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白光干涉3D轮廓测量仪满足时下半导体封装测量需求

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发表于 2023-2-22 10:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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近年来,面对持续高涨的芯片需求,半导体行业生产迎来了高难度挑战——对芯片工艺要求更精细,从5nm到3nm,甚至是2nm。“先进封装”的提出,是对技术的新要求,也是对封装工艺中材料和设备的全新考验。
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芯片身上布控着几千万根晶体管,而晶体管越小,可放置的晶体管越多,性能也将越高。芯片的进化就是晶体管变小的过程。晶体管密度更大、占用空间更少、性能更高、功率更低,但挑战也越来越难以克服。小尺寸下,芯片物理瓶颈越来越难以克服。尤其在近几年,先进节点走向10nm、7nm、5nm......白光3D轮廓测量仪适配芯片制造生产线,致力于满足时下半导体封装中晶圆减薄厚度、晶圆粗糙度、激光切割后槽深槽宽的测量需求,助力半导体行业发展。
" R# f: A, g3 U+ O  U1 K) C5 ^
- b" L6 D; B/ G/ a& k0 NW1白光干涉3D轮廓测量仪X/Y方向标准行程为140*100mm,满足晶圆表面大范围多区域的粗糙度自动化检测、镭射槽深宽尺寸、镀膜台阶高、弹坑等微纳米级别精度的测量。
+ a: U! o0 R( o4 F: ~- O& m6 Z: C7 P. B1 ], |
台阶高精确度:0.3%
8 J4 x6 j* d7 M$ H* W台阶高重复性:0.08 % 1σ
0 G( m% {1 [- b5 D5 X7 o+ d! b纵向分辨率:0.1nm3 L# F% b8 F# [  q
RMS重复性:0.005nm
8 ]$ d1 E' {! P横向分辨率(0.5λ/NA):0.5um~3.7um
+ A/ D, A1 j# c特点:粗糙度测量、弹坑测量、测量尺寸6英寸以下。. y3 q. f3 n( {2 t

) a6 P" V/ f$ l5 E

' u: A0 ]4 K$ x$ u5 b: pW3白光干涉3D轮廓测量仪X/Y方向标准行程为300*300mm,超大规格平面、兼容型12英寸真空吸附盘能检测12寸及以下尺寸的Wafer;气浮隔振设计&吸音材质隔离设计,确保仪器在千级车间能有效滤除地面和声波的振动干扰,稳定工作;自动化测量半导体晶圆。* w% _8 `1 S! b1 z
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半导体领域专项功能
  @5 L* g& p- z( S6 k/ ~5 `7 ]1.同步支持6、8、12英寸三种规格的晶圆片测量,一键即可实现三种规格的真空吸盘的自动切换以配适不同尺寸晶圆;5 k) F* Y5 i( ]. ^( I% p2 r1 A/ {4 h
2.具备研磨供以后减薄片的粗糙度自动测量功能,一键可测量数十个小区域的粗糙度求取均值;% s+ [& a6 L+ ?; U8 P6 Z
3.具备划片工艺中激光镭射开槽后的槽道深宽轮廓数据测量功能,可以一键实现槽道深宽相关的面和多条剖面线的数据测量与分析;; q8 Z) f0 \, L1 V) k& _
4.具备晶圆制造工艺中镀膜台阶高度的测量,覆盖从1nm~1mm的测量范围,实现高精度测量。, {9 ]- q1 l5 g# _: A0 I9 q

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晶圆翘曲度测试方法

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