UPS高频逆变电路IGBT替代型号，FHA40T65A替换FGH40N60SFD

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UPS高频逆变电路该选择哪款IGBT代换FGH40N60SFD型号参数呢？这一问题可能会实际给高频逆变器研发工程师带来困扰。毕竟选择一款650V、40A的IGBT，还能替代仙童FGH40N60SFD型号参数的国产IGBT还是值得考虑的。
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+ Q/ U/ p- G/ Z! p/ o6 U. \那么在国内有有比较好的IGBT能替代该型号参数的吗？对于这个问题，我们首要考虑的一定是产品质量，毕竟产品不行的话，直接影响自己的UPS。所以如何在国内找到能够替代仙童FGH40N60SFD完美使用的IGBT是很重要的。
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这个问题对于任何一家UPS高频逆变器厂家而言都是重要的。今天飞虹电子就来回答对于UPS高频逆变电路，要使用什么IGBT型才能适配电路这一问题。
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其实对于UPS高频逆变电路，我们推荐使用飞虹电子的FHA40T65A。毕竟FHA40T65A是可以替代FGH40N60SFD等IGBT的产品型号参数。

! [% }9 d$ X7 N! R; s6 p为何？因为FHA40T65A不仅拥有反向并行的快恢复二极管，而且具备高可靠性，Trench Field Stop Ⅱ technology（拖尾电流非常短，出色的Vcesat饱和压降，关断损耗低），拥有正温度系数。

从上述特点可知，这一款40A、650V电流、电压的FHA40T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在UPS高频逆变电路的电路上。

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目前在应用中，我们UPS高频逆变电路研发工程师一定要了解优质FHA40T65A国产型号的详细参数：其具有40A, 650V, VCEsat典型值：1.51V，＜1.85V；ID (Tc=100℃)：40A；BVdss：650V；IF (Tc=25℃)：40A；IF (Tc=100℃)：20A。

FHA40T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间做出来良好的权衡。

; b" W8 u# d" A$ r+ j8 `  r- z. |目前FHA40T65A型号IGBT单管已经广泛适用于UPS高频逆变电路、户外储能电源、高频车载正玄波AC220V逆变器、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代其它品牌型号：仙童FGH40N60SFD。
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FHA40T65A的封装形式是TO-3PN。这款产品参数：Vcesat-typ (@Ic=40A)：1.51V；ID ：40A；BVdss ：650V 、Vge ：±30V；。
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在产品应用上，对于UPS高频逆变电路我们可以使用4个FHA40T65A型号的IGBT使用在全桥拓扑结构中。
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6 U1 ?' E5 B  s$ O' t飞虹电子主要经营IGBT、MOS管、场效应管、三极管等半导体器件。目前已取得美国GE、阳光照明、纽福克斯、雷士照明、易事特、茂硕、金莱特、华艺、佛山索尔等优质客户的认可与应用。致力为国内及全球电子厂商提供优质的配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制IGBT产品。

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