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LDO失效分析及改善

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发表于 2022-10-25 13:46 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-10-25 17:31 编辑 " k1 P' G+ g# F
$ }" Y# O* O8 x0 W) K& X: @. Q
" K3 `2 Y4 p. l* Z1 Q3 G' G7 P- ?
低压差线性稳压器( Low Dropout Regulator , LDO ) 新品导入中,过强的铜线焊接会使焊球下芯片层间电介质层 ( Interlayer Dielectric , ILD ) 产生裂纹,从而导致器件测试漏电流失效或可靠性失效。通过对芯片结构的分析,指出 LDO漏电流失效的原因,同时详细讨论了如何确定合理的铜线焊接参数、如何检测失效以及失效分析步骤。+ D1 L# I5 b" _3 `2 S- f
1 引言" ~9 k" _% L' N8 [- _
快速增长的移动消费电子市场对电源管理类 IC需求巨大,以手机为例,摄像头、屏下指纹等均需要各种低压差线性稳压器 (Low Dropout Regulator,LDO)。在 IC 封测流程中,焊线是质量控制的重要工序之一,其目的是连接 IC 芯片和引线框架,实现 IC 电路逻辑功能。区别于分立器件,IC 芯片需要的光刻板层数多,导致其引线焊接区域下面多有电路,不恰当的铜线焊接会导致虚焊或焊接区下电路损伤,引起测试失效或潜在的可靠性问题。文献绍了铜线焊接及层间电介质层(Interlayer Dielectric,ILD)裂纹,但对如何检测 ILD 裂纹、如何系统性避免这类问题没有说明。本文的目的是针对实际 ILD 失效分析,系统性探讨 LDO焊接出现的低良率和可靠性问题,以及如何避免、检测、筛选这类不合格产品。3 F, o; M& _: F! d0 U
2 LDO 产品测试失效问题描述" @- [; n" @1 e% E, G
2.1 LDO 静态电流失效
) H2 p$ J9 `; ^LDO 广泛应用于手机及穿戴电子产品,测试LDO 的静态电流,通过静态电流判断 LDO 是否失效,失效品读数 400 μA,良品读数小于 4.8 μA。对失效品开盖,去铜球、金属焊盘,没有发现弹坑。弹坑是焊线过程中对芯片硅造成了物理损伤形成的坑,弹坑结构如图 1 所示。9 T* q2 f& u, ]
2.2 LDO 静态电流测试原理& n' b# F; y0 W/ ~  G
LDO 测试静态电流如图 2 所示,在 V in 施加电压,V out 悬空,测试 V in 流入器件的电流为静态电流。
6 ?/ d5 |9 @3 q( T; B3 失效分析
9 G) ^9 p2 H/ e2 g: N3.1 LDO 芯片结构
' x4 T! g! O% B( @- f3 E; C' v0 }1 AIC 芯片的特点是光刻层数多,普通小型号三极管如 40 V、0.2 A NPN 为 5 层,普通 MOSFET 如 60 V、0.1 A、1.8 Ω 为 8 层,典型的 LDO IC 一般为 20 层左右。IC 在狭小的空间内聚集了众多光刻层,故区别于三极管、MOSFET,IC 在焊盘下面一般有电路层。图 3是 LDO 芯片剖面图,图中 PAD 是焊线的焊盘,材质是厚度 2.7 μm 的 AlCu,与其连接的金属下面是ILD 层。
* a# l# U# O. \1 ~; s! qILD 一般是 SiO 2 或者 SiN,目的是隔离不同层的金属,起绝缘作用,同时阻挡水气,保护芯片内部结构。如果 V in 焊盘或 GND 焊盘下面的 ILD 由于焊接的机械应力产生裂纹,图 3 中的 Metal1 和 Metal 2 两层金属将不能很好地绝缘,裂纹越大,绝缘性越差,就会导致 2.1 节中提到的静态电流失效。文献均显示了铜线焊接导致 ILD 层失效的现象。
0 G: {. d' [$ \/ u' h: |3.2 观察 ILD 层裂纹
9 m8 K8 {$ `% [0 _; _液晶检查发现热点在焊球附近,根据以往MOSFET ILD 层观察经验,总结后给失效分析工程师试验,开盖去掉铜球后,再去掉焊盘金属,成功地发现了失效品焊盘下 ILD 层的裂纹(见图 4)。& j1 |2 Y; b4 T7 e. l
4 分析与讨论
# u( U. E, A% M, L4 p! v* f/ b4 k确定焊接参数,需确认初始球、焊球大小和厚度、拉力及弹坑。建议重新确认焊接参数,优化焊接窗口,解决 ILD 层裂纹问题。过大的焊接参数(特别是超声波能量)会导致芯片焊盘下面的 ILD 层产生裂纹,进而影响产品的电特性及可靠性。2020 年金线与铜线的价格差 20 倍以上,消费类 IC 多用铜线焊接。铜线焊接需要含氢气的保护气体以避免氧化,铜线的硬度(FAB Hardness)高于金线,焊接时对芯片焊盘的冲击力大,这导致铜线的焊接参数窗口比金线窄。对于确定铜线焊接窗口的研究很多,大多做 3~4 个步骤,受设备、环境限制,很多关键的步骤被忽略了,导致测试低良率时才显现出铜线的焊接问题。  j' Q2 ^; ]% n" v! \
总结确定铜线焊接窗口的合理步骤,依靠该步骤完成新产品焊线参数窗口的确认,避免产品出现 ILD裂纹的质量风险,提高产品可靠性,在产品最终电参数测试及可靠性筛选方面也总结出相应的建议。9 U: I7 N  n. ~5 n
5 确定铜线焊接窗口! c4 h2 |0 k( j& D: H, M
5.1 确定铜线焊接参数窗口的主要工具和方法4 t! D2 [) d& W; T
受设备、环境的限制,很多焊线工程师在确定铜线焊接窗口会省略某些步骤,这里介绍几个主要工具和方法。( m& |9 m) y& P5 T
1)通过表面轮廓仪测量去掉铜球后焊盘的轮廓,以三维形式描述铜线焊接力度,图5是测量焊盘的形貌。# |5 F5 E0 U9 [$ W9 B
2)普通光学显微镜很难看到细微裂纹,通过扫描电子显微镜(SEM)可以很好地观察。( T- Q' n/ f9 \
3)采用金属间化合物(Intermetallic Compound,IMC)检查方法,包括化学配方、温度控制等。
1 `! w6 U+ i5 E# s5 p2 P6 W5.2 铜线焊接参数确定流程% x$ }$ v% {, c
焊线工程师确定铜线焊线参数,一般步骤如下。
9 [! n# P0 [! c4 j. D5 A0 K1)验证初始球(Fab)大小、形状、颜色,至少 3 批次各 10 个数据,以匹配焊盘大小及预计的焊球大小;
$ l% i+ ~9 y9 D# Q% e! V% l. r2)焊球大小及厚度至少测量 3 批次各 30 个数据;
/ ?3 u, p; j0 N3)测量线的拉力及断开模式、焊球的推力及推后模式以及线弧高度,至少测量 3 批次各 30 个数据;( w6 H3 W7 I4 O; m: n: [, D
4)测量焊盘金属移位(Pad Metal Displacement),针对所有焊盘测 3 批次各 2 个产品,测量设备为表面轮廓仪;
# o" D+ X8 H& i- S9 A( i, ]5)通过 SEM 观察焊接颈部及脚部,焊球切面和脚部切面,得到 2 个数据,各 3 个批次;& q/ s: c/ p5 l9 }: g
6)通过弹坑测试 3 个批次各 50 个数据;& y) s4 u& T2 j
7)通过 IMC 检查 3 个批次各 10 个数据;
1 P% x9 ^, @$ R. j1 O/ q8)通过镊子拉线测试 50 粒数据;
9 G* e& ?  e" x9 e) p1 m) V3 d9)检查弹坑和 ILD 层是否破裂。: W' ]+ z/ a. b( _5 Q* ]
5.3 观察 ILD 层裂纹的方法和步骤. v& F( p2 R* s: s
IDL 层用于 IC、MOSFET 等器件,由于芯片种类繁多,制造工艺和所选材料各异,一个方法很难适用于所有的芯片 ILD 层。以下方法 / 步骤被证实可以观察 IDL 层裂纹。
; U' v; L+ {9 c1)用发烟硝酸和浓硫酸去掉塑封料;, q- ~! V& a% c6 `6 n4 V
2)用缓冲氧化物刻蚀液 (氢氟酸与水混合,Buffered Oxide Etch, BOE)去除芯片表面钝化层;. H" w0 K" M/ l. H; C
3)发烟硝酸在室温下去除铜球;: p9 r+ C! m. ]; k7 z; c9 Z
4)通过光电发射电子显微镜(PEM)或液晶热点检测技术观察失效点;" x( C8 _% k8 I4 |% U
5)用盐酸去掉铝层;
+ z6 F& v; I% ~/ d( ]6)在 500 倍以上光学显微镜下观察焊盘;
6 u" D2 ]' r# Q$ w9 N5 w  o7)用王水(Aqua Regia,浓盐酸 HCl 和浓硝酸HNO 3 按体积比为 3∶1 组成的混合物)去掉金属层;
+ o. K& R7 U' }  o# |% E! w. q8)通过 SEM 观察裂纹。/ W7 f' v/ u; H! T3 p
6 测试筛选废品  M8 T1 G" f3 I! n1 D% L
6.1 PAT 测试. b; o* E. e& G) G2 Q; C+ l1 d
PAT 是参数异常测试(Parameter Abnormalityn Test)或者参数平均测试(Parameter Averaging Test),目的是从正常分布中筛选掉异常器件,无论其是否满足规范,以达到高质量要求,减少客户投诉。
! H  k' ?% ^8 P7 T; ]# e# f, K图 6 黄色区域是不满足规范(SPEC)筛选掉的不合格品,蓝色区域是满足规范但不满足 PAT 被筛选掉的产品。分布在PAT范围内的产品失效概率被大大降低。& ^  X  j& I* b" l5 e( S
PAT 的范围设定通过收集历史样本数据,计算其均值和标准偏差得出。PAT 上下范围设定为均值加减几个标准差,即均值±A×标准偏差,其中 A 为倍数,根据不同要求,做不同设定:1 i1 x% F* H( C) y
1)通常一开始 A 设定为 6,PAT 范围是均值±6 个标准偏差,如果样本分布为正态分布,那落在 PAT 范围之外的 PAT 废品的比例是总样本比例的 2×10 -9 ,即十亿分之二,完全不会影响其正常合格率。
" a" V1 C) _5 v( }2)当一个产品成熟后,如生产 2 年,需要收集1000 个以上封装批次、50 个以上芯片批次来计算PAT 范围。将 A 设定为 4,那落在 PAT 范围之外的PAT 废品比例是总样本比例的 0.0064%,也几乎不影响正常合格率。均值±4 个标准偏差是美国汽车电子委员会的要求。, n# A3 \' v9 A9 ^+ v+ I9 W0 B2 [
6.2 加速老化失效; b% _/ g  T- A' a8 f  B  Q
铜焊线导致焊盘下电路 ILD 层产生裂纹,可考虑加速老化让裂纹生长,到达一定程度可在产品终测时被筛选出来,加速老化方法各异,这里列举 2 种,原理是通过热胀冷缩让裂纹快速生长:
3 N* u. Q; a5 J  {+ L3 {* A0 Q7 o1)测试前进行红外线回流焊(IR Reflow),模拟客户上板,温度高达 260 ℃。+ V7 A$ M. \$ {9 h8 Q3 |6 ?
2)塑封后进行温度循环,温度范围-55~150 ℃,循环 50~100 个周期。
) u" {2 J9 C( s& _- n3 z0 x7 结论+ `5 m0 I) E* c! u6 X- M. Z
LDO 铜线焊接导致的器件失效不仅影响产品良率,更影响产品质量可靠性。对于铜线焊接窗口的确定,需要严格按照科学的流程和方法,省略部分流程,不正确的焊接会导致质量风险。& i6 S, c& V9 V' ]. E
焊线对 ILD 层的损伤要考虑在工艺设定中,本文详细列出了对 ILD 的观察方法和步骤,供焊线工程师和失效分析工程师参考。. v2 D/ k/ n# J9 |- @

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2#
发表于 2022-10-25 17:57 | 只看该作者
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  • TA的每日心情
    开心
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    [LV.10]以坛为家III

    3#
    发表于 2022-10-27 12:15 | 只看该作者
    不错不错,很是一绝,有料,尝鲜尝鲜
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