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在同一个半导体中，电子的迁移率高于空穴的。
) [# L8 k# j+ _, F) A9 F4 v
; {, L& e3 P# ^" v1.如传统的N MOS 器件 我们用P衬底，但是算沟道电子迁移率 u=qt/m 其中t 和电离杂质散射和声学散射有关（以Ge为例），此时t和 参杂的Ni 有关，其实就是p衬底的浓度， 这样以来 算电子和空穴 用的都是P衬底的参杂浓度，当然电子的m有效质量大于空穴的， 所以 电子和空穴的有效质量不同 就在于 与 电离杂志散射和声学波散射对应的系数了吗？& D/ A, n% c3 ` y! V
/ t( X8 S8 T' }8 U7 C7 {$ ]
2.我们平常用的mos器件 实际上是反型出来的少子导电，那如果是多子导电，先不考虑工艺实现与否，0 q9 y) F# F1 R$ e+ S
同等参杂浓度的衬底， 一个是p型 我们用其中的少子电子导电
0 L1 \$ S9 S- m 一个是n型，我们用其中的多子电子导电- Q& T: w) |: s1 ^0 u
( V" U. \$ D6 C9 {0 L1 B/ s
直观上看，后者电流应该大
" \- Q# z7 ~* a+ T. {/ Q i4 L
但是要计算两者究竟谁的电子迁移率高 怎么计算？？
" G+ A4 Q* u( `, C |
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发表于 2022-9-27 13:17
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