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BGA到焊盘这段走线 是不能挖空的; _" v: ^9 w: `) j% ?1 r
因为为了方便出线 所以这段的线宽 会极细
; i) u8 z. z. Z( i& G. h意味着阻抗已高于50奥姆
/ R6 Q( i8 F# R2 v+ l% Z如果这段走线下层挖空 但线宽又无法拓宽(不然会无法出线)& p* W4 ^! ~, U3 s, y
那么已高于50奥姆的阻抗 会变得更高 更远离于50奥姆- w/ f4 ^ a. H1 o) P
你RF性能只会更差
3 Q; @ C: ]6 l+ n7 m& t5 f. J
1 [. z# L# o% d8 D$ K/ F( s换言之 这段走线 只能牺牲阻抗来配合BGA出线
2 J3 ] k5 T/ ?7 T* N- U3 d因此多半都很短 也就是零件都紧挨着收发器0 i6 j4 b8 M( V- z) A4 L* q
# S1 s/ m8 k; Q' u( n6 F7 m& d3 q: W# J& y& R1 L4 w5 _" D
再来 如果是其他区块的RF走线
: R2 s7 a* J% T, j; Z) I2 `! ~在维持50奥姆阻抗情况下 . _4 A2 `6 i3 F3 }: v
挖空固然可以藉此拓展线宽 进而降低损耗& S3 F8 v. K0 S$ X7 H$ o- {, T' n
但
) \. S8 w3 u0 t, f8 M9 H寄生效应不一定降低
" H9 v g0 I; J; g原因是 寄生电容 不只跟距离有关 也跟表面积相关
) A/ L" S+ u% q+ w% \( {' x
$ n6 S/ l0 f H3 B. H8 }/ Z5 {# a
5 Z( z0 K- {9 T! R$ d! h你现在拓展线宽 等同表面积增加
/ ?% l2 e( i3 ~* n. d# B1 J4 S. B好啦 距离增加(挖空) 但表面积也增加(拓展线宽) n- O" [0 c4 N1 j/ w5 V7 T* W( ?
那整体寄生电容 到底增加还减少?; P$ l; _ F+ K& o& h3 j' P7 x
所以我才说不一定 要计算才知道# H& G! V _, O2 G5 z a" e, _, `
甚至有些PCB的迭购 计算后会发现% g0 Q. P4 g3 _ R0 A: c4 `+ K
在维持50奥姆阻抗情况下 挖空 + 拓展线宽0 h$ o( l- [) [4 Q
寄生电容反而还略增加咧4 C. l3 m- B$ u7 t7 [; Z4 w
, L4 S X4 A- `3 x( w2 ^( Q9 Y
% O" h3 W9 B( X( {而0402焊盘 因为宽度会远大于50奥姆线宽
; S& j" t7 `! z3 C4 K. I换言之 其阻抗肯定远小于50奥姆/ {* H; y3 @- i
因为焊盘大小不会变 所以如果挖空- J( i( |( E/ o; ?2 n1 c* {2 U
可以使其远小于50奥姆的阻抗提高 更接近于50奥姆
, O3 x H5 }8 V& U同时也可以降低寄生效应 (因为只有距离增加 表面积没增加)
% s5 L8 Y9 s$ ]' T3 |4 Q5 Q C+ w( h9 F& k
所以 做个小结5 d, q6 [9 l' f& C* w
- g7 v* E1 v$ H! d. W1. BGA到焊盘这段走线 不能挖空 3 d* s; ]3 J% X' m; x. }8 U
2. 其他部分走线 在维持50奥姆阻抗情况下
# X5 O- B( _% \( e' h 挖空可以降低损耗 但寄生电容未必增加或减少
5 s# z. Q$ V }3. 0402焊盘 挖空可以让阻抗更接近50奥姆 同时降低寄生效应
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