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1. 衬底选材7 A9 V2 I: `* e4 q* y& B
2. 清洗0 d( J+ `! T8 w% M5 `' {$ C
3. 生长初始氧化硅
7 C3 m* A6 U. e# R4. 晶圆刻号
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6. 第零层光刻处理% h, F, w. U2 f) G2 c3 [; Y9 W
7. 第零层刻蚀处理
3 w* ~" v8 W4 V1 H3 b. d F8. 去光刻胶
4 f/ P( j) n1 L* T9 }9. 去除初始氧化层
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