# A( m4 O% p- i. s8 I8 p& C5 ^; Q( n
对于基于H6桥的单相光伏逆变器，我们推荐使用飞虹电子的FHA60T65A。毕竟FHA60T65A是可以代换FGH60N60SMD等IGBT的产品型号参数。, o; _: _' P8 ?: ?- A
, z! E7 F- F' O Y3 t4 m! |& I% d
为什么？因为FHA60T65A拥有反向并行的快恢复二极管特性、高可靠性，Trench Field Stop technology（拖尾电流非常短、出色的Vcesat饱和压降、关断损耗低）、拥有正温度系数。7 q# Q: s/ w7 U' G7 O1 ?. `
: b6 A5 @$ }7 A C( a# E* L; H
在特点中可知，这一款60A、650V电流、电压的FHA60T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在基于H6桥的单相光伏逆变器的电路上。
Q# c' r# n+ m) A$ a& R7 J( f5 s: P t. u/ R& Y1 N X- f/ b2 q
% m' e0 O7 x9 f+ h
目前在应用中，我们基于H6桥的单相光伏逆变器研发工程师一定要了解优质FHA60T65A国产型号的详细参数：其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。! \8 K% F+ q/ b+ W6 U6 E
) L5 z3 `5 Q: f2 {; f; u3 zFHA60T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间能做出来良好的权衡。& P; g8 U, t" O& P
* _& m k1 \$ D目前FHA60T65A型号IGBT单管已经广泛适用于基于H6桥的单相光伏逆变器、高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代其它品牌型号：FGH60N60SMD。
( h8 J% b8 N0 I7 b8 j" ]" U7 P# w. N) o4 b
FHA60T65A的封装形式是TO-247，其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。; o9 i2 G9 _1 a2 G! r
5 b7 O, l. Z( y Q0 z( l3 [ V
因此对于选取单相光伏逆变器所需功率开关管(IGBT 或MOSFET) ，由于高频开关管的开关频率为20KHZ。所以为减少损耗、提高整机效率，应选取EON/EOFF较小的开关管，同时驱动电路也应相应优化，减少开关损耗。
5 x& e& f! L5 S N6 P
2 j, `' B% r4 E- \/ x! z3 a) t% ^+ J' {+ l1 \% o+ ^, ~1 Q" }
" u- S; B2 Q" O! N
( U% W1 h- C, W' @& O1 d6 N% A% t; ]6 ` |
|
/1 
发表于 2023-4-7 15:28
收藏
淘帖
支持！
反对！