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1. 衬底选材
+ n$ W; a8 k2 l- ~0 x1 g& A2. 清洗
0 \+ a- k) N4 _. e1 @3 S# w; |3. 生长初始氧化硅: r4 L7 `3 Z9 j. c, r, {( y
4. 晶圆刻号/ W( L. J, X' f
5. 清洗: B! @) K* e$ |5 l! X3 `
6. 第零层光刻处理8 L1 i" j# H9 t' ^! y6 M( {) l& {
7. 第零层刻蚀处理: j$ u' b' S; t. s. {$ Y
8. 去光刻胶8 A, h3 @1 B* q7 c' h1 s9 E
9. 去除初始氧化层. K6 y" T' ]+ E+ v* n
1 p& ^, w4 B* o8 m
. E% S' e$ q1 @7 T/ [ I, X( z6 G7 R4 X! u% h6 N
( U8 e, F* F0 V; O. @) X/ f
2 ]5 J" ?% l: P; l3 N/ M
2 [* l6 E& F, J8 p
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