EEPROM擦写频率

QWE4562009

EEPROM擦写频率

: M6 R9 [$ u2 U! x5 p/ B( f

EEPROM擦写频率怎么理解？怎么根据擦写频率选择EEPROM还是flash？比如如下这个案列

3 g/ C# r, Z, N

每100ms采集一次数据，每秒存20个字节（实际使用清空EEPROM存储的数据是每周清除三次，这个是否也是擦写频率的一种？）这种应用场景，用外挂的EEPROM还是用mcu的flash？用flash可以节省成本！毕竟128Kbit＆SOT23-5封装的EEPROM价格有些贵！而且找不到国产的！交期也是问题，目前只有美国微芯microchip才有！

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Maskman

EEPROM的特点是：可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。
flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。
2 x7 [: [* v/ |1 J4 I# K根据你的描述，数据可以按照块，进行擦除！

QWE4562009

每100ms采集一次数据，每秒存20个字节和清空EEPROM存储的数据是每周清除三次，，哪个才是擦写次数？？10万次的寿命这里能用多少年

QWE4562009

Maskman 发表于 2022-11-10 09:48
7 _( w  x2 Q) r3 d3 rEEPROM的特点是：可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM， ...

既然EEPROM都做不大  直接用flash不就好了？flash无非就是擦写的次数更短而已？擦除的方式按块擦除