RF测试座和ANT ipex layout问题&功率测试差异

RGB_lamp

最近遇到项目问题，TX POWER 测试，在RF测试座处和IPEX 座处功率差异，高频竟然查将近2dbm，两者之间只有一小段trace和一个L型匹配，将通路调至50Ω后，高频功率测试仍然差1.3dbm。
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4 I) L$ z6 c$ |0 ?. a6 Q请教一下高人，IPEX 下面 layout时候一般都挖几层啊？ RF测试座下面也要挖空吗？
$ ]& s' m) l: N5 M1 q是什么原因导致两者之间得功率测试差异这么大，用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右。
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名字好听吗

其实走线只要做了50ohm，测试座和同轴线座子下面挖不挖差别不会太大。可以把IPEX座子去掉，焊猪尾巴测测看，焊的时候接地要尽量靠近信号。

VIC56

你的I-PEX是用那种扣线测的？还是呈标的标准测试线？那种几块一根的扣线，测高频，测多几次不准的概率极大，吹掉焊根铜管看一看；
另外，注意你的射频线，是不是下方扣地了？如果扣地了，线离两侧地太近，对高频也会有影响的。

criterion

IPEX一般而言   因为焊盘较大    就算挖空到两层都不为过
: M" U* q0 v0 q) T4 m' d+ l你去计算阻抗就知道  即便挖空2层   50奥姆线宽
都还比IPEX焊盘细  

至于RF测试座   则看焊盘大小  如果跟50奥姆线宽差不多  那就不用挖
! A' e3 [$ u3 s  K3 K总之  焊盘挖空的用意是

6 R2 H/ l0 R5 }7 e1.        阻抗接近50奥姆
* x3 s- a& W1 d" V, y& p2.        降低寄生电容
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先满足1再来谈2   不然如果焊盘大小跟50奥姆线宽差不多
4 h" X4 c( t/ e4 ^( w你硬挖空   寄生电容是降低了没错   但阻抗高于50奥姆
这样不会比较好  不用想说匹配调回来   没这么万能
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! ]- A+ v" g8 V, o& W+ O至于你说调至50Ω  用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右
& \7 L' V8 c$ e这个都是你用铜管量出来的  没考虑到测试座本身的影响
建议你用测试座去量   才会比较准
因为焊盘没挖空的影响    要用测试座去量  才会显现
用铜管去量   是显现不出来的




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