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MIPI trace上的bypass电容是否有要求?

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1#
发表于 2023-1-29 10:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MIPI trace上的bypass电容是否有要求?
4 ~# `7 v/ j  {0 O  z$ S3 D

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2#
发表于 2023-1-29 10:54 | 只看该作者
MIPI trace上的bypass cap最多47 pF。。。

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3#
发表于 2023-1-29 13:18 | 只看该作者
去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了

该用户从未签到

4#
发表于 2023-2-8 18:10 | 只看该作者
这多半跟芯片厂商讨论   各家芯片要求不一. a; u5 E2 A8 W6 u, j, Z
除了MIPI   许多控制讯号   像是PCIe$ y. {$ g$ `6 ~1 T$ G: W+ O
其落地电容值都有规范
8 u# K1 E! y# K) e因为值太大   会使上升/下降时间拉长: o" m; t6 d! n
进而影响逻辑判断   导致控制出问题9 i& u) Y, `; r9 _" n* @

; l5 `1 H1 B0 P/ W* f! l2 e) o6 o所以有些厂商  对于走线长度也有规范   即便走内层
: m; X  N& {* ?. K(走表层会有EMI辐射问题  肯定太长不允许)
0 h4 l! t$ B* {" N7 @原因在于走线太长   除了Loss大   整体寄生电容也大1 n* r& d) {" E' I

- f' r4 L3 j1 ]. w当然你说寄生电容这么关键的话   要不要联机宽都限制?/ D  L# }' E( `6 L
基本上是没严苛到这样  
' n5 H9 e+ ^- m5 {/ ~% ^况且有些控制讯号   像是PCIe   需要阻抗控制  90 Ohm. W/ C" d; {- h  g
那线宽就不能乱调
* f/ z* v2 A4 l* n
0 w, \+ Y' M, }
8 @3 ^' K% O0 }/ i' {
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