电子元器件MOSFET选型

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MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称MOS管。

+ z4 q4 F" g5 p, n6 J    管子类型：N沟道增强型MOS管、P沟道增强型MOS管、N沟道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管。（以N沟道增强型MOS管SQ3426EV-T1_GE3为例）
( H. n6 m) w! n6 e    漏源极最大电压Uds：60V，超过此值管子会损坏。
    删源极最大电压Ugs：±20V，超过此值管子会损坏。
    最大功耗PDM：1.6W@125℃，决定于管子允许的温升。
    最大漏极电流IDM：4A@125℃，管子连续工作时漏极电流的上限值。
2 h2 X* Z9 j* i( \" _$ `: k    栅源极开启电压Ugs(th)：2.5V，增强型MOS管参数。
1 P7 a3 K5 j7 U4 J$ ~) N    栅源极夹断电压Ugs(off)：XXV，JFET和耗尽型MOS管参数。
    漏源极导通电阻Rds(on)：32mΩ
( r# ?, r2 V6 j: E, _    低频跨导gm：21 S(西门子)，表示ugs对id控制作用的强弱。
    下降时间：7ns
    上升时间：12ns
    典型关闭延迟时间：19ns
* F0 M7 \. J9 L! O& O    典型接通延迟时间：9ns
3 I; E; T/ v8 q9 h    工作温度范围：-55~175℃
3 ~) A) U& x4 E( k% i    封装：TSOP-6
    质量认证：AEC-Q101
    环保认证：ROHS
9 U- A4 k0 Q5 D2 C  k5 [: ~    厂家：Vishay
' n8 R) E2 f9 j5 E    出货累计失效率：＜0.1ppm
    量产时间：2018
    出货量：10KK/M
9 h# S' x1 }9 v. X+ i; j    使用寿命：＞10年
    价格
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MOS管用处挺多的

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效应管，其输出电流是由输入的电压(或称场电压)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗。

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漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。