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SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?

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发表于 2022-12-23 10:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?
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发表于 2022-12-23 10:53 | 只看该作者
SiC具有更宽的禁带宽度。/ a# ]2 g! }% P$ s6 t

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发表于 2022-12-23 10:57 | 只看该作者
散热性更好。, v- Q- `! z; O# B. N6 G7 `' y

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发表于 2022-12-23 11:06 | 只看该作者
具有更低导通损耗和开关损耗。. j, h# H) e1 o  v2 n

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5#
发表于 2022-12-23 11:11 | 只看该作者
碳化硅器件也有其自身的缺点,在浪涌电流能力方面,由于SiC-SBD的浪涌值远低于相应的硅FRD,因此成为非常重要的指标。
9 W7 m; ^/ w5 P+ ?$ T
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