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常用浪涌防护器件包括气体放电管、压敏电阻、TVS、TSS、OVP等。+ x0 z1 V5 i0 z% T
6 X/ u1 e% J* f气体放电管9 g; J; q! u6 L$ F. y
" e1 v& F3 \9 V/ G( n& ~" K9 L1、特点:- g# B# G1 ]/ ^1 {! Q j$ P
a、响应速度慢微秒级
" h8 |- q* X& o" y3 C' m# J. r: bb、通流量最大、电压动作精度低,有续流现象
# |2 p: Z1 V7 Z! X. P( sc、寄生电容最小、漏电流小、有一定残压1 i* ^' G( P0 c# l# S/ B1 X
d、失效模型开路、老化失效. b& x4 L3 o% }: l8 J" o" h
5 U/ K) K) R+ |$ O
2、使用场景:
- R7 V8 n* F8 B6 d8 l' y体放电管主要可应用在交流电源口相线、中线的对地保护;直流RTN和保护地之间的保护;信号口线对地的保护;天馈口馈线芯线对屏蔽层的保护。; F# v- B3 }: Y7 O! F; b+ `
J( X, D$ ]: K- I" F& [3、选型原则:
: I, e3 D8 [: g) B: `) x, Y防雷电路的设计中,应注重气体放电管的直流击穿电压、冲击击穿电压、通流容量等参数值的选取。8 P# o% {' [2 F' d
/ h6 X7 n2 w. e$ I* j/ h
设置在普通交流线路上的放电管,要求它在线路正常运行电压及其允许的波动范围内不能动作,则它的直流放电电压应满足: min(ufdc)≥1.8UP(min(ufdc)≥1.25*1.15UP)。式中ufdc直流击穿电压, min(ufdc)表示直流击穿电压的最小值。 UP为线路正常运行电压的峰值。! A8 r3 v b1 [# d+ F
7 [4 |: Z% G3 v# F8 N
压敏电阻4 |- U- b6 U3 C
W2 M/ K% m( n" x, h1、特点:9 k. x: @3 f% w$ T" J
a、响应速度快纳秒级,略慢于TVS
; p: w' m* i, Y; `8 V- Mb、通流量大、价格便宜
! X) A+ L" r; Z0 \( }% wc、寄生电容大,不适合于高速电路
0 x, m" d/ e# r" Bd、失效模型短路、老化失效. q0 K( r1 v2 S0 h3 d& t0 _" d
5 f9 J$ o2 s# a7 W1 h( b6 P. S
2、使用场景:& U5 i2 n1 j% p3 Q1 m3 r% n
家用电器、其他电子产品,主要作用过压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消澡、保护半导体器件等; }7 q6 v: S- F8 r' d5 T( U
. z1 W, X" Q/ [4 T3、选型原则:4 ] p1 D9 o6 i0 _4 r, Q1 c3 x
在直流回路中,应当有: min(U1mA) ≥(1.8~2)Udc,式中Udc为回路中的直流额定工作电压。
( H4 V4 O/ o( K& g, _% L在交流回路中,应当有: min(U1mA) ≥(2.2~2.5)Uac,式中Uac为回路中的交流工作电压的有效值。
" w; j( S! g4 b6 @- i在信号回路中时,应当有: min(U1mA)≥(1.2~1.5)Umax,式中Umax为信号回路的峰值电压。
9 h) }- [6 U; B7 W, J8 G: k
3 S5 l2 _ E' c$ S压敏电阻的通流容量应根据防雷电路的设计指标来定。一般而言,压敏电阻的通流容量要大于等于防雷电路设计的通流容量。* n) i0 G/ F' H" K
8 q, g" f6 G" b c8 S' G6 |
TVS管" r$ U8 ?8 @& W8 E9 }* X
* O% X$ T! W& `1、特点:
* u b0 z6 W+ l; B T, j7 K+ ~5 ]8 v7 Y2 L
a、响应速度最快纳秒级," q) W7 [" S$ S$ `* _8 C0 ~
% j% B8 r0 p L' C4 _5 ]! U/ i
b、通流量小、价格便宜& {# ]( b) z; I. w. }; |/ M
- w4 o7 t6 O0 ^% P
c、寄生电容较小
& c! A+ p' c" h: i/ m! {
- p, p$ l. n/ ~) G5 [d、失效模型短路
* ?9 r6 |9 ?4 F
; S }; r" `- [% X) W2、使用场景:
7 h w6 q. n2 B7 ^ X- k1 m |* G/ v+ R/ @7 @& p
家用电器、其他电子产品,主要作用过压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、保护半导体器件等% |4 g6 v+ ]$ c: k; I' R
' Y3 d* \5 K' Q2、选型原则:(被保护芯片峰值Udc*1.67*1.414)
L& _6 M& a& m/ Z1 s4 l* W& `( W9 f2 D2 k2 K; g# G
直流电路: 反向击穿电压约等于(1.8-2)Udc,Udc为回路中直流工作电压;! L- o; {0 ?7 l- x, B" U" _
, y. L5 ^3 P1 @* _: h( z, p4 Y信号回路: 反响击穿电压约等于( 1.2-1.5) Umax, Umax为信号回路的峰值电压。, v& a; ?( {& u- `
9 W- m* X4 o; u3 x1 i; G! a) _( V
1.确定被保护电路的最大直流或连续工作电压;" K. n' O8 L8 d+ y8 z: w
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2.TVS的额定反向关断电压VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。
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3 @+ r8 N4 e& @3.TVS的最大反向箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
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, P1 k- J' e7 f% L' \4.对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。
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工作电压<关断电压<响应电压<钳位电压<器件耐压
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关注Ipp电流,其值大于实验等级最大电流(1、无感性负载Ipp>10~30I,I为工作电压。2、感性负载Ipp>100I ),关注漏电流的大小(杂散电容) F" q4 |2 Y1 C" ]% j
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