电子元器件MOSFET选型

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MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称MOS管。

    管子类型：N沟道增强型MOS管、P沟道增强型MOS管、N沟道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管。（以N沟道增强型MOS管SQ3426EV-T1_GE3为例）
+ ^+ x# h% k& O6 ~, F$ l* F    漏源极最大电压Uds：60V，超过此值管子会损坏。
) }! R9 p3 d5 |; f0 W    删源极最大电压Ugs：±20V，超过此值管子会损坏。
4 V9 X" W! h+ b% h    最大功耗PDM：1.6W@125℃，决定于管子允许的温升。
9 y' x5 Q4 k1 \1 @# M% V5 Y    最大漏极电流IDM：4A@125℃，管子连续工作时漏极电流的上限值。
& E# c2 s; s# S7 B! Z$ N+ U; A: y    栅源极开启电压Ugs(th)：2.5V，增强型MOS管参数。
% W' E- o7 k  h4 O6 W# U    栅源极夹断电压Ugs(off)：XXV，JFET和耗尽型MOS管参数。
" i9 z0 y1 M1 J' Y2 x    漏源极导通电阻Rds(on)：32mΩ
# b9 C& _1 S% {" }# Z: n    低频跨导gm：21 S(西门子)，表示ugs对id控制作用的强弱。
    下降时间：7ns
9 Z1 q, K2 m1 z* Y/ J* u5 {    上升时间：12ns
+ ^# Z" b9 l' Z6 e    典型关闭延迟时间：19ns
    典型接通延迟时间：9ns
    工作温度范围：-55~175℃
    封装：TSOP-6
+ A  V) n  Q! G! ~4 W3 t% J    质量认证：AEC-Q101
6 }: V( n5 r: K/ z4 ]    环保认证：ROHS
    厂家：Vishay
6 @% D0 D' D) B9 \$ w    出货累计失效率：＜0.1ppm
8 z# O2 p9 o% v/ @3 w+ T  j/ O    量产时间：2018
    出货量：10KK/M
    使用寿命：＞10年
- |5 I) N8 h! h. b- D5 A4 y    价格

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MOS管用处挺多的

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效应管，其输出电流是由输入的电压(或称场电压)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗。

STGing

漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。