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[技术讨论] 在电路的EMC相关实验中,那电容的耐压值该怎么考虑呢?

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发表于 2022-12-15 16:19 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在电路的EMC相关实验中,有一些电压脉冲的实验,那电容的耐压值该怎么考虑呢?

2 ^" w+ O- |  H% n) B( U, v+ u& B/ W3 S' w
  w$ n9 Q7 J: v4 U: [2 K
该图为相关的电压脉冲实验,可以看到 12v的系统中,最高的US达到了-150V,那我们在选择输入滤波电容时要选耐压在150v以上的?4 `& D7 g& [% c) r

而实际情况中往往选用的是50V的耐压,而电解电容可能耐压选的就更低了,可能只选择35v的,这样不会造成滤波电容的损坏吗?


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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-12-15 16:57 | 只看该作者
    这个可能和脉冲的能量有关,类似静电,电压很高,其实能量很小,具体理论支撑就不晓得了,没有关注过
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2022-12-15 17:02 | 只看该作者
    电容是比较禁得住折腾的,禁不住的是半导体器件,尤其是MOS工艺的器件。
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    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2022-12-15 17:04 | 只看该作者
    电容的耐压仅考虑正常工作下的极端情况,脉冲串测试的高压脉冲能量很小,跟供电根本不是一码事。
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