光伏Heric逆变器的IGBT解决方案：国产型号FHA60T65A

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# W) t& i/ m8 d4 C这几年来伴随可再生能源以及分布式发电技术的发展，在光伏发电系统中Heric逆变器的应用也越来越广泛。如何在竞争发展中保持产品的质量，需要选择好的IGBT来代换FGH60N60SMD应用于Heric逆变器中。
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为何需要选择一款igbt来替换FGH60N60SMD型号参数呢？
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因为后极逆变电路是Heric逆变器中一种非常重要的电路结构，能够提高电力系统的效率、稳定性和可靠性。

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7 U2 Z/ p+ ~" v2 F) v3 q# z# g如何在国产化电子元器件的时代，寻找优质的IGBT型来代换FGH60N60SMD产品的型号参数来提升产品在市场的竞争力？

" ~3 s" H% x& {+ i+ x今天飞虹半导体优先针对的光伏Heric逆变器产品进行分享，如果有其他需求的，可直接咨询飞虹半导体的官方网站mosgcj.com。其实对于Heric逆变器的，我们推荐使用FHA60T65A应用于Heric逆变器电路中。毕竟FHA60T65A是可以代换FGH60N60SMD型号的产品型号参数。
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2 M6 V( E. c; T" |7 \为什么？因为FHA60T65A拥有高可靠性以及反向并行的快恢复二极管特性，Trench Field Stop  technology（拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降）并且拥有正温度系数。

4 p$ p8 O* }5 j8 U( @8 _4 Z) \结合以上特点可知，这一款60A、650V电流、电压的FHA60T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在光伏Heric逆变器的电路上。
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1 l4 u9 q: T" j  C. u值得注意的是，光伏研发工程师一定要了解这款优质FHA60T65A国产IGBT单管的情况：它是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间能做出来良好的权衡。

目前FHA60T65A详细参数：其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。

在产品应用上，飞虹半导体建议工程师一定要注意对产品进行试样。飞虹都会安排专业的产品工程师跟进追踪产品的应用情况。

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+ i* P3 e# ]; v7 e! S! [在后极逆变电路的电路应用中，我们想提升产品效率、稳定性和可靠性时，除选用FGH60N60SMD型号外，还可以用飞虹半导体的国产型号：FHA60T65A型号参数来代换。
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逆变器中IGBT是核心器件