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1PN结及其单向导电性* M/ k4 v# u2 h- W& T1 T% Y) K/ ~' T
(1)要点:
$ A, g( i6 u! N1 D; s4 |- 半导体知识:载流子、杂质半导体(P型半导体、N型半导体)
- PN结:P型、N型半导体交界形成的空间电荷区,是构成半导体器件的核心单元。
- PN结的单向导电性:
4 F5 o v! Y% C# U9 F* h H正向导通:PN结外加正偏压(P“+”,N“-”),呈低阻状态,正向电流较大,端电压约为零点几伏;
. y, G2 h: B8 h9 T4 e4 {4 k反向截止:PN结外加反偏压(P“-”,N“+”),呈高阻状态,反向电流较小,且与温度有关。
4 z9 N( v; N+ g- K u
: v! S7 y8 q+ U4 o
% m/ `5 C9 `' E( I0 c2半导体二极管0 y" W+ ^' ^+ a/ A" r# N! ~/ }; g- M% ] E# U
(1)要点:
; u8 x! F3 H. N! k<ul class="list-paddingleft-2" style="">结构:PN结+外壳+引线9 a5 f# }% p/ e2 F2 s7 W+ }: i' D1 U' d$ {
4 ~1 p0 N& R. M8 X A2 K+ Z; w
特点:单向导电性1 a9 `8 V! y4 t! [9 u0 |
伏安特性:
" b3 S+ _0 t$ A5 E+ P* x
7 ?7 E/ ?2 C' h; n
0 A$ t8 N3 M: d7 O, b1 p7 ]2 m8 n特性曲线:
0 d f. q/ Q* M3 q* D1 u2 T输入特性:uCE为常数时,输入电流iB和发射结电压uBE的关系:iB =f(uBE)。
& k9 {7 Q: c | O* \输出特性:iB为常数时,三极管管压降uCE和集电极电流iCE的关系:iC =f(uCE),分三个区:放大区,截止区和饱和区。: f, M$ L e, b0 Y6 V+ x
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