电容天线效应问题求助

kaixinjiuhaola

我所用的是TSMC1p4m工艺，所需用的电容有M3和M4（顶层金属）组成，M3如果接后续电路，不经过处理DRC会报天线。而M4（顶层金属）直接连接后续电路却不会报天线，我想知道问什么，在制作顶层金属的时候有什么特殊的工艺？求赐教

starskyuu

TSMC工艺顶层一般有RDL和non-RDL两种可供选择。通常顶层金属比较厚一些。至于你说的antenna问题是正常情况，因为用M4代替M3实际上相当于通过跳层来处理了antenna问题。

kaixinjiuhaola

starskyuu 发表于 2023-1-12 15:10
' z( A( r3 o2 H: N( G5 H1 u8 ETSMC工艺顶层一般有RDL和non-RDL两种可供选择。通常顶层金属比较厚一些。至于你说的antenna问题是正常情况 ...

M4是顶层金属，只能向下跳线，向下跳貌似解决不了任何问题啊

monarch_zen

好东西，好学习呀

Copper_Hou

kaixinjiuhaola 发表于 2023-1-12 17:44
5 z' \; {5 ]# r, ZM4是顶层金属，只能向下跳线，向下跳貌似解决不了任何问题啊

7 ?# |3 h" f( B9 \2 IAntenna effect是应对于wafer fab中plasma工艺（尤其是Dry etch）的电荷击穿绝缘膜层导致漏流的风险。控制关键点在控制“上层metal-绝缘膜层-下层Metal”中顶层metal相对于绝缘膜层界面的面积比不能过大。M4是顶层metal的话，向下跳线的做法对于下面绝缘膜而言，M4金属的antenna面积没有改变，也就是antenna的风险不变。
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