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替换IRF3710PBF场效应管型号参数,逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构用国产MOS管

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发表于 2022-11-3 23:47 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-11-4 09:30 编辑
  }0 G( H+ X7 v2 K1 L$ |8 u/ G$ ~6 y9 X* R+ Q
逆变器整体的企业发展趋势在不断增强,2022年仅1-9月国内新增光伏装机容量52.6GW,接近去年全年水平。发展如此迅猛,如何选择一款好的MOS管应用于逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构中呢?
% P) m+ `( |* g' l( Z- k
) e& _/ D4 {" d1 I) @- @: I在市场中,IRF3710PBF场效应管型号参数是有常用于逆变器的Q1-Q2组成推免拓扑结构中的,而在国产化的替代型号中,建议可选FHP3710C型号进行替代使用。究竟为何呢?
' R. w+ I: x3 m+ |& g  [) K( r# ~7 p
5 W5 D0 @5 S% I; J" P2 N$ X
我们可从三个角度进行分析为什么推荐FHP3710C场效应管用于逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构?$ Y- c( I  f. t3 N" e$ L

5 }5 H5 _" x5 P  @一、FHP3710C场效应管产品质量优,供货稳定, F+ l$ k+ j; ]4 U2 E
  q$ F5 D  L. K$ ?0 z- U; O% c
这款优质FHP3710C国产场效应管的产品参数:其具有57A、100V的电流、电压,RDS(on) = 23mΩ(MAX) @vgs = 10 V,RDS(on) = 18mΩ(TYP) @VGS = 10 V,最高栅源电压@VGS =±20 V。& R7 M2 K6 a8 \1 k# ?

/ S: V, B2 F9 G0 @5 q纯国产制造,具有100% EAS测试,100% DVDS测试,高EAS雪崩能量,可靠性高,抗冲击性能强的特点。# H8 l9 l% I4 T: z! i
/ i" g! o+ T- U9 }" L/ s2 p/ e
FHP3710C的封装形式是TO-220。这款产品参数:VTH(V):2-4;ID(A):57A;BVdss(V):100V、Vgs(±V):20;。9 X. P0 \/ ^+ C  A
1 w( Z. e( d1 z6 O- h9 c7 K

. U1 u5 X- O6 o/ ]- R" k二、FHP3710C场效应管产品应用专业,针对性强! h2 U! @9 V' \4 @9 S# j, F" i) F

8 _$ @* W# |2 ]% M% ?# KFHP3710C为N沟道增强型场效应晶体管,采用plane平面工艺来获得抗浪涌冲击能力强特点,可使用在音响功放、逆变器、UPS等应用场景。可替代场效应管品牌型号:IRF3710PBF。& n$ f3 [6 }! D0 R7 j
/ t$ F1 _7 t7 m- ~) D- U" T$ d
在具体的应用中,还可依据逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构厂商的不同产品定制对应的MOS管产品使用方案。
7 B+ a6 D8 f% m- ?# d( e% p7 n6 v; l
三、厂商专注且可信赖度高
2 u* K& L: V# S$ g
: @# r" Q6 j: J% _( \9 kFHP3710C型号的MOS管是由国内已经专注研发20年的MOS管厂家生产,它是可以代换IRF3710PBF等型号参数的场效应管。: a; G! x: c7 P3 I8 E
. E2 f4 }' O* s. X  t$ A
工厂曾多次被认定为广东省高新技术企业、功率MOSFET被认定为广东省高新技术产品。" Q9 X/ c8 j, H' L8 V4 E' u

, c, b9 {9 y4 H- `6 ?: B4 P8 z" Z+ y通过三点描述,相信大家都清楚FHP3710C型号是非常适合在逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构的电路中使用。
! ~6 \9 l9 T$ `! @) ?* f7 L' K) `
# z+ x9 l. O; k& i
# y, |2 X! |5 P  V3 j4 @& H' R3 l3 y
除参数适合外,工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。7 i2 v8 q  q+ q! N. ~8 G) h  N

* s  @: y, ~) c8 c, p- @
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    2022-1-21 15:20
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-11-4 09:25 | 只看该作者
    替换的元器件建议选择品质高,性能好的。还要看替代器件的各个参数是否符合要求
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