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替换IRF3710PBF场效应管型号参数,逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构用国产MOS管

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发表于 2022-11-3 23:47 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-11-4 09:30 编辑
( J. i# [5 T6 o, J1 L( r
' Y" s2 H7 B! l+ a逆变器整体的企业发展趋势在不断增强,2022年仅1-9月国内新增光伏装机容量52.6GW,接近去年全年水平。发展如此迅猛,如何选择一款好的MOS管应用于逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构中呢?; s/ y3 W9 a4 j* Z6 q. W
( S; D. o3 g4 K" e+ j
在市场中,IRF3710PBF场效应管型号参数是有常用于逆变器的Q1-Q2组成推免拓扑结构中的,而在国产化的替代型号中,建议可选FHP3710C型号进行替代使用。究竟为何呢?
; B, M- s2 e/ |5 \' S+ Z  n# c
  y) s2 s: U/ a. Z0 R& L" z6 R. K
9 I; r& u3 W3 ^$ u% d
我们可从三个角度进行分析为什么推荐FHP3710C场效应管用于逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构?; q7 k6 g+ t& y4 j. x# e

' L. i* [* U: ?( a0 e一、FHP3710C场效应管产品质量优,供货稳定1 B2 i9 l* |% X' I* Q. j
0 V) p6 b. c" O9 o' a
这款优质FHP3710C国产场效应管的产品参数:其具有57A、100V的电流、电压,RDS(on) = 23mΩ(MAX) @vgs = 10 V,RDS(on) = 18mΩ(TYP) @VGS = 10 V,最高栅源电压@VGS =±20 V。2 q4 T, _& r( q* D9 p# y9 `

6 @- S$ i( S* c, a& M2 J* a纯国产制造,具有100% EAS测试,100% DVDS测试,高EAS雪崩能量,可靠性高,抗冲击性能强的特点。
! O7 q1 u9 T( v( t$ ]' d8 R
6 t  y& h; {! z- IFHP3710C的封装形式是TO-220。这款产品参数:VTH(V):2-4;ID(A):57A;BVdss(V):100V、Vgs(±V):20;。8 B  T: j4 G6 f+ h3 n
, _! o. W6 _* `: ~& ~2 w8 R

6 ~2 s, u% m, ]7 S二、FHP3710C场效应管产品应用专业,针对性强! G% g9 ]: n9 \: K7 G* X
% e& r5 w& o' r/ I, c/ W
FHP3710C为N沟道增强型场效应晶体管,采用plane平面工艺来获得抗浪涌冲击能力强特点,可使用在音响功放、逆变器、UPS等应用场景。可替代场效应管品牌型号:IRF3710PBF。
+ t* U. ^9 R5 Z4 v1 W2 \8 Z' ~6 R2 ~4 r3 {1 V- F
在具体的应用中,还可依据逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构厂商的不同产品定制对应的MOS管产品使用方案。. e' K0 W* V0 D' M9 t

- z+ I$ P2 f8 Z; c3 P* W0 E3 P三、厂商专注且可信赖度高
, M* R3 |* }2 ^' B/ A. E' i
2 Q1 x; @- O/ g' l' o$ n' RFHP3710C型号的MOS管是由国内已经专注研发20年的MOS管厂家生产,它是可以代换IRF3710PBF等型号参数的场效应管。
4 V! ^  t6 z+ _( t% T; s4 t' r  t  b: g8 ^
工厂曾多次被认定为广东省高新技术企业、功率MOSFET被认定为广东省高新技术产品。
: h/ E2 g/ w0 `& L  }7 n0 ]9 U" D- l( ]0 C3 Z
通过三点描述,相信大家都清楚FHP3710C型号是非常适合在逆变器Q1-Q2组成推免拓扑结构的电路中使用。
' N4 c8 D$ r, n
+ l/ K$ ]! E! e7 F/ k; O& B  s) w: ~

8 w: A5 A7 w' p3 h+ b4 r除参数适合外,工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。9 l6 `0 s& P# m& Y0 `
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: E3 ?5 N9 K5 a9 d$ w  ^
  • TA的每日心情
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    2022-1-21 15:20
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-11-4 09:25 | 只看该作者
    替换的元器件建议选择品质高,性能好的。还要看替代器件的各个参数是否符合要求
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