MOS器件中有关迁移率的问题

justlikethisis

在同一个半导体中，电子的迁移率高于空穴的。

1.如传统的N MOS 器件 我们用P衬底，但是算沟道电子迁移率 u=qt/m  其中t 和电离杂质散射和声学散射有关（以Ge为例），此时t和 参杂的Ni 有关，其实就是p衬底的浓度，  这样以来 算电子和空穴 用的都是P衬底的参杂浓度，当然电子的m有效质量大于空穴的， 所以 电子和空穴的有效质量不同 就在于 与 电离杂志散射和声学波散射对应的系数了吗？

2.我们平常用的mos器件 实际上是反型出来的少子导电，那如果是多子导电，先不考虑工艺实现与否，
同等参杂浓度的衬底， 一个是p型 我们用其中的少子电子导电
                              一个是n型，我们用其中的多子电子导电

7 H- V2 P0 `8 n' H: B- y  N) s直观上看，后者电流应该大

+ H9 o4 o/ U2 X% h# l. D但是要计算两者究竟谁的电子迁移率高 怎么计算？？
3 _6 h# h  ^" k# `" {, F1 J) Y0 O

starskyuu

多子导电就是电阻特性了

xiaoming11

没咋研究过迁移率